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公开(公告)号：CN103811590A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410052421.9
申请日：2014-02-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02168 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种半导体薄膜太阳能电池前后表面的混合陷光结构制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅薄膜太阳能电池的上表面生长一层介质膜；步骤2：在介质膜上生长一层金属纳米颗粒；步骤3：在硅薄膜太阳能电池下表面刻蚀出二维纳米柱硅光栅结构；步骤4：在二维纳米柱硅光栅结构上生长一层背电极；步骤5：在背电极上生长一层背反射器层，完成制备。本发明是利用前表面金属颗粒和背面光栅结构对入射光不同的作用范围，展宽对入射光的作用范围，本发明降低了光的反射率，提高了薄膜太阳能电池对入射光的吸收。
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公开(公告)号：CN102051179B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN200910237097.7
申请日：2009-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液，该化学腐蚀液的配比为1g固体柠檬酸与3～4ml的双氧水，实现了对Al组分为0.8～0.9的砷化镓太阳电池帽层Al0.8～0.9GaAs/GaAs的选择性腐蚀。本发明提供的这种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液，具有高的选择性腐蚀，能够实现GaAs太阳电池帽层选择腐蚀的目的，并且腐蚀液配制方便，具有很好的重复性。
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公开(公告)号：CN101997029B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200910091632.2
申请日：2009-08-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/78
Abstract: 一种高迁移率量子点场效应晶体管，包括：一衬底；一第一应力缓冲层制作在衬底上；一第二应力缓冲层制作在第一应力缓冲层上；一掺杂层制作在第二应力缓冲层上；一间隔层制作在掺杂层上；一沟道层制作在间隔层上；一下势垒层制作在沟道层上；一量子点层制作在下势垒层上；一上势垒层制作在量子点层上，该上势垒层上面的中间有一凹形台面，该凹形台面的一侧为源区，另一侧为漏区；两帽层，该两帽层分别制作在上势垒层两侧的源区和漏区上；一第一电极制作在一帽层的上面；一第二电极制作在另一帽层的上面；一第三电极制作在上势垒层上面的凹形台面上。
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公开(公告)号：CN102005535B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010283557.2
申请日：2010-09-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种平面相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层，相变材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成基底；在相变材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面的和相变材料层表面的侧墙材料层，在基底材料层的侧面将形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙；去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；去掉除了侧墙底部以外的所有相变材料，从而形成由侧墙和相变材料层构成的叠层侧墙；在该侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层；去除侧墙以及侧墙表面上的金属层，从而形成中间夹有相变材料层的nano-gap电极；最后淀积一层绝缘材料，再在nano-gap电极两边的金属层上开孔并引出电极，完成平面相变存储器的制作。
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公开(公告)号：CN101764196B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200810240934.7
申请日：2008-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种纳米尺寸相变存储器的制作方法，首先在硅衬底上淀积一层抗腐蚀性很强的电热绝缘材料，然后利用侧墙工艺在该材料表面制备出一个纳米尺寸的金属NANOGAP，最后再一次利用侧墙工艺制备出一条纳米尺寸的相变材料，纳米相变条填充在金属隙缝中，钝化开孔引出电极，最后制备出了纳米尺寸的相变存储器件。本发明不仅避免了使用电子束曝光的成本高、周期长的缺陷，只采用光刻和两步侧墙工艺，便制备出了纳米尺寸的相变存储器，在突破光刻分辨率限制及提高器件制备效率等方面具有很大的优越性；而且还避免了淀积和干法刻蚀侧墙基底的工艺，具有很大的优越性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102054691A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910237096.2
申请日：2009-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/335
Abstract: 一种纳流体晶体管的制备方法，包括：在衬底上生长一层电热绝缘材料层和基底材料层；用光刻和干法刻蚀的方法去除基底材料层的四边，形成制备侧墙的基底；在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面的和电热绝缘材料层表面的侧墙材料层，形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙；去除基底材料层；在该侧墙材料层的一条边上搭上一条制作纳流管道的抗腐蚀绝缘材料层；再在抗腐蚀绝缘材料层上搭上一条制作栅电极的抗腐蚀的金属层；去除侧墙材料层，保留抗腐蚀绝缘材料层和抗腐蚀的金属层，形成一纳流管道，并注入纳流体；钝化并在管道两端和金属层上方开孔，引出三端电极即形成纳流体晶体管。
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公开(公告)号：CN101764195A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200810240931.3
申请日：2008-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种制作纳米尺寸相变存储器的方法，首先在硅衬底上淀积一层抗腐蚀性很强的电热绝缘材料，然后利用侧墙工艺在该材料表面制备出一个纳米尺寸的金属GAP，接着再一次利用侧墙工艺制备出纳米尺寸的相变材料，纳米相变材料填充在金属GAP中。钝化开孔引出电极，最后制备出纳米尺寸的相变存储器件。本发明避免了使用电子束曝光的成本高、周期长的缺陷，仅采用光刻和两步侧墙工艺，便制备出了纳米尺寸的相变存储器，在突破光刻分辨率限制及提高器件制备效率等方面具有很大的优越性。
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公开(公告)号：CN101759142A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN201010034281.4
申请日：2010-01-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种纳流体测试器件的制备方法，包括：在衬底上生长一层电热绝缘材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧墙的基底；在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面和电热绝缘材料层表面的侧墙材料层，形成侧墙；去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；在该侧墙材料层的一条边上搭上一条制作电极的抗腐蚀的金属层；在电热绝缘材料层及金属层上制备一层制作纳流体通道的抗腐蚀绝缘材料层；抛光表面，去除金属层上面的抗腐蚀绝缘材料层；再用湿法腐蚀方法去除剩余的侧墙材料层形成纳流体通道；最后淀积一层绝缘材料将纳流体通道封顶，再在通道两端开孔并在通道两侧的金属上引出电极即可形成纳流体测试器件。
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公开(公告)号：CN118962863A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411127278.5
申请日：2024-08-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种基于超薄SiN薄膜的超表面或超透镜结构及其制备方法和应用。该基于超薄SiN薄膜的超表面或超透镜结构的制备方法包括：提供支撑基底；在支撑基底正面和背面分别淀积SiN薄膜；在支撑基底的背面形成背面掩模结构和对准标记，在支撑基底的正面形成正面对准标记；对支撑基底正面的SiN薄膜形成超表面或超透镜微纳结构阵列；腐蚀背腔至正面SiN薄膜，烘干后得到高透过率的超表面或超透镜结构。利用本发明，通过超表面或超透镜微纳结构阵列，实现0~2π相位覆盖，以完全调控波前，实现紫外光、可见光和红外光等波段超表面或超透镜，解决现有短波长波段超表面或超透镜不能实现超薄，不能与CMOS工艺兼容，难以与光纤和光衰减器等微型光学器件集成的问题。
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公开(公告)号：CN114069383B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202111373233.2
申请日：2021-11-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/10
Abstract: 本公开提供一种等离激元激光器微腔，包括：金属基板，其上设置有多个凹槽；以及半导体纳米线，对应所述多个凹槽上方设置于所述金属基板表面。同时还提供一种等离激元激光器微腔的制备方法，用于制备上述等离激元激光器微腔，包括：操作S1：以云母为基底在其上生长金属基板；操作S2：在所述金属基板上刻蚀多个凹槽；以及操作S3：对应所述多个凹槽上方在所述金属基板表面制备半导体纳米线。
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