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公开(公告)号：CN1960019A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610143921.9
申请日：2006-11-02
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/52 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675
Abstract: 非易失存储元件，包含：下电极12、设置在下电极12上的上电极17以及包含相变材料并且连接在下电极12和上电极17之间的记录层18。根据本发明，上电极17与记录层18的初始生长表面18a接触。该结构可以通过在记录层18之前形成上电极17来实现，得到三维结构。这样减小了向位线的热扩散而不增加记录层18的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100550408C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200610143922.3
申请日：2006-11-02
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675
Abstract: 非易失存储元件，包含：下电极12、设置在下电极12上的位线14以及包含相变材料并且连接在下电极12和位线14之间的记录层15。根据本发明，位线14与记录层15的初始生长表面15a接触。该结构可以通过在记录层15之前形成位线14来得到，得到三维结构。这样减小了记录层15和位线14之间的接触面积，减少了向位线14的热扩散而不增加记录层15的厚度。此外，利用该三维结构，在位线14和记录层15之间不存在上电极，降低了制造工艺的复杂性。
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公开(公告)号：CN100559623C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200610143921.9
申请日：2006-11-02
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/52 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675
Abstract: 非易失存储元件，包含：下电极12、设置在下电极12上的上电极17以及包含相变材料并且连接在下电极12和上电极17之间的记录层18。根据本发明，上电极17与记录层18的初始生长表面18a接触。该结构可以通过在记录层18之前形成上电极17来实现，得到三维结构。这样减小了向位线的热扩散而不增加记录层18的厚度。
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公开(公告)号：CN100541855C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200610143924.2
申请日：2006-11-02
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/148
Abstract: 一种非易失存储元件，包含：具有第一通孔11a的第一层间绝缘层11；形成在第一层间绝缘层11上、具有第二通孔12a的第二层间绝缘层12；设置在第一通孔11中的下电极13；包含相变材料、设置在第二通孔12中的记录层15；设置第二层间绝缘层12上的上电极16；和形成在下电极13和记录层15之间的薄膜绝缘层14。根据本发明，埋在第一通孔11a中的下电极13的直径D1比第二通孔12a的直径D2小，从而降低下电极13的热容。因此，当通过薄膜绝缘层14中的介质击穿形成小孔14a时，附近用作加热区，减少逃逸到下电极13的热量，导致更高的加热效率。
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公开(公告)号：CN1960020A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610143924.2
申请日：2006-11-02
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/148
Abstract: 一种非易失存储元件，包含：具有第一通孔11a的第一层间绝缘层11；形成在第一层间绝缘层11上、具有第二通孔12a的第二层间绝缘层12；设置在第一通孔11中的下电极13；包含相变材料、设置在第二通孔12中的记录层15；设置第二层间绝缘层12上的上电极16；和形成在下电极13和记录层15之间的薄膜绝缘层14。根据本发明，埋在第一通孔11a中的下电极13的直径D1比第二通孔12a的直径D2小，从而降低下电极13的热容。因此，当通过薄膜绝缘层14中的介质击穿形成小孔14a时，附近用作加热区，减少逃逸到下电极13的热量，导致更高的加热效率。
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公开(公告)号：CN1959998A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610143922.3
申请日：2006-11-02
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675
Abstract: 非易失存储元件，包含：下电极12、设置在下电极12上的位线14以及包含相变材料并且连接在下电极12和位线14之间的记录层15。根据本发明，位线14与记录层15的初始生长表面15a接触。该结构可以通过在记录层15之前形成位线14来得到，得到三维结构。这样减小了记录层15和位线14之间的接触面积，减少了向位线14的热扩散而不增加记录层15的厚度。此外，利用该三维结构，在位线14和记录层15之间不存在上电极，降低了制造工艺的复杂性。
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