公开(公告)号：CN101097845A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710126228.5

申请日：2007-06-26

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 森本信之 ,  西畑秀树

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/30 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 通过以下步骤制造结合晶片：向有源层晶片中注入轻元素的离子至预定深度位置形成离子注入层，将该有源层晶片直接或通过不超过50nm的绝缘膜与支撑衬底晶片结合，在离子注入层处剥离有源层晶片并减薄通过剥离暴露的有源层，从而形成具有预定厚度的有源层，其中减薄前有源层的厚度不大于750nm，结合前有源层晶片的强度试验中滑移位错的延伸在预定厚度下不大于100μm。

公开(公告)号：CN101093791A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710128807.3

申请日：2007-06-22

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 西畑秀树 ,  森本信之 ,  远藤昭彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26533

Abstract: 一种制造粘结的晶片的方法，通过将用于有源层和支撑层的两个硅晶片彼此粘结，然后将用于有源层的晶片减薄来进行，其中，在粘结前向用于有源层的晶片表面注入氮离子，以在用于有源层的晶片内部形成氮化物层。