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公开(公告)号：CN105264124B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201380077075.3
申请日：2013-05-31
Applicant: 胜高股份有限公司
IPC: C30B15/10
CPC classification number: C30B15/10 , C03B19/095 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57
Abstract: 一种氧化硅玻璃坩埚及其制造方法，即便在长时间的高温条件下使用，也能抑制变形。氧化硅玻璃坩埚具备：上端开口并且沿铅垂方向延伸的基本上圆柱形的直筒部、弯曲的底部、及连结所述直筒部和所述底部且曲率比所述底部大的角部，所述氧化硅玻璃坩埚在内侧具备透明层并且在其外侧具备气泡层，在所述透明层的内表面侧具备残留压缩应力的压缩应力层、和以平缓的应力变化率与所述压缩应力层邻接的残留拉伸应力的拉伸应力层。
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公开(公告)号：CN104024491B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201280063749.X
申请日：2012-05-15
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B15/005 , C30B15/02 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B30/04 , C30B35/002
Abstract: 提供了制造单晶硅的方法，其能够在采用由同一坩埚中的原料熔体提拉多根单晶硅的多重提拉法生长单晶硅时减少单晶硅的位错的产生。解决问题的手段：制造单晶硅的方法涉及采用通过Czochralski法在腔室内由同一坩埚8中的原料熔体7提拉多根单晶硅1的多重提拉法制造单晶硅1的方法，该方法包括在磁场中生长单晶硅1的步骤，其中将在大直径的坩埚8的内壁上形成的钡的添加量控制在特定的范围内。
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公开(公告)号：CN104114753B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201280065350.5
申请日：2012-10-31
Applicant: 株式会社SUMCO
CPC classification number: C30B15/10 , C30B15/20 , C30B29/06 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明有效地抑制氧化硅玻璃坩埚的压曲以及侧壁部向坩埚内部的翻倒。另外，抑制在硅单晶上发生位错，从而提高单晶收率。提供一种用于单晶硅的提拉的氧化硅玻璃坩埚，其具备：具有上面开口的边缘部的圆筒状的侧壁部、由曲线构成的研钵状的底部、和连接侧壁部和底部的弯曲部。在通过该氧化硅玻璃坩埚的旋转轴的截面上，以弯曲部的内表面的曲率从侧壁部朝向底部的方向缓慢增大的方式设置。
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公开(公告)号：CN107075720A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580049436.2
申请日：2015-09-24
Applicant: 株式会社SUMCO
CPC classification number: G01N3/307 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , G01N2203/001 , G01N2203/0035 , G01N2203/0064
Abstract: 提供一种可以在与实际使用状况尽可能接近的状态下进行检查的石英玻璃坩埚的破坏检查方法和是否良好的判定方法。根据本发明的石英玻璃坩埚的破坏检查方法，自动中心冲头10的前端部碰撞石墨基座2上支撑的单晶硅提拉用的石英玻璃坩埚1的内表面，并且评价通过所述自动中心冲头10在内表面的一点上瞬间施加负荷时的内表面的裂痕的状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104114976B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201280064551.3
申请日：2012-10-31
Applicant: 株式会社SUMCO
CPC classification number: G01B11/24 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B15/20 , C30B15/26 , C30B29/06 , H01L22/12
Abstract: 本发明提供不污染坩埚的内表面而使坩埚的内表面的三维形状的测量成为可能的氧化硅玻璃坩埚的三维形状测量方法。根据本发明，提供氧化硅玻璃坩埚的三维形状测量方法，该方法具备：使氧化硅玻璃坩埚的内表面产生雾的工序；以及通过对所述内表面照射光，并检测其反射光，来测量所述内表面的三维形状的工序。
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公开(公告)号：CN106687624A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201580049467.8
申请日：2015-09-24
Applicant: 株式会社SUMCO
CPC classification number: C30B15/10 , C30B15/00 , C30B15/20 , C30B29/06 , C30B35/007
Abstract: 正确地掌握各个氧化硅玻璃坩埚的容积来事先预测氧化硅玻璃坩埚内的硅熔液的初期液位，据此可靠地进行晶种的着液工艺。在氧化硅玻璃坩埚内填充原料之前测量氧化硅玻璃坩埚的内表面上的多个点的空间坐标，根据将各测量点作为顶点坐标的多角形组合来特定氧化硅玻璃坩埚的内表面的三维形状(S11)，预先设定氧化硅玻璃坩埚内的硅熔液的初期液位的预测值(S12)，基于氧化硅玻璃坩埚的内表面的三维形状来求取满足初期液位的预测值硅熔液的体积(S13)，求取具有所述体积的硅熔液的重量(S14)，在氧化硅玻璃坩埚中填充具有所述重量的原料(S15)，以及基于初期液位的预测值来控制晶种的着液(S17)。
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公开(公告)号：CN106574394A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580041344.X
申请日：2015-06-01
Applicant: 信越石英株式会社
Inventor： 马场裕二
CPC classification number: C30B15/10 , C03B19/095 , C03B20/00 , C03B32/02 , C03C19/00 , C30B29/06 , Y02P40/57
Abstract: 本发明是一种石英玻璃坩埚的制造方法，用于制造石英玻璃坩埚，所述石英玻璃坩埚是用以自其内部所保持的硅融液提拉单晶硅，所述石英玻璃坩埚的制造方法，包含下述步骤：制作石英玻璃坩埚的步骤，所述石英玻璃坩埚具有由含有气泡的不透明石英玻璃所构成的外层和由实质上不含有气泡的透明石英玻璃所构成的内层；对所述制作出来的石英玻璃坩埚的内表面之中的在保持有硅融液时会与该硅融液接触的区域，进行粗面化的步骤；以及，根据对所述内表面经粗面化的石英玻璃坩埚进行热处理，来使所述经粗面化的区域的表面结晶化的步骤。由此，能够制造一种单晶硅提拉用石英玻璃坩埚，其能够在单晶硅提拉时有效地抑制坩埚内表面发生棕环的情况，并抑制单晶硅的结晶性混乱。
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公开(公告)号：CN104487619B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380035149.7
申请日：2013-07-15
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: C30B15/10 , C30B15/32 , C30B19/04 , C30B19/067 , C30B29/36 , Y10T117/1032
Abstract: 用于溶液生长法的制造装置。该制造装置10）包括籽晶架（28）和坩埚（14）。籽晶架（28）具有下端表面，该下端表面上附着有SiC籽晶（32）。坩埚（14）容纳有SiC溶液（15）。坩埚（14）包括圆柱形部分（34）、底部（36）和内盖（38）。底部（36）位于圆柱形部分（34）的下端。内盖（38）设置在圆柱形部分（34）中。内盖（38）具有通孔（40），当SiC溶液容纳在坩埚（14）中时，所述内盖（38）位于所述SiC溶液（15）的液面下方。
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公开(公告)号：CN105723019A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201480046070.9
申请日：2014-06-20
Applicant: 南达科他州评议委员会
IPC: C30B9/00
Abstract: 根据本发明，教导的是在钢熔炉内部使用石英屏障的高纯度锗晶体生长方法。所述石英屏障不仅适用于引导惰性气体的流动，也防止锗熔体受到隔热材料、石墨坩埚、感应线圈和不锈钢室的污染。称重传感器提供了晶体直径的自动控制，并且有助于确保锗熔体的耗尽。所述方法方便且有效地由相对低水平熟练的操作者制造高纯度锗晶体。
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