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公开(公告)号：CN119997375A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510327172.8
申请日：2025-03-19
Applicant: 四会富仕电子科技股份有限公司 , 肇庆学院
Abstract: 本发明公开了一种载板线路蚀刻的方法，包括以下步骤：提供已经过填孔和图形电镀并退膜后的生产板，以在线路处和非线路处的铜面之间形成阶梯高度差；在生产板的板面喷涂双氧水，去除线路铜面处的双氧水，只保留非线路铜面处的双氧水；在生产板的板面喷涂稀硫酸，稀硫酸和双氧水混合后形成微蚀液，以对非线路铜面处进行微蚀，喷涂稀硫酸并静置5分钟后清洗生产板，重复上述的微蚀步骤至少一次，直至非线路铜面处的基材露出；在生产板的板面喷涂稀硫酸，去除线路铜面处的稀硫酸，只保留显露的基材处的稀硫酸，再通过烘烤使稀硫酸浓缩成浓硫酸后对显露的基材进行咬蚀，以露出铜牙；将露出的铜牙全部蚀刻去除。本发明方法可达到载板精密线路蚀刻的目的。
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公开(公告)号：CN118265238A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410269235.4
申请日：2024-03-11
Applicant: 四会富仕电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电路板形成空腔的方法，包括以下步骤：按预设顺序把内层板和半固化片层叠后形成组合体，并在组合体中对应空腔的位置处进行镂空，形成镂空槽；在镂空槽内填充一铝片；按预设顺序通过PP片将组合体与外层板和/或外层铜箔压合成生产板，其中组合体和铝片位于生产板的内层；在生产板上对应铝片位置处钻孔，以在孔位处显露出铝片；将生产板浸泡于氢氧化钠溶液中，以溶解去除内层的铝片，以得到具有空腔的生产板。本发明方法通过在空腔内先填充铝片，以平衡压合时外界对空腔的压力，不使空腔向内凹陷，压合后再溶解去除铝片，实现电路板空腔的制作，成本低且加工简单。
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公开(公告)号：CN113584467B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202110882720.5
申请日：2021-08-02
Applicant: 四会富仕电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种提高光面铜结合力的方法，包括以下步骤：对铜表面进行等离子处理；将氨基硅烷偶联剂溶于溶剂中，形成混合溶液，且所述氨基硅烷偶联剂在混合溶液中的重量百分比为0.03％‑0.25％；将得到的混合溶液涂敷于铜表面上，而后使铜表面干燥；对涂敷了混合溶液的铜表面再次进行等离子处理。本发明方法采用氨基硅烷偶联剂作为键合剂，氨基分子端能与铜进行化学键合，硅烷端能与绝缘介质进行键合，实现光滑的铜面与树脂的高结合力，满足环保、成膜快速、成本低廉和易于批量生产的要求。
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公开(公告)号：CN116693127A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310866959.2
申请日：2023-07-14
Applicant: 四会富仕电子科技股份有限公司
IPC: C02F9/00 , C02F1/66 , C02F1/00 , C02F1/72 , C02F101/20
Abstract: 本发明公开了一种化学铜废液和棕化废液协同处理的方法，包括以下步骤：把电路板生产过程中的棕化废液与化学铜废液混合，得到混合废液；在混合废液中加入退膜废液，以将混合废液的PH值调节至4‑5；而后在混合废液中加入硫酸亚铁，以使混合废液进行芬顿氧化反应；芬顿氧化后，在混合废液中继续加入退膜废液，以将混合废液的PH值调节PH＝9‑11，并搅拌均匀，使混合废液中的铜离子转化为氢氧化铜沉淀；最后对混合废液进行压滤处理，分离得到达标废水和含铜沉淀物。本发明方法利用化学铜废液和棕化废液两者的特性，同时处理两种废液，且处理过程只需加入硫酸亚铁，成本低，加工流程短且简单。
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公开(公告)号：CN113038710B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202110243864.6
申请日：2021-03-05
