公开(公告)号：CN101168850B

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200710148262.2

申请日：2007-09-04

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 稻见修一 ,  井上邦春 ,  诸石学 ,  深川嗣也 ,  草场伸博

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/00

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/36

Abstract: 本发明提供能够获得晶轴方位为[110]的硅片、且位错被完全除去的电阻率低的硅单晶的制造方法以及由通过该方法获得的硅单晶制造晶轴方位为[110]的低电阻硅片的方法。为利用CZ法的硅单晶制造方法，在作为掺杂剂添加有硼且其浓度达到6.25×1017～2.5×1020原子/cm3的硅熔融液中，浸渍中心轴相对于[110]晶轴倾斜0.6°～10°、且与在由所述硅熔融液培育的单晶上形成的颈部的硼浓度大致相同浓度的硅晶种，从而培育中心轴相对于[110]晶轴倾斜0.6°～10°的硅单晶。

公开(公告)号：CN101168850A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200710148262.2

申请日：2007-09-04

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 稻见修一 ,  井上邦春 ,  诸石学 ,  深川嗣也 ,  草场伸博

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/00

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/36

Abstract: 本发明提供能够获得晶轴方位为[110]的硅片、且位错被完全除去的电阻率低的硅单晶的制造方法以及由通过该方法获得的硅单晶制造晶轴方位为[110]的低电阻硅片的方法。为利用CZ法的硅单晶制造方法，在作为掺杂剂添加有硼且其浓度达到6.25×1017～2.5×1020原子/cm3的硅熔融液中，浸渍中心轴相对于[110]晶轴倾斜0.6°～10°、且与在由所述硅熔融液培育的单晶上形成的颈部的硼浓度大致相同浓度的硅晶种，从而培育中心轴相对于[110]晶轴倾斜0.6°～10°的硅单晶。