公开(公告)号：CN103094378B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201310031285.0

申请日：2013-01-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨静 ,  赵德刚 ,  李亮 ,  吴亮亮 ,  乐伶聪 ,  李晓静 ,  何晓光

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/065

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 一种含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的背入射太阳能电池，包括：一衬底；在衬底上依序制作有低温氮化镓成核层、非故意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂GaN层、第一非掺杂高In组分量子阱层、第二非掺杂低In组分量子阱层、非掺杂低In组分量子阱层和P型掺杂氮化镓层，该n型掺杂GaN层上面的一侧有一台面，该台面上制作一N型欧姆电极，一P型欧姆电极，其制作在P型掺杂氮化镓层上。本发明可以有效的利用不同波段的太阳光，提高太阳能电池的转换效率。

公开(公告)号：CN105789393A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610183107.3

申请日：2016-03-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵德刚 ,  杨静

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/04 ,  H01L33/007

Abstract: 一种高发光效率LED外延片，包括：一蓝宝石衬底；一低温成核层，其制作在蓝宝石衬底上；一高温非掺杂GaN层，其制作在低温成核层上；一高温n型GaN层，其制作在高温非掺杂GaN层上；一表面修复层，其制作在高温n型GaN层上；一多量子阱发光层结构，其制作在表面修复层上；一p型GaN层，其制作在多量子阱发光层结构上。本发明是通过插入一层GaN表面修复层，并优化表面修复层的生长参数，修复降温过程中由于GaN分解引起的表面损伤，使量子阱生长在光滑的GaN表面上，提高量子阱的界面质量，减少多量子阱区的缺陷密度。

公开(公告)号：CN105513951A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510996216.2

申请日：2015-12-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨静 ,  赵德刚 ,  陈平 ,  朱建军

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种低电阻率P型氮化镓材料的制备方法，该制备方法包括：对衬底升温，在氢气环境下热处理，去除衬底表面的杂质；在衬底上生长低温成核层，为后续生长材料提供成核中心；在低温成核层上生长一层非故意掺杂模板层；在非故意掺杂模板层上低温外延生长一层具有一定氢杂质浓度的P型氮化镓层；在氮气环境下，高温退火使P型氮化镓层中受主激活，得到低电阻率P型氮化镓材料。本发明，通过用氢杂质与施主缺陷(如氮空位)形成络合物，钝化施主缺陷的方法减轻p型氮化镓材料中的受主补偿作用，达到降低P型氮化镓材料电阻率的目的。

公开(公告)号：CN216794241U

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202122839916.4

申请日：2021-11-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 侯玉菲 ,  赵德刚 ,  梁锋 ,  杨静 ,  陈平 ,  刘宗顺

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/30

Abstract: 本公开提供了一种提高空穴注入的氮化镓基激光器，包括P型电极和N型电极，还包括：第一限制层，设置于所述P型电极和所述N型电极之间，用于限制光场；多量子阱，设置于所述第一限制层与所述N型电极之间，用于使电子和空穴在此处发生辐射复合发光；空穴存储层，设置于所述第一限制层与所述多量子阱之间，用于作为空穴发射器，为多量子阱提供更多空穴，并改善空穴从P型电极向多量子阱的注入效率。本实用新型设置空穴存储层不仅能作为空穴发射器为量子阱提供空穴，还缩短了部分空穴向量子阱传输的距离，通过调控能带，降低了电子阻挡层处的空穴有效势垒高度，更多的空穴注入到量子阱中，提高了量子阱发光的均匀性，改善了氮化镓基激光器的光电特性。