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公开(公告)号：CN104534421A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410818531.1
申请日：2014-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: F21V23/00 , F21V29/51 , F21V7/22 , F21Y101/02
CPC classification number: F21V23/00 , F21V7/22 , F21Y2105/10 , F21Y2115/10
Abstract: 一种高光功率密度LED光源模块，包括：一基板，该基板的中间有一凹槽；多个LED发光芯片，该多个LED发光芯片制作在基板上的凹槽内，组成LED发光芯片阵列；一远程荧光粉层，该远程荧光粉层制作在基板凹槽的上方；一散热器，该散热器为一槽体，该散热器固定在基板的下方，该散热器与基板之间形成一个密封的空腔，空腔内部注有相变散热的液体，用于散发多个LED发光芯片的热能。本发明具有输出光功率高，光斑面积小且光斑亮度均匀，使用寿命长的特点。
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公开(公告)号：CN104465856A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410758310.X
申请日：2014-12-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/14 , H01L31/153 , H01L31/18 , H01L33/06
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/153 , H01L31/14 , H01L31/18 , H01L31/1864 , H01L33/06
Abstract: 本发明公开了一种无线能量传输发光系统，该系统包括：无线能量发送装置和无线能量接收及发光装置，其中：无线能量发射装置用于将电能转换为可在空间范围内自由传播的自由能量，并利用无线能量传输方式将所述自由能量发射出去；无线能量接收及发光装置用于接收在空间范围内自由传播的自由能量，并将接收到的自由能量转换为发光器件可用的电能后驱动发光器件发光。本发明利用无线能量传输技术，规避了传统芯片工艺技术中的金属电极工艺，可以实现将芯片设计尺寸大大减小后，依然能够进行很好的无接触式电注入。无论在芯片研究或是应用技术领域，本发明无线电力驱动芯片技术将会具有很大的发展空间。
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公开(公告)号：CN104143593A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410337635.0
申请日：2014-07-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/44
Abstract: 本发明提供了一种在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法，包括下列步骤：在SiC衬底上生长LED外延片；制备出P面具有反射金属膜的外延片，与新的衬底键合，形成倒装结构的LED外延片；采用机械研磨工艺将SiC衬底减薄；在SiC衬底表面形成一层厚导光层，由此得到具有导光层的SiC衬底的GaN基LED。本发明简单可靠、易于实现，可显著提高SiC衬底LED器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN102569566B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201210060166.3
申请日：2012-03-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种氮化镓基LED芯片立式封装的方法，具体步骤包括：超声波清洗功率型LED支架，烘干；在功率型LED支架表面的中心涂覆一层光刻胶，光刻胶涂覆的面积和LED芯片面积大小相同；用固晶机将LED芯片固定在光刻胶涂覆的位置，然后放入烘箱烘烤，使LED芯片固定于支架上；用金线将LED芯片的电极与LED支架相连；将LED芯片与LED支架一起浸泡，使打好金线的LED芯片与LED支架分离；将银浆涂覆在功率型LED支架上，然后将LED芯片竖立地固定在LED支架上，以LED芯片侧面接触LED支架；在竖立的LED芯片的表面涂覆荧光粉；在LED芯片上方的上方盖合一透镜；在透镜内填充硅胶，并固化，完成LED芯片立式封装的制备。提高了LED器件的提取效率，同时也大大改善了其远场分布。
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公开(公告)号：CN102610715B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201210093601.2
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种纳米无荧光粉白光氮化镓发光二极管的制作方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上外延生长GaN缓冲层1和n-GaN层；步骤3：在n-GaN层上通过纳米技术制作GaN纳米线模板；步骤4：在GaN纳米线模板上生长GaN过渡层；步骤5：在GaN过渡层上生长InGaN量子盘；步骤6：在InGaN量子盘上生长p-GaN层，形成基片；步骤7：将基片一侧的部分刻蚀掉，刻蚀深度到达n-GaN层内，形成台面；步骤8：在n-GaN层的台面上制作下电极；步骤9：在p-GaN层上制作上电极，完成发光二极管的制作。由于本方法采用的是纳米的模板的基底，能很好地释放应力，从而降低Droop效应，增加LED的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101931036B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201010235850.1
