公开(公告)号：CN104136665B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201280065352.4

申请日：2012-10-31

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 须藤俊明 ,  佐藤忠广 ,  北原江梨子 ,  飞田修司 ,  铃木光一

IPC: C30B29/06 ,  C03B20/00 ,  C30B15/10

Abstract: 通过旋转模具法制造相对于设计数据的三维形状的匹配度高的氧化硅玻璃坩埚。在基于最初的物性参数得到的模拟数据以及测定数据的三维形状的匹配度低于规定的水平的情况下，设定该匹配度达到规定的水平以上的改善物性参数。另外，在基于最初的制造条件得到的模拟数据以及测定数据的三维形状的匹配度低于规定的水平的情况下，设定得到与设计数据的匹配度达到规定的水平以上的模拟数据的改善制造条件。其结果，可以将氧化硅玻璃坩埚的设计数据以及测定数据的三维形状的匹配度提高至规定的水平以上。即，可以通过旋转模具法制造相对于设计数据的三维形状的匹配度高的氧化硅玻

公开(公告)号：CN101160420A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200580049416.1

申请日：2005-09-14

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 小野敏昭 ,  杉村涉 ,  宝来正隆

IPC: C30B29/06

CPC classification number: C30B15/04 ,  C30B15/203 ,  C30B29/06

Abstract: 按照本发明的硅单晶的制造方法，由于通过用CZ法培育由不存在Grown－in缺陷的无缺陷区域构成的硅单晶，将含氢原子的物质的气体添加于培育装置内的气氛气体中，以及向结晶内掺氮或/和碳，以此制造硅单晶，故可截取整个面不存在Grown－in缺陷，系由无缺陷区域构成，且BMD足够且均匀地形成的晶片。这样的晶片可大幅度减少在其上所形成的集成电路的特性不合格品的发生，作为应对电路的微细化和高密度化的衬底，可对制造成品率的提高作出贡献，从而可广泛应用。

公开(公告)号：CN101097845A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710126228.5

申请日：2007-06-26

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 森本信之 ,  西畑秀树

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/30 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 通过以下步骤制造结合晶片：向有源层晶片中注入轻元素的离子至预定深度位置形成离子注入层，将该有源层晶片直接或通过不超过50nm的绝缘膜与支撑衬底晶片结合，在离子注入层处剥离有源层晶片并减薄通过剥离暴露的有源层，从而形成具有预定厚度的有源层，其中减薄前有源层的厚度不大于750nm，结合前有源层晶片的强度试验中滑移位错的延伸在预定厚度下不大于100μm。

公开(公告)号：CN106687624B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201580049467.8

申请日：2015-09-24

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 须藤俊明 ,  佐藤忠广 ,  北原江梨子 ,  北原贤

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/10 ,  C30B15/00 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  C30B35/007

Abstract: 正确地掌握各个氧化硅玻璃坩埚的容积来事先预测氧化硅玻璃坩埚内的硅熔液的初期液位，据此可靠地进行晶种的着液工艺。在氧化硅玻璃坩埚内填充原料之前测量氧化硅玻璃坩埚的内表面上的多个点的空间坐标，根据将各测量点作为顶点坐标的多角形组合来特定氧化硅玻璃坩埚的内表面的三维形状(S11)，预先设定氧化硅玻璃坩埚内的硅熔液的初期液位的预测值(S12)，基于氧化硅玻璃坩埚的内表面的三维形状来求取满足初期液位的预测值硅熔液的体积(S13)，求取具有所述体积的硅熔液的重量(S14)，在氧化硅玻璃坩埚中填充具有所述重量的原料(S15)，以及基于初期液位的预测值来控制晶种的着液(S17)。

公开(公告)号：CN104937705B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201480005010.2

申请日：2014-01-24

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 松本圭 ,  江里口和隆 ,  三次伯知 ,  久保田刚志

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/14 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明公开了一种对实施热处理后的半导体晶片的金属污染评价方法，包括下述步骤：通过分析方法1或分析方法2对半导体晶片表面的多个分析部位进行分析来获得分析值，其中，分析方法1是指因评价对象金属元素造成的污染量越多则用于评价的分析值越小，分析方法2是指因评价对象金属元素造成的污染量越多则用于评价的分析值越大，并且其中，通过基于由概率分布函数规定的正常值评价分析值，来判断是否具有因评价对象金属元素而导致的局部污染。

公开(公告)号：CN101160420B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN200580049416.1

