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公开(公告)号：CN106328539A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610124431.8
申请日：2016-03-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/78
Abstract: 本发明描述了一种半导体器件制造的方法，该方法包括形成从衬底延伸以及具有源极/漏极区和沟道区的鳍。鳍包括具有第一组分的第一外延层和位于第一外延层上的第二外延层，第二外延层具有第二组分。从鳍的源极/漏极区去除第二外延层以形成间隙。用介电材料填充间隙。另一外延材料形成在第一外延层的至少两个表面上以形成源极/漏极部件。本发明还提供了一种多栅极半导体器件。
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公开(公告)号：CN106328539B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201610124431.8
申请日：2016-03-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/78
Abstract: 本发明描述了一种半导体器件制造的方法，该方法包括形成从衬底延伸以及具有源极/漏极区和沟道区的鳍。鳍包括具有第一组分的第一外延层和位于第一外延层上的第二外延层，第二外延层具有第二组分。从鳍的源极/漏极区去除第二外延层以形成间隙。用介电材料填充间隙。另一外延材料形成在第一外延层的至少两个表面上以形成源极/漏极部件。本发明还提供了一种多栅极半导体器件。
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公开(公告)号：CN106252230A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201510798935.3
申请日：2015-11-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/08
CPC classification number: H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823468 , H01L21/823481 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L27/10879 , H01L29/0649 , H01L29/41725 , H01L29/41783 , H01L29/41791 , H01L29/456 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66575 , H01L29/66636 , H01L29/66772 , H01L29/66795 , H01L29/7831 , H01L29/785 , H01L29/0847
Abstract: 本发明提供了用于FINFET的环绕硅化物。一种方法包括在半导体鳍的中间部分上形成栅极堆叠件，以及在栅极堆叠件的侧壁上形成第一栅极间隔件。形成第一栅极间隔件之后，形成模板介电区以覆盖半导体鳍。该方法还包括开槽模板介电区。开槽之后，在栅极堆叠件的侧壁上形成第二栅极间隔件。蚀刻半导体鳍的端部部分以在模板介电区中形成凹槽。在凹槽中外延生长源极/漏极区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106252230B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201510798935.3
申请日：2015-11-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/08
CPC classification number: H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823468 , H01L21/823481 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L27/10879 , H01L29/0649 , H01L29/41725 , H01L29/41783 , H01L29/41791 , H01L29/456 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66575 , H01L29/66636 , H01L29/66772 , H01L29/66795 , H01L29/7831 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了用于FINFET的环绕硅化物。一种方法包括在半导体鳍的中间部分上形成栅极堆叠件，以及在栅极堆叠件的侧壁上形成第一栅极间隔件。形成第一栅极间隔件之后，形成模板介电区以覆盖半导体鳍。该方法还包括开槽模板介电区。开槽之后，在栅极堆叠件的侧壁上形成第二栅极间隔件。蚀刻半导体鳍的端部部分以在模板介电区中形成凹槽。在凹槽中外延生长源极/漏极区。
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公开(公告)号：CN105895693A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510492749.7
申请日：2015-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 一种器件包括：延伸至半导体衬底内的隔离区，其中，位于隔离区的相对部分之间的衬底带具有第一宽度。源极/漏极区具有覆盖衬底带的部分，其中，源极/漏极区的上部具有比第一宽度更大的第二宽度。源极/漏极区的上部具有基本垂直侧壁。源极/漏极硅化物区具有接触源极/漏极区的垂直侧壁的内侧壁。本发明实施例涉及具有包裹环绕的硅化物的FinFET及其形成方法。
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公开(公告)号：CN106252410B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201610116599.4
申请日：2016-03-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L21/28
Abstract: 本发明的实施例描述了包括具有间隙或空隙的栅极间隔件的器件和结构以及形成这种器件和结构的方法。根据一些实施例，该结构包括衬底、位于衬底上方的栅极堆叠件、位于衬底上方的接触件以及横向设置在栅极堆叠件与接触件之间的间隔件。间隔件包括第一电介质侧壁部分和第二电介质侧壁部分。空隙设置在第一电介质侧壁部分与第二电介质侧壁部分之间。
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公开(公告)号：CN105895693B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201510492749.7
申请日：2015-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 一种器件包括：延伸至半导体衬底内的隔离区，其中，位于隔离区的相对部分之间的衬底带具有第一宽度。源极/漏极区具有覆盖衬底带的部分，其中，源极/漏极区的上部具有比第一宽度更大的第二宽度。源极/漏极区的上部具有基本垂直侧壁。源极/漏极硅化物区具有接触源极/漏极区的垂直侧壁的内侧壁。本发明实施例涉及具有包裹环绕的硅化物的FinFET及其形成方法。
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公开(公告)号：CN106252410A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610116599.4
申请日：2016-03-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L21/28
Abstract: 本发明的实施例描述了包括具有间隙或空隙的栅极间隔件的器件和结构以及形成这种器件和结构的方法。根据一些实施例，该结构包括衬底、位于衬底上方的栅极堆叠件、位于衬底上方的接触件以及横向设置在栅极堆叠件与接触件之间的间隔件。间隔件包括第一电介质侧壁部分和第二电介质侧壁部分。空隙设置在第一电介质侧壁部分与第二电介质侧壁部分之间。
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