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公开(公告)号：CN113584467B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202110882720.5
申请日：2021-08-02
Applicant: 四会富仕电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种提高光面铜结合力的方法，包括以下步骤：对铜表面进行等离子处理；将氨基硅烷偶联剂溶于溶剂中，形成混合溶液，且所述氨基硅烷偶联剂在混合溶液中的重量百分比为0.03％‑0.25％；将得到的混合溶液涂敷于铜表面上，而后使铜表面干燥；对涂敷了混合溶液的铜表面再次进行等离子处理。本发明方法采用氨基硅烷偶联剂作为键合剂，氨基分子端能与铜进行化学键合，硅烷端能与绝缘介质进行键合，实现光滑的铜面与树脂的高结合力，满足环保、成膜快速、成本低廉和易于批量生产的要求。
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公开(公告)号：CN117062343A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311169677.3
申请日：2023-09-11
Applicant: 四会富仕电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种载板的制作方法，包括以下步骤：在芯板的表面层叠半固化片后采用快速压合的方式进行压合，以使半固化片处于具有可流动性的预固化状态；在半固化片的预固化状态下，剥离半固化片中的玻纤布，以在芯板表面附着一层树脂层；在生产板的表面层叠P I膜后进行压合；在生产板上采用激光钻出盲孔，盲孔穿透P I膜和树脂层并显露出内层的线路层；采用离子束溅射的方式在盲孔的孔壁上和P I膜的表面上均溅射上一层铜层；对生产板进行电镀，以加厚孔铜厚度和表面铜层厚度。本发明方法通过采用替代的绝缘材料和优化了制作工艺，避免使用高成本的ABF绝缘材料，降低线路板的工艺成本，并可满足铜箔厚度小于9微米的I C载板的制作要求和高性能要求。
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公开(公告)号：CN113584467A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110882720.5
申请日：2021-08-02
Applicant: 四会富仕电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种提高光面铜结合力的方法，包括以下步骤：对铜表面进行等离子处理；将氨基硅烷偶联剂溶于溶剂中，形成混合溶液，且所述氨基硅烷偶联剂在混合溶液中的重量百分比为0.03％‑0.25％；将得到的混合溶液涂敷于铜表面上，而后使铜表面干燥；对涂敷了混合溶液的铜表面再次进行等离子处理。本发明方法采用氨基硅烷偶联剂作为键合剂，氨基分子端能与铜进行化学键合，硅烷端能与绝缘介质进行键合，实现光滑的铜面与树脂的高结合力，满足环保、成膜快速、成本低廉和易于批量生产的要求。
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