公开(公告)号：CN1320955A

公开(公告)日：2001-11-07

申请号：CN01115889.1

申请日：2001-05-14

Applicant: 信息产业部电子第十三研究所

Inventor： 阎发旺 ,  梁春广 ,  张文俊 ,  李献杰 ,  张荣桂 ,  曾庆明 ,  熬金平 ,  刘伟吉

IPC: H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种量子线场效应晶体管结构材料及器件制备方法。该方法具有工艺简单,可重复性强,制造成本低等特点。量子线结构材料是利用分子束外延设备,通过控制生长温度、元素蒸气压比、生长速率和生长时间等条件自组织实现的,它不涉及光刻、外延层腐蚀等复杂工艺,具有高密度、高均匀性及良好的一维特性。理论上,量子线场效应管具有超高速、低功耗等优良性能,是微电子学的重要研究领域。

公开(公告)号：CN1123922C

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN01115889.1

申请日：2001-05-14

Applicant: 信息产业部电子第十三研究所

Inventor： 阎发旺 ,  梁春广 ,  张文俊 ,  李献杰 ,  张荣桂 ,  曾庆明 ,  熬金平 ,  刘伟吉

IPC: H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种量子线场效应晶体管的制备方法。该方法具有工艺简单，可重复性强，制造成本低等特点。量子线结构材料是利用分子束外延设备，通过控制生长温度、元素蒸气压比、生长速率和生长时间等条件自组织实现的，它不涉及光刻、外延层腐蚀等复杂工艺，具有高密度、高均匀性及良好的一维特性。理论上，量子线场效应管具有超高速、低功耗等优良性能，是微电子学的重要研究领域。