申请日：2010-07-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/02
Abstract: 一种氮化镓系发光二极管，包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层制作在成核层上；一n型接触层制作在缓冲层上，该n型接触层由n型氮化镓构成；一活性发光层制作在n型接触层上并覆盖所述n型接触层的部分表面，所述活性发光层是由铟镓氮薄层和氮化镓薄层交互层叠形成的多周期的量子阱结构构成；一p型电子阻挡层制作在活性发光层上，其下为氮化镓薄层，该p型电子阻挡层由铝镓氮构成；一p型铟镓氮插入层制作在p型电子阻挡层上；一p型接触层制作在p型铟镓氮插入层上，该p型接触层由p型氮化镓构成；一负电极制作在制作在n型接触层的台面上；一正电极制作在p型接触层上，完成氮化镓系发光二极管的制作。
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公开(公告)号：CN103579478A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310553600.6
申请日：2013-11-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/3065 , H01L27/15 , H01L33/50 , H01L2933/0016 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明提供了一种制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上生长GaN材料，形成GaN外延结构；步骤B，对GaN外延结构进行深刻蚀工艺，形成多个独立的小LED材料结构；步骤C，对多个独立的小LED材料结构进行倒装LED芯片制备工艺，制备多个LED芯片的，与衬底接触的P电极和N电极；步骤D，对多个倒装LED芯片的P电极和N电极进行串并连工艺，形成倒装LED集成芯片；以及步骤E：对衬底抛光，喷涂荧光粉，切割成一颗颗倒装集成芯片，即倒装集成LED芯片级光源模组。采用本发明方法制备的倒装集成LED芯片级光源具有散热好、可大电流驱动、光效高等优点。
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公开(公告)号：CN103367386A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310287949.X
申请日：2013-07-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种交流发光二极管，包括：一绝缘衬底；至少一发光二极管组，其具有至少六个发光二极管单元，该发光二极管单元彼此绝缘分离设置于该绝缘衬底上；所述发光二极管单元分为五组，其中四组作为四条整流分支，另外一组作为输出分支，所述输出分支中包括至少两路并联的发光二极管支路；一钝化层，其设置于所述发光二极管单元的侧面和发光二极管单元之间的绝缘衬底上；一金属层，其形成于发光二极管单元和部分钝化层上，所述的金属层使各相邻的发光二极管单元之间形成串联或并联形式的电连接。利用本发明，提高了有源区的面积利用率，改善了电流扩展，提高了提取效率，有效地提高了交流LED芯片的发光效率，降低了交流LED芯片的成本。
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公开(公告)号：CN103281840A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310229330.3
申请日：2013-06-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H05B37/02
Abstract: 一种高功率因数的LED驱动电路，包括：一交流电源；一整流桥，其输入端与交流电源连接，输出端接地；一恒流源，其一端与整流桥的另一输出端连接；至少两个以上的LED组的LED串，其LED组为串联、并联或串并联，该LED串为串联，该LED串的正极与恒流源的另一端连接；一串联的反馈电阻串，其一端与LED串的负极连接，另一端接地；多个n沟道耗尽型半导体器件，每一n沟道耗尽型半导体器件的D端与相对应的两LED组之间连接，S端与LED串的负极连接，G端与反馈电阻串中的相对应的反馈电阻连接。
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公开(公告)号：CN102956774A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210436128.3
申请日：2012-11-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法，包括：在蓝宝石衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层上依次生长的n型氮化镓层、量子阱层和p型GaN层；在p型GaN层上沉积PS球层；沉积SiO2层；高温下灼烧，在PS球层的位置得到规整的纳米级孔；沉积金属层；腐蚀掉SiO2层和金属层；在p型GaN层向下腐蚀，形成纳米级GaN柱阵列；在纳米级GaN柱阵列之间填充绝缘物，去除纳米级GaN柱阵列之间的部分填充绝缘物，使纳米级GaN柱阵列中的p型GaN层露出，形成纳米级柱LED芯片；在芯片的表面蒸镀透明导电层；在纳米级GaN柱阵列的一侧制作N电极台面，在N电极台面制作N金属电极，在纳米级GaN柱阵列的上面制作P金属电极；划片裂片封装，完成制备。
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