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公开(公告)号：CN105895693B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201510492749.7
申请日：2015-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 一种器件包括：延伸至半导体衬底内的隔离区，其中，位于隔离区的相对部分之间的衬底带具有第一宽度。源极/漏极区具有覆盖衬底带的部分，其中，源极/漏极区的上部具有比第一宽度更大的第二宽度。源极/漏极区的上部具有基本垂直侧壁。源极/漏极硅化物区具有接触源极/漏极区的垂直侧壁的内侧壁。本发明实施例涉及具有包裹环绕的硅化物的FinFET及其形成方法。
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公开(公告)号：CN105225960B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201410445852.1
申请日：2014-09-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/42392 , H01L21/31053 , H01L21/31144 , H01L21/823487 , H01L21/823885 , H01L29/0649 , H01L29/66666 , H01L29/7827
Abstract: 根据示例性实施例，本发明提供了形成垂直结构的方法。该方法包括以下操作：提供衬底；提供具有位于衬底上方的源极、沟道和漏极的垂直结构；通过氧化来缩小源极和沟道；在垂直结构的漏极上方形成金属层；以及对金属层进行退火以在垂直结构的漏极上方形成硅化物。本发明还提供了一种半导体器件。
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公开(公告)号：CN109860172A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811185822.6
申请日：2018-10-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体元件包括基板、半导体鳍、隔离插塞及隔离结构。半导体鳍在基板上方。隔离插塞在基板上方并邻近半导体鳍的端部。隔离结构在基板上方并邻近半导体鳍及隔离插塞的侧壁。隔离结构的顶表面的位置低于隔离插塞的顶表面。
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公开(公告)号：CN109841620A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811185802.9
申请日：2018-10-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体元件，例如鳍式场效应晶体管装置包含鳍片，设置在鳍片侧表面处的磊晶层，设置在磊晶层和鳍片上的接触。接触包含磊晶接触部分和设置在磊晶接触部分上的金属接触部分。磊晶接触部分的掺杂浓度高于磊晶层的掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN109427784A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810569858.8
申请日：2018-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明的实施例提供了半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括形成在衬底上的器件鳍；形成在衬底上并且设置在器件鳍之中的填充鳍；以及形成在器件鳍和填充鳍上的栅极堆叠件。填充鳍包括第一介电材料层和沉积在第一介电材料层上的第二介电材料层。第一和第二介电材料层的组成彼此不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109427774A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711170824.3
申请日：2017-11-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体元件，包括半导体基板、自半导体基板延伸的第一及第二元件鳍片、及设置在半导体基板上及在第一与第二元件鳍片之间的填充鳍片，其中填充鳍片具有开口。半导体元件进一步包括自第一元件鳍片的通道区域穿过开口连续地延伸至第二元件鳍片的通道区域的第一栅极结构。
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公开(公告)号：CN109427673A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810190914.7
申请日：2018-03-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 在衬底上形成第一和第二鳍式场效应晶体管(finFET)的方法包括在衬底上分别形成第一和第二finFET的第一和第二鳍结构，并且分别在第一和第二鳍结构的顶面上形成具有第一和第二厚度的第一和第二氧化物区域。该方法还包括分别在第一和第二鳍结构的侧壁上形成具有第三和第四厚度的第三和第四氧化物区域。第一和第二厚度分别大于第三和第四厚度。该方法还包括在第一和第三氧化物区域上形成第一多晶硅结构并且在第二和第四氧化物区域上形成第二多晶硅结构。该方法也包括分别在第一和第二鳍结构的第一和第二凹进部分上形成第一和第二源极/漏极区域并且分别用第一和第二栅极结构替换第一和第二多晶硅结构。本发明实施例涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN109427671A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711335781.X
申请日：2017-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 在衬底上形成第一和第二场效应晶体管(finFET)的方法包括：在衬底上分别形成第一和第二finFET的第一和第二鳍结构。第一和第二鳍结构具有彼此大致相等的相应的第一和第二垂直尺寸。该方法还包括修改第一鳍结构，从而使得第一鳍结构的第一垂直尺寸小于第二鳍结构的第二垂直尺寸，并且在修改的第一鳍结构和第二鳍结构上沉积介电层。该方法还包括在介电层上形成多晶硅结构并且在多晶硅结构的侧壁上选择性地形成间隔件。本发明的实施例还涉及用于半导体器件的鳍结构。
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公开(公告)号：CN109427589A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810251936.X
申请日：2018-03-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明的实施例公开了一种半导体结构，包括：衬底；从衬底向上延伸的第一半导体鳍；位于衬底上方并且位于第一半导体鳍的侧壁上的隔离结构；位于第一半导体鳍上方的第一外延部件；部分地嵌于隔离结构中并且在隔离结构之上向上突出的介电质鳍；以及位于隔离结构上方的第一间隔件部件和第二间隔件部件。第一间隔件部件横向地位于第一外延部件和介电质鳍之间。第一外延部件横向地位于第一间隔件部件和第二间隔件部件之间。本发明的实施例还公开了形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN109427564A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810376773.8
申请日：2018-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/266 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 在衬底上形成鳍式场效应晶体管(finFET)的方法包括在衬底上形成鳍结构，在鳍结构上形成氧化物层以及在氧化物层上形成多晶硅结构。该方法还包括修改多晶硅结构，从而使得修改的多晶硅结构的第一部分的第一水平尺寸小于修改的多晶硅结构的第二部分的第二水平尺寸。该方法还包括用栅极结构替换修改的多晶硅结构，其中，所述栅极结构的第一部分的第一水平尺寸小于所述栅极结构的第二部分的第二水平尺寸。
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