一种超硬DLC涂层、铝合金、制备装备及制备方法

    公开(公告)号:CN111088478A

    公开(公告)日:2020-05-01

    申请号:CN201911382861.X

    申请日:2019-12-27

    Abstract: 本发明公开了一种超硬DLC涂层、铝合金、制备装备及制备方法,超硬DLC涂层包括由下到上依次设置的钛过渡层、碳化钛混合层、纳米结构超硬DLC层和第一DLC层,纳米结构超硬DLC层包括由下到上依次设置的第二DLC层和钛耦合层;通过设置合适的过渡层,能够过渡性缓解铝合金基体和纳米结构超硬DLC层组的硬度差距;钛耦合层可以减少采用阴极过滤电弧溅射得到的第二DLC层内应力,降低超硬涂层脱落概率;整个超硬DLC涂层厚度可以根据应用需要,通过调节纳米结构超硬DLC层的总厚度来控制;通过在铝合金基体上设置超硬DLC涂层,得到具有高硬度的铝合金成品,且超硬DLC涂层具有低内应力、高硬度、高结合力、低摩擦性。

    一种新型阴极电弧的颗粒过滤器

    公开(公告)号:CN111074215A

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201911382889.3

    申请日:2019-12-27

    Abstract: 本发明提供了一种新型阴极电弧的颗粒过滤器,包括管体,以及套设在管体外的螺线管或多个磁场线圈;还包括设置在管体内的挡环机构;所述挡环机构包括多个沿管体轴线方向排布的挡环,挡环与管体的轴线垂直,挡环具有供阴极电弧穿过的内孔,从前到后,挡环的内孔直径先逐渐减小后逐渐增大。该颗粒过滤器对宏观粒子的过滤能力强。

    远程等离子源变截面石英管结构优化设计方法及相关设备

    公开(公告)号:CN119293887B

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN202411800778.0

    申请日:2024-12-09

    Abstract: 本申请属于等离子源技术领域,公开了一种远程等离子源变截面石英管结构优化设计方法及相关设备,通过对微波远程等离子源进行二维建模、网格划分、设置材料参数和物理场、仿真模拟以及优化求解,实现了对石英管内表面形状的精确优化设计,解决了传统圆柱形石英管无法精细调控等离子体流动和分布的问题,具有提高电子密度分布均匀性、提高等离子体出口通量和提高功率利用率的优点;而且通过仿真分析进行优化设计,与采用实物试验的方式相比设计周期更短、设计成本更低。

    一种线性稳压电路及集成电路芯片

    公开(公告)号:CN119536443A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411672503.3

    申请日:2024-11-21

    Abstract: 本申请涉及稳压电路技术领域,具体提供了一种线性稳压电路及集成电路芯片,该线性稳压电路包括:电压调节模块,其输入端与电压输入端连接;补偿模块,与电压调节模块的输出端和电压输入端连接,其输出端为电压输出端,用于通过改变输出电流的方式补偿输出电压;差分采样模块,其输入端与电压输出端连接,其输出端与电压调节模块的输入端连接,用于对输出电压的变化进行采样和放大,以输出采样信号;电压调节模块用于根据输入电压调节输出电压的上限值和根据差分采样模块输出的采样信号调节输出电压;该线性稳压电路能够有效地避免出现由于单独使用电阻进行分压采样而导致输出波动的情况,从而有效地提高线性稳压电路的输出电压的精确性。

    参数组确定方法、装置及相关设备

    公开(公告)号:CN119089702B

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411555815.6

    申请日:2024-11-04

    Abstract: 本发明公开了一种参数组确定方法、装置及相关设备,涉及空心电感技术领域,其中参数组确定方法包括以下步骤:根据预设电感结构参数组获取符合正交试验表规则的多个网格划分参数组;获取多个第一仿真电感量和多个仿真等效电阻;获取第一优选参数组和第二优选参数组;根据第一优选参数组和第二优选参数组获取最优网格划分参数组。本申请的参数组确定方法能解决现有的空心电感电磁仿真过程难以快速确定对应于准确仿真结果的网格划分参数组,从而难以快速且准确地确定优选的电感结构的问题,能快速确定对应于准确仿真结果的网格划分参数组,从而能快速且准确地确定优选的电感结构。

