公开(公告)号：CN101118845A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200710146439.5

申请日：2007-07-20

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 奥田秀彦 ,  草场辰己

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/304 ,  H01L21/322 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 用于制造键合晶片的方法。通过包括以预定的深度位置将轻元素例如氢、氦或类似的离子注入到用于有源层的晶片中以形成离子注入层的步骤、通过绝缘膜将该元素的用于有源层的晶片键合至用于支撑衬底的晶片上的步骤、将在该离子注入层处的该晶片剥落的步骤、为了减少通过该剥落暴露的有源层表面上的损坏而进行牺牲氧化的第一热处理步骤和提高键合强度的第二热处理步骤的方法制造键合晶片，其中该第二热处理步骤是在该第一热处理步骤之后不移除在该有源层的表面上形成的氧化膜而连续地进行的。