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公开(公告)号：CN113584467A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110882720.5
申请日：2021-08-02
Applicant: 四会富仕电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种提高光面铜结合力的方法，包括以下步骤：对铜表面进行等离子处理；将氨基硅烷偶联剂溶于溶剂中，形成混合溶液，且所述氨基硅烷偶联剂在混合溶液中的重量百分比为0.03％‑0.25％；将得到的混合溶液涂敷于铜表面上，而后使铜表面干燥；对涂敷了混合溶液的铜表面再次进行等离子处理。本发明方法采用氨基硅烷偶联剂作为键合剂，氨基分子端能与铜进行化学键合，硅烷端能与绝缘介质进行键合，实现光滑的铜面与树脂的高结合力，满足环保、成膜快速、成本低廉和易于批量生产的要求。
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公开(公告)号：CN113699510A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111006379.3
申请日：2021-08-30
Applicant: 四会富仕电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种选择性化学镀厚金的方法，包括以下步骤：对经过化学镍加工后的生产板进行化学镀金处理，进行置换镀金，在焊盘表面沉积一层厚度为0.01～0.02μm的薄金层；在生产板上贴抗镀膜，并在抗镀膜上进行开窗，使需进行选择性镀厚金的焊盘部分显露；对生产板进行化学镀厚金处理，进行还原型化学镀金，在焊盘表面的薄金层上沉积一层厚度≥0.2μm的厚金层；褪去抗镀膜后再次进行化学镀厚金处理，使生产板上厚金层的厚度≥0.3μm，薄金层的厚度≥0.1μm。本发明方法在薄金沉积之后再利用镍层起到催化还原的作用产生电子进行两次化学厚金沉积，使形成的镀金层覆盖致密，在需要的地方选择性镀上厚金，能适应多种连接要求，适用范围广，成本低。
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公开(公告)号：CN113699510B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202111006379.3
申请日：2021-08-30
Applicant: 四会富仕电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种选择性化学镀厚金的方法，包括以下步骤：对经过化学镍加工后的生产板进行化学镀金处理，进行置换镀金，在焊盘表面沉积一层厚度为0.01～0.02μm的薄金层；在生产板上贴抗镀膜，并在抗镀膜上进行开窗，使需进行选择性镀厚金的焊盘部分显露；对生产板进行化学镀厚金处理，进行还原型化学镀金，在焊盘表面的薄金层上沉积一层厚度≥0.2μm的厚金层；褪去抗镀膜后再次进行化学镀厚金处理，使生产板上厚金层的厚度≥0.3μm，薄金层的厚度≥0.1μm。本发明方法在薄金沉积之后再利用镍层起到催化还原的作用产生电子进行两次化学厚金沉积，使形成的镀金层覆盖致密，在需要的地方选择性镀上厚金，能适应多种连接要求，适用范围广，成本低。
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公开(公告)号：CN113015343B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110458691.X
申请日：2021-04-27
Applicant: 四会富仕电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种层间交叉线连接结构的制作方法及电路板，所述制作方法包括以下步骤：在绝缘基材的第一面上制作出相连通的第一连接线槽和第一线路槽，在绝缘基材的第二面上制作出相连通第二连接线槽和第二线路槽，第一、第二连接线槽的深度≥绝缘基材厚度的1/2，第一、第二线路槽的深度小于绝缘基材厚度的1/2；第一、第二连接线槽交叉设置，以使两连接线槽的重叠区域形成通孔；对绝缘基材进行沉铜处理，通过磨板除去表面上的铜层；然后通过沉镍沉积一层镍层，并通过研磨使线路表面平整，制得精密线路。本发明采用激光烧蚀出两交叉线槽，并在两交叉线槽的重叠区域形成通孔的方式，让层间连接的通孔所占用的面积大大减小，适用于IC载板的层间连接。
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公开(公告)号：CN113068311A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110291328.3
申请日：2021-03-18
