公开(公告)号：CN101160420A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200580049416.1

申请日：2005-09-14

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 小野敏昭 ,  杉村涉 ,  宝来正隆

IPC: C30B29/06

CPC classification number: C30B15/04 ,  C30B15/203 ,  C30B29/06

Abstract: 按照本发明的硅单晶的制造方法，由于通过用CZ法培育由不存在Grown－in缺陷的无缺陷区域构成的硅单晶，将含氢原子的物质的气体添加于培育装置内的气氛气体中，以及向结晶内掺氮或/和碳，以此制造硅单晶，故可截取整个面不存在Grown－in缺陷，系由无缺陷区域构成，且BMD足够且均匀地形成的晶片。这样的晶片可大幅度减少在其上所形成的集成电路的特性不合格品的发生，作为应对电路的微细化和高密度化的衬底，可对制造成品率的提高作出贡献，从而可广泛应用。

公开(公告)号：CN101155950B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200580049409.1

申请日：2005-09-14

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 小野敏昭 ,  杉村涉 ,  宝来正隆

IPC: C30B29/06 ,  H01L21/322 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/04 ,  C30B15/203 ,  H01L21/3225

Abstract: 按照本发明的硅单晶的培育方法，由于通过使培育装置内的惰性气氛中的氢分压为40Pa～400Pa，以及将单晶直胴部培育成不存在Grown-in缺陷的无缺陷区域，制造采用CZ法的硅单晶，故可容易截取整个面不存在Grown-in缺陷，系由无缺陷区域构成，且BMD足够且均匀地形成的晶片。这样的晶片可大幅度减少在其上所形成的集成电路的特性不合格品的发生，作为与电路的微细化和高密度化对应的衬底，有助于制造成品率的提高，可广泛应用。

公开(公告)号：CN101175873A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200580049782.7

申请日：2005-12-02

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 杉村涉 ,  宝来正隆 ,  小野敏昭

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/20

CPC classification number: C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  C30B35/00

Abstract: 该半导体单晶制造装置具有坩锅、加热器、坩锅驱动装置、容纳所述坩锅和加热器的腔、以及向所述坩锅内供给混合有含有氢原子的含氢气体和惰性气体的混氢气体的混氢气体供给装置，所述混氢气体供给装置具备含氢气体供给机、惰性气体供给机、含氢气体流量控制器、惰性气体流量控制器、以及均匀混合含氢气体和惰性气体而生成混氢气体的气体混合装置。

公开(公告)号：CN101160420B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN200580049416.1

申请日：2005-09-14

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 小野敏昭 ,  杉村涉 ,  宝来正隆

IPC: C30B29/06

CPC classification number: C30B15/04 ,  C30B15/203 ,  C30B29/06

Abstract: 按照本发明的硅单晶的制造方法，由于通过用CZ法培育由不存在原生缺陷的无缺陷区域构成的硅单晶，将含氢原子的物质的气体添加于培育装置内的气氛气体中，以及向结晶内掺氮或/和碳，以此制造硅单晶，故可截取整个面不存在原生缺陷，系由无缺陷区域构成，且BMD足够且均匀地形成的晶片。这样的晶片可大幅度减少在其上所形成的集成电路的特性不合格品的发生，作为应对电路的微细化和高密度化的衬底，可对制造成品率的提高作出贡献，从而可广泛应用。

公开(公告)号：CN101155950A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200580049409.1

申请日：2005-09-14

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 小野敏昭 ,  杉村涉 ,  宝来正隆

IPC: C30B29/06 ,  H01L21/322 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/04 ,  C30B15/203 ,  H01L21/3225

Abstract: 按照本发明的硅单晶的培育方法，由于通过使培育装置内的惰性气氛中的氢分压为40Pa～400Pa，以及将单晶直胴部培育成不存在Grown－in缺陷的无缺陷区域，制造采用CZ法的硅单晶，故可容易截取整个面不存在Grown－in缺陷，系由无缺陷区域构成，且BMD足够且均匀地形成的晶片。这样的晶片可大幅度减少在其上所形成的集成电路的特性不合格品的发生，作为与电路的微细化和高密度化对应的衬底，有助于制造成品率的提高，可广泛应用。

公开(公告)号：CN101175873B

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200580049782.7

申请日：2005-12-02

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 杉村涉 ,  宝来正隆 ,  小野敏昭

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/20

CPC classification number: C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  C30B35/00

Abstract: 该半导体单晶制造装置具有坩锅、加热器、坩锅驱动装置、容纳所述坩锅和加热器的腔、以及向所述坩锅内供给混合有含有氢原子的含氢气体和惰性气体的混氢气体的混氢气体供给装置，所述混氢气体供给装置具备含氢气体供给机、惰性气体供给机、含氢气体流量控制器、惰性气体流量控制器、以及均匀混合含氢气体和惰性气体而生成混氢气体的气体混合装置。