公开(公告)号：CN1827855A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610001290.7

申请日：2006-01-12

Applicant: 三井金属矿业株式会社 ,  美格株式会社

Inventor： 楢林哲之 ,  国本慎治 ,  笠井诚 ,  户田健次

IPC: C23F1/00

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/0085 ,  H05K3/068 ,  H05K2203/075 ,  H05K2203/1147 ,  H05K2203/1545

Abstract: 本发明提供一种液处理装置，能够在从蚀刻液喷嘴喷出的处理液变成雾状并漂流在处理室内的状态下，该雾状蚀刻液也喷沾不到比蚀刻液喷嘴向膜等表面处理目标物的上表面喷出的液处理开始位置A更上游的表面处理目标物的部分，从而可以正确实施使用处理液的处理，避免发生不合格品。该装置包括：从上方向电子元件安装用薄膜载带T的表面喷出处理液E的蚀刻液喷嘴；和在用蚀刻液喷嘴向电子元件安装用薄膜载带T的表面喷出的处理液E开始进行蚀刻处理的液处理开始位置A更上游，设置防止在液处理开始位置A之前接触薄膜载带T的防处理液接触分隔室；且在该分隔室内设有第一防浸入构件的封液凸缘构件；第二防浸入构件的上侧凸缘组件和下侧凸缘组件。

公开(公告)号：CN1570212A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN200410006062.X

申请日：2004-02-27

Applicant: 美格株式会社

Inventor： 户田健次

IPC: C23F1/18 ,  H05K3/06

Abstract: 提供一种能制造侧面蚀刻少、抑制铜配线的上部变细而且没有短路的电子基板的铜或铜合金的蚀刻溶液以及使用该溶液的电子基板的制造方法。是按规定的形状在电绝缘基材(1)上形成的铜层(2a)上进行蚀刻并形成铜配线(2c)的电子基板的制造方法，主蚀刻后，通过含有(a)铜的氧化剂1～50克/升和、(b)盐酸1～200克/升以及或者有机酸1～400克/升和、(c)选自聚亚烷基二醇、以及聚胺和聚亚烷基二醇的共聚物中的至少一种聚合物0.01～50克/升的水溶液除去铜配线(2b)的底部残存的应除去的铜(A)。

公开(公告)号：CN100436645C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200410006062.X

申请日：2004-02-27

Applicant: 美格株式会社

Inventor： 户田健次

IPC: C23F1/18 ,  H05K3/06

Abstract: 提供一种能制造侧面蚀刻少、抑制铜配线的上部变细而且没有短路的电子基板的铜或铜合金的蚀刻溶液以及使用该溶液的电子基板的制造方法。是按规定的形状在电绝缘基材(1)上形成的铜层(2a)上进行蚀刻并形成铜配线(2c)的电子基板的制造方法，主蚀刻后，通过含有(a)铜的氧化剂1～50克/升和、(b)盐酸1～200克/升以及或者有机酸1～400克/升和、(c)选自聚亚烷基二醇、以及聚胺和聚亚烷基二醇的共聚物中的至少一种聚合物0.01～50克/升的水溶液除去铜配线(2b)的底部残存的应除去的铜(A)。