公开(公告)号：CN103715274A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310286524.7

申请日：2013-07-09

Applicant: 先进动力设备技术研究协会

Inventor： 伊仓巧裕

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明的课题是提供抑制耐压性的降低的同时有效地抑制了漏电流的半导体装置。其具备：在基板上形成的，由III族氮化物系化合物半导体构成的电子传输层；在所述电子传输层上形成的，由带隙能量比所述电子传输层高的III族氮化物系化合物半导体构成的电子供给层；在所述电子供给层上形成的，由带隙能量比所述电子供给层低的非p型的III族氮化物系化合物半导体构成的场板层；以与在所述电子传输层的与所述电子供给层的界面产生的二维电子气层欧姆接触的方式形成的第1电极；以与所述二维电子气层以肖特基接触的方式形成的第2电极，在所述场板层的侧壁，所述第2电极与在所述场板层的与所述电子供给层的界面产生的二维空穴气欧姆接触。