申请日：2005-09-14

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 小野敏昭 ,  杉村涉 ,  宝来正隆

IPC: C30B29/06

CPC classification number: C30B15/04 ,  C30B15/203 ,  C30B29/06

Abstract: 按照本发明的硅单晶的制造方法，由于通过用CZ法培育由不存在原生缺陷的无缺陷区域构成的硅单晶，将含氢原子的物质的气体添加于培育装置内的气氛气体中，以及向结晶内掺氮或/和碳，以此制造硅单晶，故可截取整个面不存在原生缺陷，系由无缺陷区域构成，且BMD足够且均匀地形成的晶片。这样的晶片可大幅度减少在其上所形成的集成电路的特性不合格品的发生，作为应对电路的微细化和高密度化的衬底，可对制造成品率的提高作出贡献，从而可广泛应用。

公开(公告)号：CN101168850B

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200710148262.2

申请日：2007-09-04

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 稻见修一 ,  井上邦春 ,  诸石学 ,  深川嗣也 ,  草场伸博

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/00

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/36

Abstract: 本发明提供能够获得晶轴方位为[110]的硅片、且位错被完全除去的电阻率低的硅单晶的制造方法以及由通过该方法获得的硅单晶制造晶轴方位为[110]的低电阻硅片的方法。为利用CZ法的硅单晶制造方法，在作为掺杂剂添加有硼且其浓度达到6.25×1017～2.5×1020原子/cm3的硅熔融液中，浸渍中心轴相对于[110]晶轴倾斜0.6°～10°、且与在由所述硅熔融液培育的单晶上形成的颈部的硼浓度大致相同浓度的硅晶种，从而培育中心轴相对于[110]晶轴倾斜0.6°～10°的硅单晶。

公开(公告)号：CN101155950A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200580049409.1

申请日：2005-09-14

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 小野敏昭 ,  杉村涉 ,  宝来正隆

IPC: C30B29/06 ,  H01L21/322 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/04 ,  C30B15/203 ,  H01L21/3225

Abstract: 按照本发明的硅单晶的培育方法，由于通过使培育装置内的惰性气氛中的氢分压为40Pa～400Pa，以及将单晶直胴部培育成不存在Grown－in缺陷的无缺陷区域，制造采用CZ法的硅单晶，故可容易截取整个面不存在Grown－in缺陷，系由无缺陷区域构成，且BMD足够且均匀地形成的晶片。这样的晶片可大幅度减少在其上所形成的集成电路的特性不合格品的发生，作为与电路的微细化和高密度化对应的衬底，有助于制造成品率的提高，可广泛应用。

公开(公告)号：CN101118845A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200710146439.5

申请日：2007-07-20

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 奥田秀彦 ,  草场辰己

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/304 ,  H01L21/322 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 用于制造键合晶片的方法。通过包括以预定的深度位置将轻元素例如氢、氦或类似的离子注入到用于有源层的晶片中以形成离子注入层的步骤、通过绝缘膜将该元素的用于有源层的晶片键合至用于支撑衬底的晶片上的步骤、将在该离子注入层处的该晶片剥落的步骤、为了减少通过该剥落暴露的有源层表面上的损坏而进行牺牲氧化的第一热处理步骤和提高键合强度的第二热处理步骤的方法制造键合晶片，其中该第二热处理步骤是在该第一热处理步骤之后不移除在该有源层的表面上形成的氧化膜而连续地进行的。

公开(公告)号：CN104145051B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201280063279.7

申请日：2012-10-31

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 须藤俊明 ,  佐藤忠广 ,  北原贤 ,  北原江梨子 ,  小玉真喜子

IPC: C30B29/06 ,  C03B20/00 ,  G01B11/24

CPC classification number: C30B15/26 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06 ,  G01B11/005 ,  G01B11/06 ,  G01B11/24 ,  G01B11/245 ,  G01J3/42 ,  G01J5/58

Abstract: 本发明提供能非破坏性地测量坩埚的内表面的三维形状的氧化硅玻璃坩埚的评价方法。本发明提供的氧化硅玻璃坩埚的评价方法包括以下工序：通过使内部测距部非接触地沿着氧化硅玻璃坩埚的内表面移动，在移动路径上的多个测量点，从内部测距部对所述坩埚的内表面斜方向照射激光，并检测来自所述内表面的内表面反射光，来测量内部测距部与所述内表面之间的内表面距离，通过将各测量点的三维坐标与所述内表面距离建立关联，来求出所述坩埚的内表面三维形状。