Applicant: 四会富仕电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种精密线路的制作方法及电路板，所述制作方法包括以下步骤：在绝缘基材的表面上用激光烧蚀出线路槽；通过化学沉铜在绝缘基材的表面和线路槽上沉积一层铜层；而后通过磨板除去绝缘基材表面上的铜层；然后通过化学沉镍在线路槽的铜层上沉积一层镍层，使线路槽被填平，并通过研磨使线路表面平整，制得精密线路。本发明方法通过优化工艺流程，省去了干膜、曝光、显影、药水蚀刻和镀铜等流程，可制作出线路和线距均小于30μm的超精密线路，同时优化生产流程，提高了生产效率和成品合格率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113038710A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110243864.6
申请日：2021-03-05
Applicant: 四会富仕电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷基板的制作方法，在陶瓷基材的两表面上并对应线路图形的位置处均钻出若干个盲孔；对陶瓷基材的表面进行粗化处理；而后陶瓷基材依次经过沉铜和填孔电镀，以在陶瓷基材的表面上沉积一层铜层，并将所述盲孔填平，得到覆铜板；然后通过负片工艺或正片工艺在覆铜板上制作出外层线路，得到陶瓷基板。本发明方法先在陶瓷基材表面制作出盲孔，并通过填孔电镀填平，使镀铜层与陶瓷基材间形成嵌合结构，增加了铜层与陶瓷的结合力，并减少了盲孔间陶瓷层的厚度，从而增加了陶瓷基板的导热效率。
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公开(公告)号：CN113015343A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110458691.X
申请日：2021-04-27
Applicant: 四会富仕电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种层间交叉线连接结构的制作方法及电路板，所述制作方法包括以下步骤：在绝缘基材的第一面上制作出相连通的第一连接线槽和第一线路槽，在绝缘基材的第二面上制作出相连通第二连接线槽和第二线路槽，第一、第二连接线槽的深度≥绝缘基材厚度的1/2，第一、第二线路槽的深度小于绝缘基材厚度的1/2；第一、第二连接线槽交叉设置，以使两连接线槽的重叠区域形成通孔；对绝缘基材进行沉铜处理，通过磨板除去表面上的铜层；然后通过沉镍沉积一层镍层，并通过研磨使线路表面平整，制得精密线路。本发明采用激光烧蚀出两交叉线槽，并在两交叉线槽的重叠区域形成通孔的方式，让层间连接的通孔所占用的面积大大减小，适用于IC载板的层间连接。
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公开(公告)号：CN112423491A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202110000924.1
申请日：2021-01-04
Applicant: 四会富仕电子科技股份有限公司
IPC: H05K3/42
Abstract: 本发明公开了一种PTFE电路板孔金属化的方法，所述的方法包括以下步骤：溶解了石墨烯的酒精溶液实现了对PTFE材料的浸润，挥发掉酒精后石墨烯附着在PTFE材料表面，实现对PTFE材料表面的导电性改善和增加了水的润湿性，从而化学铜可以沉积在改性的PTFE表面上，最后电镀加厚镀铜，实现了PTFE电路板的孔金属化。
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公开(公告)号：CN113584467B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202110882720.5
申请日：2021-08-02
Applicant: 四会富仕电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种提高光面铜结合力的方法，包括以下步骤：对铜表面进行等离子处理；将氨基硅烷偶联剂溶于溶剂中，形成混合溶液，且所述氨基硅烷偶联剂在混合溶液中的重量百分比为0.03％‑0.25％；将得到的混合溶液涂敷于铜表面上，而后使铜表面干燥；对涂敷了混合溶液的铜表面再次进行等离子处理。本发明方法采用氨基硅烷偶联剂作为键合剂，氨基分子端能与铜进行化学键合，硅烷端能与绝缘介质进行键合，实现光滑的铜面与树脂的高结合力，满足环保、成膜快速、成本低廉和易于批量生产的要求。
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公开(公告)号：CN113038710B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202110243864.6
申请日：2021-03-05
Applicant: 四会富仕电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷基板的制作方法，在陶瓷基材的两表面上并对应线路图形的位置处均钻出若干个盲孔；对陶瓷基材的表面进行粗化处理；而后陶瓷基材依次经过沉铜和填孔电镀，以在陶瓷基材的表面上沉积一层铜层，并将所述盲孔填平，得到覆铜板；然后通过负片工艺或正片工艺在覆铜板上制作出外层线路，得到陶瓷基板。本发明方法先在陶瓷基材表面制作出盲孔，并通过填孔电镀填平，使镀铜层与陶瓷基材间形成嵌合结构，增加了铜层与陶瓷的结合力，并减少了盲孔间陶瓷层的厚度，从而增加了陶瓷基板的导热效率。
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