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公开(公告)号：CN111285401A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010177721.5
申请日：2020-03-13
Applicant: 燕山大学
IPC: C01G41/00
Abstract: 本发明公开了一种锰掺杂单层二硫化钨二维晶体的制备方法，属于无机半导体纳米材料制备领域。该Mn掺杂单层WS2二维晶体的制备方法为：以MnO2、NaCl、WO3、S为原料，在三温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，通过化学气相沉积的方式制备得到Mn掺杂单层WS2二维晶体。本实验室生长的本征WS2形貌多为规则的正三角形，Mn掺杂后的WS2样品的光学图像出现明显的衬度差，并且会有部分不规则的多角形出现。本发明操作简单，成本低廉，对仪器设备要求低，合成的样品化学及热力学稳定性好。所制备的样品在电子、传感器、探测器等光电及稀磁半导体方面有着巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN110436928A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910790880.X
申请日：2019-08-26
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了高性能纳米孪晶碳化硼陶瓷块体材料及其制备方法，方法为：以纳米碳化硼粉体为原料（1）通过放电等离子体烧结方法合成纳米孪晶碳化硼块体；（2）通过热压烧结方法合成纳米孪晶碳化硼块材；（3）通过高温高压合成纳米孪晶碳化硼块材,合成得到的纳米孪晶碳化硼块体材料的硬度为30-55GPa，断裂韧性为4.0-8.0 MPa m1/2,抗弯曲强度为500-850MPa，孪晶宽度为1-100nm，晶粒粒径为10nm-10μm，致密度95-100%，具有更高的致密度、比强度、高硬度和高断裂韧性的特性，作为一种超硬材料，可应用在轻质装甲、防弹装备，切削工具和钻头、耐高温结构部件等方面，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN110342943A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910651003.4
申请日：2019-07-18
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/583 , C04B35/5831 , C04B35/5833 , C04B35/5835 , B23D79/00
Abstract: 本发明公开了工业压力下合成无粘结剂聚晶氮化硼块材的方法及其应用，属于聚晶氮化硼合成领域，方法主要包括将cBN、hBN、oBN、pBN中的任意一种或任意几种粉末混合进行提纯、真空加热预处理后预制成柱状坯体，再在高温和工业压力下处理得到聚晶氮化硼块材；应用主要在于加工制备成切削刀具，实现对铁基材料以及硬质合金(WC)等高硬难加工材料的切削加工。本发明大幅降低合成压力，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN110330006A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910717722.1
申请日：2019-08-05
Applicant: 燕山大学
IPC: C01B32/05
Abstract: 本发明涉及新型sp2-sp3杂化的Gradia碳及其制备方法，属于新型碳材料的技术领域。本发明以sp2杂化碳为碳原料，在高温高压合成条件下制备出一种基本结构单元由sp2杂化的类石墨结构单元和sp3杂化的类金刚石结构单元构成的新型sp2-sp3杂化晶体碳并将其命名为——Gradia碳。本发明所公开的Gradia碳是指一类新型sp2-sp3杂化的碳同素异形体，其晶体结构可根据其内部sp2和sp3结构单元的宽度不同而改变。
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公开(公告)号：CN104332555A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410467814.6
申请日：2014-09-15
Applicant: 燕山大学
Abstract: 一种碘填充的方钴矿热电材料，其是一种分子式为ImAnTxCo4-xSb12-yTey的物质，其中I是对方钴矿笼子进行填充的元素碘，A是选自碱金属、碱土金属及稀土金属的填充元素；T为Fe或Ni的一种，并且上述分子式满足0＜m≤1，0≤n＜1，0≤x＜3.5，0≤y≤1。本发明的制备方法主要是将原料各组分冷压成预制坯，再将预制坯经过三步高温高压过程。本发明首次制备出碘阴离子填充的Co4Sb12-型方钴矿热电材料，相比其它类型的填充元素，碘填充能更有效地降低热导率，也是迄今为止在方钴矿中具有最低热导率的材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103382025B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201310314469.8
申请日：2013-07-25