Applicant: 四会富仕电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷基板的制作方法，在陶瓷基材的两表面上并对应线路图形的位置处均钻出若干个盲孔；对陶瓷基材的表面进行粗化处理；而后陶瓷基材依次经过沉铜和填孔电镀，以在陶瓷基材的表面上沉积一层铜层，并将所述盲孔填平，得到覆铜板；然后通过负片工艺或正片工艺在覆铜板上制作出外层线路，得到陶瓷基板。本发明方法先在陶瓷基材表面制作出盲孔，并通过填孔电镀填平，使镀铜层与陶瓷基材间形成嵌合结构，增加了铜层与陶瓷的结合力，并减少了盲孔间陶瓷层的厚度，从而增加了陶瓷基板的导热效率。
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公开(公告)号：CN112584627B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202011545233.1
申请日：2020-12-24
Applicant: 四会富仕电子科技股份有限公司
IPC: H05K3/38
Abstract: 本发明公开了一种用石墨烯对陶瓷表面粗化的方法及覆铜板的制作方法，所述用石墨烯对陶瓷表面粗化的方法包括以下步骤：将液相分散的石墨烯涂覆在陶瓷基材的表面上，而后挥发掉溶剂；将液碱涂覆在陶瓷基材的表面上；而后对陶瓷基材进行烘烤；然后对陶瓷基材进行超声波清洗，得到粗化后的陶瓷基材。本发明方法通过增加石墨烯对陶瓷表面进行保护后再粗化，使其表面形成微观的粗糙面，可大大提高陶瓷基材与金属覆盖层之间的结合力；并使利用该粗化后的陶瓷基材制作的覆铜板的结合力达到陶瓷基覆铜板的剥离强度要求。
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公开(公告)号：CN114411214A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210100949.3
申请日：2022-01-27
Applicant: 四会富仕电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种铜基板电镀铜的方法，包括以下步骤：采用无光泽剂的第一电镀液对铜基板进行电镀，以在铜基板上形成第一镀铜层；而后采用含光泽剂的第二电镀液对铜基板进行电镀，以在第一镀铜层上形成第二镀铜层。本发明通过优化工艺流程，先采用无光泽剂的电镀液进行电镀，铜离子沉积会沿着铜基材的结晶继续进行外延生长，成为单纯的铜结晶，从而在铜基材上电镀形成一层无杂质的第一镀铜层，再在第一镀铜层上采用含有光泽剂的电镀液进行电镀形成一层平整光亮的第二镀铜层，避免了电镀毛刺和针孔的问题，且本发明方法具有加工成本低、流程简单和效果好的特点。
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公开(公告)号：CN114158195A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111465495.1
申请日：2021-12-03
Applicant: 四会富仕电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种激光辅助制作精密线路的方法，包括以下步骤：提供一生产板，在生产板上所需制作的线路包括线路间距＞50μm的粗线路以及线路间距≤50μm的精密线路；在生产板上贴膜并进行曝光处理，完成粗线路和精密线路的曝光，且精密线路之间的间隙部分也全部被曝光；对生产板进行显影和蚀刻处理，蚀刻时的蚀刻量控制在大于线路铜厚的一半且不露底层基材；采用激光烧蚀精密线路之间的间隙部分，以去除精密线路间隙处的膜和部分铜层；再次对生产板进行蚀刻处理和退膜，在生产板上形成粗线路和精密线路。本发明通过优化工艺流程，依次采用激光烧蚀和化学蚀刻两种组合去铜的方式，可以实现间距≤50微米的精密线路的制作，材料及加工成本低，流程简单。
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公开(公告)号：CN113556876A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202010335610.2
申请日：2020-04-25
Applicant: 四会富仕电子科技股份有限公司
IPC: H05K3/06 , C02F9/04 , C02F101/30 , C02F103/34
Abstract: 本发明的目的是提供一种棕化废液再利用为超粗化处理的药水并且处置废液的方法，在棕化废液加入的氯离子浓度20‑100ppm，就可以起到明显去除有机氧化膜的作用而得到超粗化的铜面，在使用完的棕化废液中加入硫酸亚铁进行曝气，进行芬顿反应去除有机缓蚀剂和稳定剂。
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