公开(公告)号：CN103403840A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280011792.1

申请日：2012-05-10

Applicant: 先进动力设备技术研究协会

Inventor： 古川拓也 ,  加藤祯宏 ,  岩见正之 ,  内海诚

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/06 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种具有降低位错密度的缓冲层的半导体元件。该半导体元件包括：衬底，在衬底上方形成的缓冲区域，在缓冲区域上形成的活性层，以及在活性层上形成的至少2个电极；缓冲区域至少具有一层依次层积具有第1晶格常数的第1半导体层，具有与第1晶格常数不同的第2的晶格常数的第2半导体层，具有第1晶格常数和第2的晶格常数之间的第3晶格常数的第3半导体层得到的复合层。

公开(公告)号：CN103681832A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310288724.6

申请日：2013-07-10

Applicant: 先进动力设备技术研究协会

Inventor： 古川拓也 ,  品川达志 ,  岩见正之 ,  梅野和行 ,  加藤祯宏

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/04 ,  H01L29/15 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明的课题是提供抑制了漏电的氮化物系化合物半导体元件及其制造方法。该氮化物系化合物半导体元件具备：基板；在所述基板上形成的包含多层复合层的缓冲层，该复合层层叠有由氮化物系化合物半导体构成的第1层，和晶格常数比所述第1层小的、由含有铝的氮化物系化合物半导体构成的第2层；在所述缓冲层上形成的半导体工作层；以及在所述半导体工作层上形成的多个电极。所述第2层的至少一层添加了氧。

公开(公告)号：CN103531625A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310278096.3

申请日：2013-07-04

Applicant: 先进动力设备技术研究协会

Inventor： 岩见正之 ,  古川拓也

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/26546 ,  H01L29/155 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种漏电流低、且减少了电流崩塌现象的氮化物系化合物半导体元件。其具备：基板；在所述基板上隔着缓冲层而形成的第1氮化物系化合物半导体层；形成于所述第1氮化物系化合物半导体层上的、具有比该第1氮化物系化合物半导体的带隙大的带隙的第2氮化物系化合物半导体层；形成于所述第2氮化物系化合物半导体层上的电极。所述第2氮化物系化合物半导体层在表面附近具有掺杂了碳的区域。

公开(公告)号：CN103022120A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210334383.7

申请日：2012-09-11

Applicant: 先进动力设备技术研究协会

Inventor： 岩见正之 ,  古川拓也

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/04 ,  H01L29/207 ,  H01L21/335 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体元件及其制造方法，所述氮化物半导体元件耐压高，且能有效地降低漏电流。该氮化物半导体元件，具有：基底基板；缓冲层，形成在基底基板的上方；活性层，形成在缓冲层上；以及至少两个电极，形成在活性层的上方，缓冲层具有1层以上的复合层，该复合层包含晶格常数不同的多个氮化物半导体层；复合层的至少1层中，在多个氮化物半导体层中的晶格常数最大的氮化物半导体层中的载流子区域，有意图地掺杂预先设定的浓度的碳原子和预先设定的浓度的氧原子。

公开(公告)号：CN103460360A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280007384.9

申请日：2012-05-10

Applicant: 先进动力设备技术研究协会

Inventor： 古川拓也 ,  加藤祯宏 ,  岩见正之 ,  内海诚

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/201 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明提供可厚膜化、翘曲小、且漏泄电流小的半导体元件。其包括：基板、在基板的上方形成的第一缓冲区、在第一缓冲区上形成的第二缓冲区、在第二缓冲区上形成的活性层、在活性层上形成的至少两个电极；第一缓冲区至少包括一层依次层积有第一半导体层、第二半导体层的复合层；第二缓冲区至少包括一层依次层积有第三半导体层、第四半导体层、第五半导体层的复合层；第四半导体层的晶格常数具有第三半导体层与第五半导体层之间的晶格常数。

公开(公告)号：CN103430295A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280011372.3

申请日：2012-05-10

Applicant: 先进动力设备技术研究协会

Inventor： 古川拓也 ,  加藤祯宏 ,  岩见正之 ,  内海诚 ,  梅野和行

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/201 ,  H01L29/7787

Abstract: 提供减少了漏电流的氮化物类半导体元件及其制造方法。提供一种半导体元件，其包括衬底,在衬底上方形成的缓冲区,在缓冲区上形成的活性层,在活性层上形成的至少2个电极，缓冲区包括晶格常数不同的多个半导体层，在缓冲区表面提供比衬底背面低的电位，使衬底背面与缓冲区表面之间的电压在与缓冲区的膜厚相应的范围变化时的衬底背面与缓冲区表面之间的电容大体上固定。

公开(公告)号：CN103348479A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201280007853.7

申请日：2012-04-13

Applicant: 先进动力设备技术研究协会

Inventor： 内海诚 ,  加藤祯宏 ,  岩见正之 ,  古川拓也

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/15 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 提供一种半导体器件，其具备：基板；通道层，其设置在基板上，由第1氮化物系化合物半导体构成；阻挡层，其设置在通道层上；第1电极，其设置在阻挡层上；以及第2电极，其设置在通道层的上方，阻挡层具有：势垒层，其设置在通道层上、由比第1氮化物系化合物半导体带隙能量大的第2氮化物系化合物半导体构成；和量子能级层，其由比第2氮化物系化合物半导体带隙能量小的第3氮化物系化合物半导体构成，形成了量子能级。

公开(公告)号：CN103262214A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201280004156.6

申请日：2012-01-23

Applicant: 先进动力设备技术研究协会

Inventor： 岩见正之 ,  古川拓也

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7787

Abstract: GaN系半导体在晶面方位为(111)的硅基板上外延生长。GaN的晶格常数与硅(111)面的晶格常数之差大、约为17%，所以被生长的GaN中导入超过1010cm-2的位错。由于位错、使用GaN的晶体管的漏泄电流增大。另外，晶体管的迁移率降低。本发明公开了一种半导体基板，具有硅基板与在硅基板的(150)面上外延生长的氮化物半导体层。