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公开(公告)号：CN1983660A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610170067.5
申请日：2006-12-15
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: H01L45/1658 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1625
Abstract: 本发明中的非易失存储元件的制造方法，包括：第一步，在层间绝缘膜上形成黏附层，以使得与下电极建立电连接；第二步，在所述黏附层上形成包含相变材料的记录层；第三步，形成上电极，其电连接至所述记录层；以及第四步，在所示记录层内，对位于至少所述下电极和所述记录层之间的部分黏附层进行扩散。
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公开(公告)号：CN1983616A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610162557.0
申请日：2006-11-27
Applicant: 尔必达存储器株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/82 , H01L21/768 , H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/16
Abstract: 相变存储器件具有：相变层；加热器电极，其具有与所述相变层保持接触的端面；不同种材料的接触栓塞，其具有第一导电材料栓塞，所述第一导电材料栓塞由第一导电材料制成，并且与所述加热器电极的另一个端面保持接触，和第二导电材料栓塞，其由具有小于所述第一导电材料的比电阻的第二导电材料制成，所述第一导电材料栓塞和所述第二导电材料栓塞堆叠在一个接触孔中，所述加热器电极和所述第二导电材料栓塞以相互重叠的关系彼此保持接触；以及导电层，其电连接到所述第二导电材料栓塞。
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公开(公告)号：CN1983615A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610162549.6
申请日：2006-11-27
Applicant: 尔必达存储器株式会社
Inventor： 早川努
IPC: H01L27/24 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/82 , H01L21/768 , H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/16
Abstract: 一种相变存储器件，具有相变层，具有与相变层保持接触的一端的加热器电极，不同种材料的接触栓塞，具有由第一导电材料制成并与该加热器电极的另一端保持接触的第一导电材料栓塞，以及由具有小于第一导电材料的比电阻的第二导电材料构成的第二导电材料栓塞，第一导电材料栓塞和第二导电材料栓塞至少通过其相应侧表面保持互相接触，加热器电极和第二导电材料栓塞互相不是重叠关系，以及电连接到第二导电材料栓塞的导电层。
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公开(公告)号：CN1976012A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610163133.6
申请日：2006-11-30
Applicant: 尔必达存储器株式会社 , 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/306 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/78 , H01L23/26 , H01L23/3128 , H01L29/0657 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明目的是提供一种具有低破损风险的高可靠性的半导体芯片。具体而言，本发明提供一种具有半导体硅衬底的半导体芯片，该半导体硅衬底包含半导体器件层、多孔硅域层，在所述半导体硅衬底的一个表面上的主表面区内形成所述半导体器件层，在背面即该半导体硅衬底的另一表面上的主表面区内形成所述多孔硅域层，并且所述多孔硅域层具有在该半导体硅衬底的背面上以岛状分布的多孔硅域。
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公开(公告)号：CN1960020A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610143924.2
申请日：2006-11-02
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/148
Abstract: 一种非易失存储元件，包含：具有第一通孔11a的第一层间绝缘层11；形成在第一层间绝缘层11上、具有第二通孔12a的第二层间绝缘层12；设置在第一通孔11中的下电极13；包含相变材料、设置在第二通孔12中的记录层15；设置第二层间绝缘层12上的上电极16；和形成在下电极13和记录层15之间的薄膜绝缘层14。根据本发明，埋在第一通孔11a中的下电极13的直径D1比第二通孔12a的直径D2小，从而降低下电极13的热容。因此，当通过薄膜绝缘层14中的介质击穿形成小孔14a时，附近用作加热区，减少逃逸到下电极13的热量，导致更高的加热效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1959998A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610143922.3
申请日：2006-11-02
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675
Abstract: 非易失存储元件，包含：下电极12、设置在下电极12上的位线14以及包含相变材料并且连接在下电极12和位线14之间的记录层15。根据本发明，位线14与记录层15的初始生长表面15a接触。该结构可以通过在记录层15之前形成位线14来得到，得到三维结构。这样减小了记录层15和位线14之间的接触面积，减少了向位线14的热扩散而不增加记录层15的厚度。此外，利用该三维结构，在位线14和记录层15之间不存在上电极，降低了制造工艺的复杂性。
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公开(公告)号：CN1959953A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610136554.X
申请日：2006-10-25
Applicant: 尔必达存储器株式会社
Inventor： 前川厚志
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/76885 , H01L27/10855
Abstract: 本发明的目标是提供通过以下形成防止接触插塞和位线之间短路的高可靠性接触插塞的方法：应用关于氮化硅膜具有100以上蚀刻速率比的材料作为形成自动对准接触插塞的层间膜。在形成位线之后，所述位线的顶面和侧面被氮化硅膜覆盖，形成由无定形碳膜组成的牺牲层间膜，以便覆盖位线的整个表面，并且通过按顺序蚀刻牺牲层间膜和下层的层间绝缘膜形成接触孔，由此形成电容接触插塞。然后，通过去除牺牲层间膜形成电容接触插塞的柱，在柱上形成第三层间绝缘膜，并且从其表面去除部分的第三层间绝缘膜，由此暴露电容接触插塞的表面。
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公开(公告)号：CN1949481A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610132138.2
申请日：2006-10-10
Applicant: 尔必达存储器株式会社
Inventor： 白竹茂
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 通过使用氮化硅膜103作为掩模在存储器单元区M内以以下状态形成栅沟槽108，所述状态是指通过栅绝缘膜101s、保护膜102以及氮化硅膜103覆盖P型外围电路P区中的和N型外围电路N区中的半导体衬底100。然后在所述栅沟槽108的内壁上形成栅绝缘膜109，并将包含有N型杂质的硅膜110嵌入所述栅沟槽108。然后去除所述氮化硅膜103，在整个表面上形成非掺杂硅膜，在此之后，将P型杂质引入P区上的非掺杂硅膜内，并将N型杂质引入M区和N区上的非掺杂硅膜内。
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公开(公告)号：CN1929161A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610151788.1
申请日：2006-09-07
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: H01L27/2436 , G11C2213/52 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1273 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 一种非易失存储元件包括：记录层，其包括相变材料；下电极，其与记录层相接触地提供；上电极，其与记录层的上表面的部分相接触地提供；保护绝缘膜，其与记录层的上表面的其他部分相接触地提供；以及层间绝缘膜，其在保护绝缘膜上提供。从而能够获得高热效率，因为记录层和上电极之间的接触面积的尺寸减少。在层间绝缘膜和记录层的上表面之间提供保护绝缘膜，使得可以减少记录层在记录层的图案形成期间或用于暴露记录层的部分的通孔形成期间所遭受的破坏。
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公开(公告)号：CN1870271A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610089841.X
申请日：2006-05-24
Applicant: 尔必达存储器株式会社
Inventor： 山崎靖
IPC: H01L27/108 , H01L29/78 , H01L21/8242 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66621 , H01L21/823807 , H01L21/823842 , H01L27/10873 , H01L27/10894 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L29/7835
Abstract: 本发明提供了这样的半导体器件，所述半导体器件包括：双栅外围晶体管，其具有表面沟道nMOSFET的晶体管结构和表面沟道pMOSFET的晶体管结构；以及单元晶体管，其具有带凹沟道结构的nMOSFET结构，所述单元晶体管的栅电极具有包含近似恒定浓度的N型杂质的N型多晶硅层。
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