公开(公告)号：CN1158570C

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN01142117.7

申请日：2001-09-13

Applicant: 信息产业部电子第十三研究所

Inventor： 韩安云 ,  张倩 ,  王维军 ,  王育中 ,  田振文 ,  樊照田

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/00 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种用一次光刻产生T形栅的移相掩模光刻方法，它涉及半导体器件中的微光刻方法。它采用计算机对移相掩模的图形尺寸，进行光刻工艺模拟和优化设计，仅用一块由三个光学位相差互为180°的透明窗口构成的T形栅移相掩模，只需单层正性光刻胶，仅用一次曝光、显影即可产生T形栅光刻胶剖面结构。本发明方法可以大大简化T形栅的制造工艺，因此具有制造工艺简单、周期短，生产效率高，成本低、性能好等特点，特别适用于各种亚微米、深亚微米量级的化合物半导体和集成电路器件的生产制造。

公开(公告)号：CN1337600A

公开(公告)日：2002-02-27

申请号：CN01142117.7

申请日：2001-09-13

Applicant: 信息产业部电子第十三研究所

Inventor： 韩安云 ,  张倩 ,  王维军 ,  王育中 ,  田振文 ,  樊照田

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种用一次光刻产生T形栅的移相掩模光刻方法,它涉及半导体器件中的微光刻方法。它采用计算机对移相掩模的图形尺寸,进行光刻工艺模拟和优化设计,仅用一块由三个光学位相差互为180°的透明窗口构成的T形栅移相掩模,只需单层正性光刻胶,仅用一次曝光、显影即可产生T形栅光刻胶剖面结构。本发明方法可以大大简化T形栅的制造工艺,因此具有制造工艺简单、周期短,生产效率高,成本低、性能好等特点,特别适用于各种亚微米、深亚微米量级的化合物半导体和集成电路器件的生产制造。