-
公开(公告)号：CN101452988A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810241116.9
申请日：2008-12-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种薄膜型LED制备方法，属于半导体芯片制备技术领域。本发明通过在外延层上激光划片得到锲型凹槽，然后利用反应离子刻蚀得到侧面倾斜的P型梯形台面，接着在该梯形台面上制备p型欧姆接触和反射电极，在除电极外的其余部分制备绝缘钝化层，然后在整个LED外延层和基板上均匀涂上适量的、高导热率、膨胀系数和弹性模量匹配的导电银胶，高温键合后激光剥离蓝宝石衬底，清洁表面，在表面形成n电极，对电极以外的出光表面进行粗化处理，减薄基板至所需厚度并在其背部制备欧姆接触和共晶焊垫。最后进行激光划片，裂片，得到薄膜型LED芯片。本发明可减少激光剥离带来的芯片破裂，增加芯片侧面光的出射，同时增加粘接强度，提高芯片出光效率和可靠性。
-
公开(公告)号：CN101246945A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810101191.5
申请日：2008-02-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00 , H01L25/00 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开了一种边发射型LED的封装结构，包括LED芯片、基座、旋转抛物面的反光碗、透明介质支撑结构、锥顶角为θ的倒圆锥形结构、倒圆锥形结构表面的反光层，其中：所述旋转抛物面的反光碗位于基座内，所述LED芯片固定在反光碗底部，所述反光碗内填充树脂，所述锥顶角为θ的倒圆锥形结构通过透明介质支撑结构连接在树脂表面。本发明采用全反射及镜面反射相结合的技术方案，实现了对光强角分布的控制，能够通过改变圆锥形反射面的锥顶角实现对光强角分布的控制。
-
公开(公告)号：CN1797795A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410101833.3
申请日：2004-12-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提出了一种基于激光剥离技术和倒封装技术，在外延生长时将具有良好光导出效果的二维散射出光面，在外延生长阶段自然地形成于LED结构之上，而获得具有较高的光功率的发光二极管的制备方法。通过控制这种二维散射出光面的微观尺寸，在n型区表面获得较高载流子浓度，从而形成良好的欧姆接触，对垂直结构的LED的特性的改善具有重要的意义。位于衬底与GaN外延层界面处二维散射出光面，还可以在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力，减少剥离过程中的损伤，减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动，以保证剥离衬底而获得高性能的LED。
-
公开(公告)号：CN118241306A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410412355.5
申请日：2024-04-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种适用于AlN的HVPE反应室结构，属于深紫外光电材料领域。该结构设置在HVPE设备主体石英管中，包括感应加热器、通流陶瓷支架、反光隔光管、高纯材料保温层和磨砂牺牲石英管，感应加热器为高纯石墨柱体，样品固定在感应加热器上，感应加热器与感应线圈相对应，利用电磁感应原理产生涡流来加热样品，感应加热器固定在通流陶瓷支架上共同位于反光隔光管中，反光隔光管套在磨砂牺牲石英管中，高纯材料保温层位于反光隔光管与磨砂牺牲石英管之间。本发明能够解决现有感应加热器及保温结构对反应室的杂质污染，以及高温均匀加热区域狭小和高温保温效果不佳、能耗大等问题。
-
公开(公告)号：CN117568923A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311559319.3
申请日：2023-11-21
Applicant: 北京大学
IPC: C30B25/14 , C30B29/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明公布了一种用于HT‑HVPE生长大尺寸氮化铝厚膜的装置和方法，包括隔光通流装置，配合间断式生长方法。隔光通流装置至少包括：单层隔板或多层隔板及磨砂牺牲石英管；隔板内设有多个隔光通孔；气流可顺畅通过隔光通孔；光线则被隔光通孔阻挡；隔板套设于磨砂石英牺牲管内。间断式生长方法为：III族源AlCl3和V族源氨气交替通断，气流流量足够以使得气流顺利通过隔光通流部件，防止在错位或弯折斜通孔处的沉积，到达高温区并在衬底表面反应沉积生长AlN。本发明能够解决现有技术中Al源区及生长区需要温度陡变，而高温下反应室和喷嘴易受高温破坏的问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116239088A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111485440.7
申请日：2021-12-07
Applicant: 北京大学
IPC: C01B21/072 , C30B35/00 , C30B23/00 , C30B29/40
Abstract: 本发明公布了一种用于降低氮化铝晶体中氧杂质含量的源粉预烧结方法，属于半导体制造领域。本发明首先对氮化铝源粉进行三段式除氧杂质，再通过增加源粉的颗粒大小，减小源粉的比表面积，达到降低源粉二次吸附氧元素的能力。采用本发明获得的源粉用于后继PVT法生长氮化铝单晶，SIMS测量发现，后续生长的AlN晶片氧杂质含量从6x1017cm‑3降低到1x1017cm‑3。本发明可以降低氮化铝单晶晶体中的含氧量，有利于实现高质量氮化铝单晶的制备。
-
公开(公告)号：CN113957541B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202010701354.4
申请日：2020-07-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种用于氮化铝晶体生长的籽晶高温粘接设备及方法，包括籽晶，坩埚，氮化铝晶体生长炉，机械抛光及化学清洗设备和专用加热加压装置；对坩埚盖表面和籽晶背面进行预处理，籽晶放置在坩埚盖上；将坩埚盖在下放置到加热加压装置的样品台上；在籽晶正面预先放置表面没抛光过的牺牲晶片，对坩埚盖和籽晶进行加压操作；升温并保温；再缓慢降温并向加热室充入氮气到常压，将牺牲晶片上的压力传动装置缓慢卸载；将粘接好的籽晶和坩埚盖在氮化铝晶体生长炉中进行高温定型；由此得到粘接好的氮化铝籽晶。本发明可改善氮化铝单晶生长质量，且工序简单，有利于实现低成本的氮化铝单晶的制备。
-
公开(公告)号：CN115579280A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211239724.2
申请日：2022-10-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种利用多层二维晶体掩膜制备氮化镓单晶衬底的方法。本发明利用层状结构的二维晶体分离层和厚膜分离层结合原位刻蚀和高温退火等方法制备低位错密度的GaN厚膜，二维晶体分离层和厚膜分离层作为二维晶体掩膜能够防止在GaN厚膜中引入热失配应力，提高GaN单晶衬底的晶体质量，位错密度低，且具有良好的尺寸扩展能力；基板能够重复利用，工艺简单，节能环保；利用多层二维晶体掩膜实现多块GaN单晶衬底的单次原位制备与分离，能够提高产率并降低生产成本。
-
公开(公告)号：CN115012040A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210947857.9
申请日：2022-08-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用单晶二维材料制备大尺寸氮化物体单晶的方法。本发明利用拼接多晶氮化物基元得到载体氮化物基板，在其上下表面转移的二维材料上制备单晶扩展层与单晶截止层，通过构建高温高压温度梯度场诱导从单晶AlN诱导体到整个氮化物结构的单晶化过程，能够制备出厘米级厚度百微米直径以上的大尺寸氮化物体单晶，并制备GaN或AlN等不同氮化物体单晶，通过超高质量的单晶AlN诱导体诱导重结晶，能够得到极高晶体质量的氮化物体单晶，工艺难度小并适于批量生产；本发明适用于氮化物半导体单晶衬底制备产业，氮化物体单晶切割后，能够作为衬底用于制造高性能的发光器件和电子器件，在激光照明、射频通讯等领域具有重要应用。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
111
records
(took 0.019 seconds)
