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公开(公告)号：CN101982879A
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN201010508184.4
申请日：2010-10-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/535 , H01L21/7682 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种低介电常数介质与铜互连的结构及其集成方法。包括：采用铜互连与气隙结合起来降低电容；用特定支撑结构来支撑铜导线以在去除介质后维持铜导线的形状。本发明的优点在于可以实现全气隙结构而不使铜导线短路或断路并且可实现较长导线的全气隙结构，使RC延迟减小。
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公开(公告)号：CN101969061A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201010293306.2
申请日：2010-09-27
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/088 , H01L29/10 , H01L21/786
Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种鳍型隧穿晶体管集成电路及其制备方法。在基于绝缘体上的硅衬底的基础上，在隧穿晶体管中采用鳍型栅结构，并且采用高k介质作为栅介质，采用低k介质作为边墙材料。本发明所提出的鳍型隧穿晶体管集成电路，在提高集成电路驱动电流的同时，可以加快集成电路的开关速度，降低芯片功耗。进一步地，本发明还公开了所述鳍型隧穿晶体管集成电路的制造方法。
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公开(公告)号：CN101941696A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010281971.X
申请日：2010-09-15
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B31/04 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种适用于石墨烯基场效应管制造的纳米光刻方法。该方法包括采用接触探针热还原法对任意衬底上的石墨烯氧化物进行可控还原，通过控制探针温度来控制还原石墨烯氧化物的成分从而控制沟道电阻率。利用单原子尺寸热接触探针在石墨烯氧化物上直写石墨烯基场效应管，可以实现石墨烯基纳米场效应管的光刻制造工艺，简化石墨烯场效应管制备的复杂性，从而降低了工艺实施的困难程度。单原子级热探针直写石墨烯场效应管技术还可以提供石墨烯基传感器、射频器件等制备的图形化技术，也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。
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公开(公告)号：CN101916783A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010252925.7
申请日：2010-08-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种凹陷沟道的横向和纵向扩散型场效应晶体管。本发明采用凹陷沟道和纵向扩散工艺，大大减小了器件尺寸，抑制了短沟道效应，并且在抑制漏致源端势垒降低的同时，也减小了器件结构中栅漏的寄生电容，提高了器件的响应频率，即在提高芯片集成度的同时增强了器件的响应频率。本发明还公开了该凹陷沟道的横向和纵向扩散型场效应晶体管的制造方法。
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公开(公告)号：CN101894745A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010202300.X
申请日：2010-06-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于半导体纳米线形成的逻辑门及其制备方法。本发明首先在衬底的表面生长一定的硅图案，然后在硅图案的侧壁上横向生长纳米线，通过控制硅图案之间的距离来控制不同的纳米线类型(单质或p-n结)，并且通过这些简单结构来实现一定的逻辑功能。本发明克服了目前制作纳米线逻辑器件需要使用复杂的纳米线移动定位技术的缺陷，工艺过程简单并且可以与传统CMOS工艺相兼容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101814527A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010153505.3
申请日：2010-04-22
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: H01L31/1136 , H01L31/167
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种使用光电子注入进行电导调制的功率器件与方法。该功率器件包括至少一个光电子注入光源和一个功率MOS晶体管。本发明采用光电子注入的方法向功率MOS晶体管栅极下方的漂移区注入载流子，进行电导调制，从而可以降低功率MOS晶体管的特征导通电阻，同时，因为漂移区的掺杂浓度可以得到降低，阻断电压可以提高，从而大大提高了功率MOS晶体管的性能，使得功率MOS晶体管的应用拓展到高电压领域内。
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公开(公告)号：CN101807596A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010023062.6
申请日：2010-01-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/24 , H01L21/822 , H01L21/28 , G11C11/56
Abstract: 本发明属于非挥发性存储器件技术领域，具体公开了一种自对准半导体存储器结构。该半导体存储器结构采用隧穿晶体管来进行对相变存储器或阻变存储器比如擦写操作和读操作的控制，隧穿晶体管中垂直的栅控二极管结构不仅可以满足对阻变存储器和相变存储器进行写入的大电流要求，而且可以提高存储器件阵列的密度。同时，本发明还公开了一种制造所述半导体存储器结构的方法，该方法使存储器器件的制造工序简化，并且使制程更加稳定，非常适用于存储器芯片的制造。
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公开(公告)号：CN101783367A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN201010111275.4
申请日：2010-02-11
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/45 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种纳米线MOS晶体管及其制备方法。该纳米线MOS晶体管使用金属镍作为III-V族半导体纳米线的源漏扩散材料，利用高温下镍的扩散机理，使金属镍扩散到III-V族材料中，形成低电阻的Ni-III-V形式的合金，作为III-V半导体纳米线MOS管的源漏材料，从而实现源漏材料与沟道材料的欧姆接触。本发明所公开的MOS晶体管具有结构简单、制造方便、接触电阻小、并且能够有效减小寄生电容的产生并使MOS晶体管的关断电流有效减小等优点。同时，本发明还公开了所述纳米线MOS晶体管的制备方法，该方法可以有效控制MOS晶体管的沟道长度，从而使得半导体器件有更大的工作电流。
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公开(公告)号：CN101783366A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN201010111271.6
申请日：2010-02-11
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/16 , H01L21/336 , H01L21/324
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种石墨烯MOS晶体管及其制备方法。本发明首先通过氢气等离子体处理本征石墨烯得到氢化石墨烯，然后利用原子层淀积金属氧化物的方法破坏石墨烯的大π键，从而有效扩展石墨烯的禁带宽度，降低了石墨烯MOS晶体管中的栅极漏电流，同时，未淀积金属氧化物的石墨烯可以保持其半金属性质，作为MOS晶体管中的源极和漏极，从而减小了源漏与沟道的接触电阻。本发明所公开的办法与现行的CMOS工艺兼容，使得大规模石墨烯基集成电路成为可能。
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公开(公告)号：CN101777565A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910247550.2
申请日：2009-12-30
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/142 , H01L21/82
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体公开了一种自供电低功耗集成电路芯片及其制备方法。该集成电路芯片包括一个半导体衬底以及在衬底上的低功耗集成电路和太阳能电池。所述的低功耗集成电路包含隧穿场效应晶体管。该低功耗集成电路和太阳能电池在同一个半导体衬底上同时形成。形成该太阳能电池的工艺可以和形成该低功耗集成电路的工艺兼容。该低功耗集成电路可以由该太阳能电池供电，从而形成自供电的低功耗集成电路。
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