公开(公告)号：CN118405940A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410497656.2

申请日：2024-04-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴洁君 ,  杨浩 ,  于彤军 ,  陈加昊 ,  王泽人 ,  张皇澍 ,  刘云琪 ,  都毓恒 ,  魏海龙 ,  杨楚昊 ,  王新强 ,  沈波

IPC: C04B41/87 ,  C30B23/00 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开一种用于大尺寸AlN晶体生长的TaC/C复合坩埚的制备方法。该制备方法首先采用机械加工或压力成型等技术制备内衬为Ta箔的Ta箔/石墨坩埚复合体，并使石墨与Ta箔界面形成紧密配合，然后将紧密配合的Ta箔/石墨坩埚复合体施加一定压力，升到一定温度，保温一定的时间，使界面两边固体原子互相扩散，得到TaC/C复合坩埚。采用本发明可以提高TaC/C复合坩埚的使用性能，极大降低其制备成本。

公开(公告)号：CN117587504A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311554150.2

申请日：2023-11-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴洁君 ,  王泽人 ,  于彤军 ,  刘云琪 ,  张皇澍 ,  陈加昊 ,  沈波

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种HVPE外延氮化铝厚膜的生长方法，属于半导体技术领域。该方法采用特定结构的石英舟盛放金属铝，进入石英舟的反应气体可以与金属铝源充分接触，将氯化氢与金属铝的反应比例提高到80％以上。设计多路分隔的喷嘴结构，将金属源和氨气物理上分隔开来，降低其预反应的可能性，配合交替间断的生长方法，短时间内交替通入III族源和V族气体，使其即不会互相提前接触，又可以互相均匀到达高温区衬底表面，并在衬底表面均匀混合，提高生长均匀性和生长速率。同时减少预反应颗粒等产物，避免其落到衬底表面形成缺陷，提高表面质量。本发明可以有效提高金属铝源的利用率，降低预反应，且可以得到高晶体质量的氮化铝厚膜。

公开(公告)号：CN118241306A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410412355.5

申请日：2024-04-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴洁君 ,  刘云琪 ,  于彤军 ,  王泽人 ,  张皇澍 ,  陈加昊 ,  杨浩 ,  王新强 ,  沈波

IPC: C30B25/08 ,  C30B29/40 ,  C30B25/10

Abstract: 本发明公开一种适用于AlN的HVPE反应室结构，属于深紫外光电材料领域。该结构设置在HVPE设备主体石英管中，包括感应加热器、通流陶瓷支架、反光隔光管、高纯材料保温层和磨砂牺牲石英管，感应加热器为高纯石墨柱体，样品固定在感应加热器上，感应加热器与感应线圈相对应，利用电磁感应原理产生涡流来加热样品，感应加热器固定在通流陶瓷支架上共同位于反光隔光管中，反光隔光管套在磨砂牺牲石英管中，高纯材料保温层位于反光隔光管与磨砂牺牲石英管之间。本发明能够解决现有感应加热器及保温结构对反应室的杂质污染，以及高温均匀加热区域狭小和高温保温效果不佳、能耗大等问题。

公开(公告)号：CN117568923A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311559319.3

申请日：2023-11-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 于彤军 ,  王泽人 ,  吴洁君 ,  刘云琪 ,  张皇澍 ,  陈加昊 ,  沈波

IPC: C30B25/14 ,  C30B29/40 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公布了一种用于HT‑HVPE生长大尺寸氮化铝厚膜的装置和方法，包括隔光通流装置，配合间断式生长方法。隔光通流装置至少包括：单层隔板或多层隔板及磨砂牺牲石英管；隔板内设有多个隔光通孔；气流可顺畅通过隔光通孔；光线则被隔光通孔阻挡；隔板套设于磨砂石英牺牲管内。间断式生长方法为：III族源AlCl3和V族源氨气交替通断，气流流量足够以使得气流顺利通过隔光通流部件，防止在错位或弯折斜通孔处的沉积，到达高温区并在衬底表面反应沉积生长AlN。本发明能够解决现有技术中Al源区及生长区需要温度陡变，而高温下反应室和喷嘴易受高温破坏的问题。