    采用VDMOS器件的射频功率放大器及其调试方法

    公开(公告)号:CN119276232A

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN202411812436.0

    申请日:2024-12-10

    Abstract: 本申请属于电子通信技术领域,公开了一种采用VDMOS器件的射频功率放大器及其调试方法,使用VDMOS器件作为功放管,包括从前到后依次连接的射频输入端、功分模块、第一阻抗匹配模块、功放模块、第二阻抗匹配模块、功率合成模块和射频输出端;功放管为VDMOS器件,功分模块、第一阻抗匹配模块、功放模块、第二阻抗匹配模块和功率合成模块中任意相邻的两个模块之间均设置有隔直结构,解决了现有技术中射频功率放大器结构复杂、输出功率低、频率特性差等问题,具有结构精简、输出功率高、频率特性好、跨导高度线性、安全工作区大等优点。

    一种镀膜设备及镀膜方法
    87.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115821218B

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202211662102.0

    申请日:2022-12-23

    Abstract: 本申请涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种镀膜设备及镀膜方法,通过磁过滤器对由等离子体发生器生成的靶材等离子体射流进行呈电中性的粒子团簇的过滤处理后,由偏转通道的第一电极板吸附带负电的电子,通过正对偏转通道出口的第三电极板吸附由于惯性而撞向第三电极板的带负电的粒子团簇,并由位于偏转通道出口上方的一侧的第四电极板使带正电的离子转向并加速射入镀膜室以对被镀工件进行镀膜,由于沉积在被镀工件的表面上均是带正电的离子(避免了粒子团簇对镀膜的影响),从而提高镀膜质量。

    一种射频功分器
    88.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118554910A

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202410561004.0

    申请日:2024-05-08

    Abstract: 本申请属于电子通信技术领域,公开了一种射频功分器,包括PCB板、第一射频连接器、第一平衡补偿电路、两个第二平衡补偿电路以及四个第二射频连接器;第一平衡补偿电路与第一射频连接器和第二平衡补偿电路连接,每个第二平衡补偿电路与两个第二射频连接器连接;第一平衡补偿电路用于对第一射频连接器输入的射频信号进行相位补偿后均分为两路能量相等的射频信号输入至两个第二平衡补偿电路,第二平衡补偿电路用于对进入的射频信号进行相位补偿后,均分为两路能量相等的射频信号从对应的两个第二射频连接器输出;从第一射频连接器分别到四个第二射频连接器的四路传输路径一致;从而能够有效减小发热和减小插损,进而提高输出功率和输出效率。

    印制电感及其装配方法
    89.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118280699A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202410583130.6

    申请日:2024-05-11

    Abstract: 本发明公开了一种印制电感及其装配方法,涉及印制电感领域,其中印制电感包括电感本体和两个引脚;电感本体包括:电感基板;线圈,设置在电感基板上,其两端位于电感基板两侧;两个引脚垂直安装在电感基板上,引脚上具有竖向延伸的且与线圈连接的连接线,连接线的水平位置基于线圈的电感量与目标电感量的偏差进行设置。本申请的印制电感能解决现有的多层PCB印制电感的电感量与目标电感量偏差大,电感量精度低导致阻抗匹配效果差的问题,能达到对印制电感的电感量进行精确补偿以更好地进行阻抗匹配的效果。

    一种采集装置
    90.
    发明授权

    公开(公告)号:CN117907667B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410322201.7

    申请日:2024-03-20

    Abstract: 本申请涉及射频电源采样领域,具体而言,涉及一种采集装置,采集装置包括导线和外壳,导线的一端与射频电源的输出端连接,另一端连接负载电路,外壳具有圆柱形的腔体,导线穿过腔体中心且与外壳同轴设置,并不与外壳接触,外壳接地;采集装置还包括同轴探头和电流采样线;同轴探头设置在腔体外部,其包括:线圈,其第一端穿过外壳、垂直于导线轴向并进入腔体,其第二端接地;电流采样线的第一端输出采样电流信号,第二端接地。本申请的采集装置能解决现有的射频电源电流采样方法采样得到的信号波形畸变严重的问题,能达到基于外壳的屏蔽作用使腔体内部通过导线的电流信号不对在腔体外部进行的电流采样过程产生干扰的效果。

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