公开(公告)号：CN1983616A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610162557.0

申请日：2006-11-27

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 早川努 ,  饭岛晋平

IPC: H01L27/24 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1233 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

Abstract: 相变存储器件具有：相变层；加热器电极，其具有与所述相变层保持接触的端面；不同种材料的接触栓塞，其具有第一导电材料栓塞，所述第一导电材料栓塞由第一导电材料制成，并且与所述加热器电极的另一个端面保持接触，和第二导电材料栓塞，其由具有小于所述第一导电材料的比电阻的第二导电材料制成，所述第一导电材料栓塞和所述第二导电材料栓塞堆叠在一个接触孔中，所述加热器电极和所述第二导电材料栓塞以相互重叠的关系彼此保持接触；以及导电层，其电连接到所述第二导电材料栓塞。

公开(公告)号：CN1519901A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200410001937.7

申请日：2004-01-16

Applicant: 尔必达存储器株式会社 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社 ,  株式会社日立制作所

Inventor： 北村英次 ,  山田悟 ,  加藤慈规 ,  齐野敢太 ,  齐藤政良 ,  饭岛晋平 ,  大汤静宪

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28247

Abstract: 一种半导体器件，其在钨膜和多晶硅层之间具有降低的接触电阻和带有具有降低的栅电阻且被预防耗尽的栅电极。根据制造装置半导体器件的方法，一种半导体器件，其在形成栅电极之后且在栅电极上执行侧面选择性氧化之前，通过在氨气体中在700℃－950℃的氮化温度下氮化栅电极的侧面的方式来制造带有多金属栅结构的栅电极，其中，多金属栅结构包含带有钨(W)膜、氮化钨(WN)膜和多晶硅(PolySi)层的三层结构。

公开(公告)号：CN100578804C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200610162557.0

申请日：2006-11-27

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 早川努 ,  饭岛晋平

IPC: H01L27/24 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1233 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

Abstract: 相变存储器件具有：相变层；加热器电极，其具有与所述相变层保持接触的端面；不同种材料的接触栓塞，其具有第一导电材料栓塞，所述第一导电材料栓塞由第一导电材料制成，并且与所述加热器电极的另一个端面保持接触，和第二导电材料栓塞，其由具有小于所述第一导电材料的比电阻的第二导电材料制成，所述第一导电材料栓塞和所述第二导电材料栓塞堆叠在一个接触孔中，所述加热器电极和所述第二导电材料栓塞以相互重叠的关系彼此保持接触；以及导电层，其电连接到所述第二导电材料栓塞。