公开(公告)号：CN1320955A

公开(公告)日：2001-11-07

申请号：CN01115889.1

申请日：2001-05-14

Applicant: 信息产业部电子第十三研究所

Inventor： 阎发旺 ,  梁春广 ,  张文俊 ,  李献杰 ,  张荣桂 ,  曾庆明 ,  熬金平 ,  刘伟吉

IPC: H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种量子线场效应晶体管结构材料及器件制备方法。该方法具有工艺简单,可重复性强,制造成本低等特点。量子线结构材料是利用分子束外延设备,通过控制生长温度、元素蒸气压比、生长速率和生长时间等条件自组织实现的,它不涉及光刻、外延层腐蚀等复杂工艺,具有高密度、高均匀性及良好的一维特性。理论上,量子线场效应管具有超高速、低功耗等优良性能,是微电子学的重要研究领域。

公开(公告)号：CN1312583A

公开(公告)日：2001-09-12

申请号：CN01110768.5

申请日：2001-04-20

Applicant: 信息产业部电子第十三研究所

Inventor： 阎发旺 ,  张文俊 ,  张荣桂 ,  梁春广

IPC: H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明公开了一种分子束外延自组织生长量子线结构材料制备方法。它利用分子束外延技术和高面指数衬底本身不平整性的特点,在控制好一定的生长温度、元素蒸气压比、生长速率和生长时间等生长条件下,在分子束外延设备中自组织一次外延制备量子线结构材料。它不涉及光刻、外延层腐蚀等复杂工艺,制备工艺简单,可重复性强,制造成本低。利用本方法制备的量子线具有高密度、高均匀性及良好的一维特性。可应用于固体光电子和微电子等器件。

公开(公告)号：CN1123922C

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN01115889.1

申请日：2001-05-14

Applicant: 信息产业部电子第十三研究所

Inventor： 阎发旺 ,  梁春广 ,  张文俊 ,  李献杰 ,  张荣桂 ,  曾庆明 ,  熬金平 ,  刘伟吉

IPC: H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种量子线场效应晶体管的制备方法。该方法具有工艺简单，可重复性强，制造成本低等特点。量子线结构材料是利用分子束外延设备，通过控制生长温度、元素蒸气压比、生长速率和生长时间等条件自组织实现的，它不涉及光刻、外延层腐蚀等复杂工艺，具有高密度、高均匀性及良好的一维特性。理论上，量子线场效应管具有超高速、低功耗等优良性能，是微电子学的重要研究领域。

公开(公告)号：CN1123913C

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN01110768.5

申请日：2001-04-20

Applicant: 信息产业部电子第十三研究所

Inventor： 阎发旺 ,  张文俊 ,  张荣桂 ,  梁春广

IPC: H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明公开了一种分子束外延自组织生长量子线的制备方法。它利用分子束外延技术和高面指数衬底本身不平整性的特点，在控制好一定的生长温度、元素蒸气压比、生长速率和生长时间等生长条件下，在分子束外延设备中自组织一次外延制备量子线材料。它不涉及光刻、外延层腐蚀等复杂工艺，制备工艺简单，可重复性强，制造成本低。利用本方法制备的量子线具有高密度、高均匀性及良好的一维特性。可应用于固体光电子和微电子等器件。