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开一种用液体射流法制备纳米洋葱碳的方法。其制备方法是：（1）使用炭黑为原料，将粒径为30-100nm的炭黑放入分析纯酒精中配制成1-30wt%浓度的悬浮液；（2）将悬浮液倒入超微粒化装置中循环处理，保持在压力100-150MPa循环运行50-1000次；（3）将产物溶液放进烘干箱中在45-55℃环境中放置3-6小时烘干，将干燥产物研磨成粉收集，得到粒径为5-50nm的纳米洋葱碳。本发明的原料价格低廉、反应条件温和、工艺简单、回收率高、纯度高、成本低，解决了目前纳米洋葱碳制备中存在的副产物多、不能大量制备等缺陷，易实现大规模生产,具有重大的经济价值。
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公开(公告)号：CN103569976A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210285274.0
申请日：2012-08-03
Applicant: 燕山大学
IPC: C01B21/064
CPC classification number: C01B21/0648 , B01J3/062 , B01J2203/0645 , B01J2203/066 , B82Y30/00 , C01P2002/60 , C01P2002/72 , C01P2004/02 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C04B35/5831 , C04B35/645 , C04B2235/52 , C04B2235/5409 , C04B2235/5454 , C04B2235/723 , C04B2235/781 , C04B2235/96
Abstract: 本发明涉及一种超高硬度纳米孪晶氮化硼块体材料及其制备方法。具体地，本发明公开了一种含高密度孪晶的纳米晶立方氮化硼块体材料及其合成方法，以纳米球形氮化硼(圆葱头结构)颗粒(优选地，粒径为5-70nm)为原料，通过高温高压合成了纳米孪晶氮化硼块体。所获的纳米孪晶氮化硼块的体积为1-2000mm3；维氏硬度为60-120GPa；晶粒尺寸为5-100nm。本发明与现有技术相比，所获得的纳米孪晶氮化硼块具有远高于普通立方氮化硼单晶体的硬度(普通立方氮化硼单晶的硬度仅为49GPa左右)，其最高的维氏硬度达到120GPa，与金刚石单晶的硬度相当。纳米孪晶氮化硼块在高速切削和精密与超精密加工等机械加工领域、磨料磨具和拉丝模及特种光学器件等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103382025A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201310314469.8
申请日：2013-07-25
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开一种用液体射流法制备纳米洋葱碳的方法。其制备方法是：（1）使用炭黑为原料，将粒径为30-100nm的炭黑放入分析纯酒精中配制成1-30wt%浓度的悬浮液；（2）将悬浮液倒入超微粒化装置中循环处理，保持在压力100-150MPa循环运行50-1000次；（3）将产物溶液放进烘干箱中在45-55℃环境中放置3-6小时烘干，将干燥产物研磨成粉收集，得到粒径为5-50nm的纳米洋葱碳。本发明的原料价格低廉、反应条件温和、工艺简单、回收率高、纯度高、成本低，解决了目前纳米洋葱碳制备中存在的副产物多、不能大量制备等缺陷，易实现大规模生产,具有重大的经济价值。
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公开(公告)号：CN101121521B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200710062279.6
申请日：2007-07-09
Applicant: 燕山大学
IPC: C01B35/00 , C01B31/00 , C01B21/082 , H01B1/00
Abstract: 本发明涉及一种粉末状B-C-N前驱物及其制备方法。所述B-C-N前驱物的化学成分为：B2～30at％，C30～50at％，N10～35at％；粉末状B-C-N前驱物为非晶结构，外观为黑色粉末状。该前驱物采用三聚氰胺的热解产物和三氯化硼为原料，经500～600℃和1400～1600℃两步高温热解过程制备获得，可用于高温高压条件下制备B-C-N化合物。B、C、N三种元素比例可控，粉末状B-C-N前驱物制备过程操作比较简单，成本相对低廉。
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公开(公告)号：CN101144188A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710062280.9
申请日：2007-07-09
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一种功能材料及其制备方法，特别是涉及一种正交结构BC3N晶体及其制备方法。其特征是：正交结构BC3N晶体的化学成分为：B 18～22at％，C 57～63at％，N 18～20at％。制备方法是：a.制备粉末状B－C－N前驱物；b.将粉末状B－C－N前驱物压成圆片样品(6)，装入小石墨坩埚中(5)，并以六方氮化硼片(7)填补上下端面空隙。然后依次放入叶蜡石套(3)和大石墨坩埚(2)中；最后将上述组装好的大石墨坩埚(2)放入叶蜡石正方体块中，c.将组装块在1400～1600℃高温和5～6GPa高压之下处理，保温10～60分钟后冷却至室温；d.将获得的产物经化学处理后，除去石墨和六方氮化硼，即得到黑色BC3N晶体颗粒。
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