一种半导体氧化膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN109994559A

    公开(公告)日:2019-07-09

    申请号:CN201910249023.9

    申请日:2019-03-29

    Abstract: 本发明公开了一种半导体氧化膜,所述氧化物半导体膜由纳米晶氧化物或非晶氧化物构成,其中所述氧化物半导体膜中以氧化物的形式含有铟、钨、锌和镓;并且,还含有氢;所述氧化物半导体膜中各金属元素相对于全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+W)的比例为In:20~50原子%、Ga:8~25原子%、Zn:20~50原子%和W:10~30原子%。本发明提供了一种半导体氧化膜,其具有优异的阈值电压和场效应迁移率。本发明还提供了一种半导体氧化膜的制备方法,其能够制备出具有良好场效应迁移率的半导体氧化膜。本发明还通过对制备工艺中热处理的温度控制,来提高制备出的半导体氧化膜的迁移率性能。

    一种建筑电气节能监测方法

    公开(公告)号:CN109857177A

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201910187360.X

    申请日:2019-03-13

    Abstract: 本发明公开了一种建筑电气节能监测方法,包括:通过能耗监测系统的传感器采集监测数据,获得建筑的室内外环境参数,并且将数据传输至节能监控系统,节能监控系统根据所述数据进行控制调节后,将调节后的信息传输至中心服务器,中心服务器通过公共网络与远程监控系统进行连接,从而进行监控。

    一种银纳米线网格电极的制备方法

    公开(公告)号:CN107919180A

    公开(公告)日:2018-04-17

    申请号:CN201711078038.0

    申请日:2017-11-04

    Abstract: 为克服现有技术中制备银纳米线网格电极时退火温度高的问题,本发明提供一种银纳米线网格电极的制备方法,包括:S1、清洗衬底:将衬底分别在三氯乙烯、丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗,氮气吹干;S2、制备银纳米线乙醇混合液;S3、采用银纳米线乙醇混合液,通过滴涂成膜方法在衬底上制备银纳米线网格,干燥;S4、将聚四氟乙烯板置于银纳米线网格上,在100℃以下的温度下经聚四氟乙烯板对银纳米线网格均匀持续施加14千克以下的压力,持续5~35分钟,形成银纳米线网格电极。本发明提供的方法熔接的银纳米线网格电极所需的温度较低,满足柔性器件对退火温度的需求,可应用于有机发光二极管、薄膜晶体管和太阳能电池等光电器件中。

    一种具有电源转换功能的消防控制系统

    公开(公告)号:CN106075783B

    公开(公告)日:2017-04-05

    申请号:CN201610135701.5

    申请日:2016-03-10

    Abstract: 本发明公开了一种具有电源转换功能的消防控制系统,包括:手动控制盘,其设置于小区消防控制室内,所述手动控制盘内设置有低压电源和手动控制开关;现场消防控制箱,其设置于小区各个单体建筑内,所述现场消防控制箱内设置有消防设备控制电路;电源转换箱,其设置于小区消防控制室内,通过导线分别与手动控制盘和现场消防控制箱连接;所述电源转换箱内设置有电磁线圈和消防设备控制开关,所述电磁线圈与手动控制盘内的低压电源和手动控制开关连接,通过手动控制开关闭合为电磁线圈通入低压电;所述电磁线圈通电后能够使消防设备控制开关闭合,从而将220V电传输到现场消防控制箱。本发明传输导线线径可以用较小的,节省成本,实用性强。

    一种提高换热器系统利用率的方法及通信系统

    公开(公告)号:CN119247857A

    公开(公告)日:2025-01-03

    申请号:CN202411746992.2

    申请日:2024-12-02

    Abstract: 本发明涉及系统优化技术领域,尤其是一种提高换热器系统利用率的方法及通信系统,所述方法包括如下步骤:获取换热器系统在工作状态下的实时功能参数;基于所述实时功能参数得到影响所述换热器系统利用率的关键功能参数;将所述关键功能参数进行分析得到参数检测结果;依据所述参数检测结果得到所述换热器系统的异常功能参数;对所述异常功能参数进行调整从而提高所述换热器系统利用率。本发明利用现场可编程门阵列结合组态软件实现对换热器系统的实时监测、异常检测和异常修复,现场可编程门阵列确保对异常功能参数的快速实时响应,组态软件提供了直观简洁的用户操作界面,实现了对于换热器系统的高效控制,进而提高换热器系统利用率。

    一种气氛退火改善印刷金属氧化物薄膜晶体管场效应性能的方法

    公开(公告)号:CN119132965A

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202410703792.2

    申请日:2024-06-03

    Abstract: 本发明属于印刷光电子器件制备领域,特别涉及一种气氛退火改善印刷金属氧化物薄膜晶体管场效应性能的方法。本发明提供的改善印刷薄膜晶体管场效应性能的方法,包括以下步骤:切割Si/SiO2基底并超声清洗10分钟;置于气体等离子体发生装置中去除基底表面吸附的杂质;二水合乙酸锌、二水合氯化亚锡以及水合硝酸铟溶于乙二醇甲醚;打印薄膜晶体管器件有源层并进行550摄氏度空气氛围退火处理;为提高薄膜晶体管场效应性能,对金属氧化物有源层材料进行550摄氏度真空氛围下退火处理;利用高精量喷墨打印设备打印薄膜晶体管源、漏电极。本发明提供的方法可提高印刷金属氧化物薄膜晶体管的场效应性能,满足目前光电子器件对印刷驱动器件高电学性能的需求。

    一种抗泥剂的生产装置和制备方法

    公开(公告)号:CN117205876B

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202311467783.X

    申请日:2023-11-07

    Abstract: 本发明公开了一种抗泥剂的生产装置和制备方法,涉及抗泥剂制备技术领域,所述生产装置包括主釜体,所述主釜体为双层结构,且双层结构之间设置有隔热层,该隔热层为真空层,所述主釜体整体为不锈钢材质,所述主釜体的上端右侧方开设有进料管,所述主釜体的上端中心安装有伺服电机,且伺服电机的下端输出轴固定连接有搅拌轴,所述进料管的上方设置有辅助注液机构,且随动刮壁机构的上方设置有防底部沉淀机构,按照所设定的程序和运行步骤,便可自动连续地往主釜体的内部加入制备抗泥剂所需的原液,从而不仅保证了原液输送的连续性和自动性,以减少人工干预的过程,同时也能够实现精准地把控注入原液的时间和顺序,以保证抗泥剂制备的精准性。

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