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公开(公告)号：CN1337600A
公开(公告)日：2002-02-27
申请号：CN01142117.7
申请日：2001-09-13
Applicant: 信息产业部电子第十三研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种用一次光刻产生T形栅的移相掩模光刻方法,它涉及半导体器件中的微光刻方法。它采用计算机对移相掩模的图形尺寸,进行光刻工艺模拟和优化设计,仅用一块由三个光学位相差互为180°的透明窗口构成的T形栅移相掩模,只需单层正性光刻胶,仅用一次曝光、显影即可产生T形栅光刻胶剖面结构。本发明方法可以大大简化T形栅的制造工艺,因此具有制造工艺简单、周期短,生产效率高,成本低、性能好等特点,特别适用于各种亚微米、深亚微米量级的化合物半导体和集成电路器件的生产制造。
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公开(公告)号：CN1333542A
公开(公告)日：2002-01-30
申请号：CN01142036.7
申请日：2001-09-07
Applicant: 信息产业部电子第十三研究所
IPC: H01H29/22
Abstract: 本发明公开了一种水银式微机械惯性开关制造方法,涉及传感器领域中的一种微机械开关器件装置的制造。它采用水银腔体中的水银珠在承受加速度时,当加速度达到一定阀值,水银珠通过沟道运动到空腔体中,接通电极,达到开关作用。本发明还具有无源工作,性能可靠,工艺简单成熟,制造成本低廉,采用微电子加工技术,便于批量生产,该方法生产的器件还具有体积小、重量轻,使用方便等特点。特别适用于炮弹、导弹引信上作引信惯性保险开关装置及作民用产品惯件开关装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN1320955A
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：CN01115889.1
申请日：2001-05-14
Applicant: 信息产业部电子第十三研究所
IPC: H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种量子线场效应晶体管结构材料及器件制备方法。该方法具有工艺简单,可重复性强,制造成本低等特点。量子线结构材料是利用分子束外延设备,通过控制生长温度、元素蒸气压比、生长速率和生长时间等条件自组织实现的,它不涉及光刻、外延层腐蚀等复杂工艺,具有高密度、高均匀性及良好的一维特性。理论上,量子线场效应管具有超高速、低功耗等优良性能,是微电子学的重要研究领域。
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公开(公告)号：CN1165062C
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN01142036.7
申请日：2001-09-07
Applicant: 信息产业部电子第十三研究所
IPC: H01H29/22
Abstract: 本发明公开了一种水银式微机械惯性开关制造方法，涉及传感器领域中的一种微机械开关器件装置的制造。它采用水银腔体中的水银珠在承受加速度时，当加速度达到一定阀值，水银珠通过沟道运动到空腔体中，接通电极，达到开关作用。本发明还具有无源工作，性能可靠，工艺简单成熟，制造成本低廉，采用微电子加工技术，便于批量生产，该方法生产的器件还具有体积小、重量轻，使用方便等特点。特别适用于炮弹、导弹引信上作引信惯性保险开关装置及作民用产品惯性开关装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN1158570C
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN01142117.7
申请日：2001-09-13
Applicant: 信息产业部电子第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种用一次光刻产生T形栅的移相掩模光刻方法，它涉及半导体器件中的微光刻方法。它采用计算机对移相掩模的图形尺寸，进行光刻工艺模拟和优化设计，仅用一块由三个光学位相差互为180°的透明窗口构成的T形栅移相掩模，只需单层正性光刻胶，仅用一次曝光、显影即可产生T形栅光刻胶剖面结构。本发明方法可以大大简化T形栅的制造工艺，因此具有制造工艺简单、周期短，生产效率高，成本低、性能好等特点，特别适用于各种亚微米、深亚微米量级的化合物半导体和集成电路器件的生产制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1123922C
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN01115889.1
申请日：2001-05-14
Applicant: 信息产业部电子第十三研究所
IPC: H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种量子线场效应晶体管的制备方法。该方法具有工艺简单，可重复性强，制造成本低等特点。量子线结构材料是利用分子束外延设备，通过控制生长温度、元素蒸气压比、生长速率和生长时间等条件自组织实现的，它不涉及光刻、外延层腐蚀等复杂工艺，具有高密度、高均匀性及良好的一维特性。理论上，量子线场效应管具有超高速、低功耗等优良性能，是微电子学的重要研究领域。
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公开(公告)号：CN1123913C
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN01110768.5
申请日：2001-04-20
Applicant: 信息产业部电子第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种分子束外延自组织生长量子线的制备方法。它利用分子束外延技术和高面指数衬底本身不平整性的特点，在控制好一定的生长温度、元素蒸气压比、生长速率和生长时间等生长条件下，在分子束外延设备中自组织一次外延制备量子线材料。它不涉及光刻、外延层腐蚀等复杂工艺，制备工艺简单，可重复性强，制造成本低。利用本方法制备的量子线具有高密度、高均匀性及良好的一维特性。可应用于固体光电子和微电子等器件。
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公开(公告)号：CN1110065C
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN00105221.7
申请日：2000-04-05
Applicant: 信息产业部电子第十三研究所
IPC: H01L21/027 , H01L21/28 , H01L21/31
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件栅帽与栅足自对准的T形栅加工方法，它用普通工艺设备，采用双层光刻胶，利用两种介质腐蚀速率差异大的特性，反应离子刻蚀后，去除腐蚀速率快的介质，由腐蚀速率慢的介质和光刻胶构成栅窗口。一次光刻，不用套刻，剥离后获得栅帽与栅足自对准、左右对称的T形栅，栅长最小可达0.1μm，降低了制版精度、光刻难度和加工成本，特别适合2英寸以上大圆片半导体器件研制生产，可推广应用。
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公开(公告)号：CN1273434A
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：CN00105221.7
申请日：2000-04-05
Applicant: 信息产业部电子第十三研究所
IPC: H01L21/027 , H01L21/28 , H01L21/31
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件栅帽与栅足自对准的T形栅加工方法,它用普通工艺设备,采用双层光刻胶,利用两种介质腐蚀速率差异大的特性,反应离子刻蚀后,去除腐蚀速率快的介质,由腐蚀速率慢的介质和光刻胶构成栅窗口。一次光刻,不用套刻,剥离后获得栅帽与栅足自对准、左右对称的T形栅,栅长最小可达0.1μm,降低了制版精度、光刻难度和加工成本,特别适合2英寸以上大圆片半导体器件研制生产,可推广应用。
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公开(公告)号：CN1326090A
公开(公告)日：2001-12-12
申请号：CN01129222.9
申请日：2001-06-15
Applicant: 清华大学 , 信息产业部电子第十三研究所
Abstract: 本发明属于传感器技术领域。采用两股速度相反的完全相同的由驱动器振动膜和喷口构成的合成喷射流源,一对或者多对加热热敏传感器对称布置在合成喷射流的中心线两侧,该热敏传感器的位置位于喷口直径9－15倍距离外。本发明无论在匀角速度和非匀角速度情况下,都能顺利地检测角速度,结构简单,寿命长,可以采用微加工技术,加工方便,成本低。灵敏度和分辨率较高。本发明适合于不同场合下的应用,特别是工作环境恶劣的情况。
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