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公开(公告)号：CN1689087A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN03823623.0
申请日：2003-09-17
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/243 , G11B7/252 , G11B7/2542 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 本发明涉及一种用于使用处于UV波长范围之内的光束记录信息的光学记录载体，其中所述光束具体来讲具有处于230至270nm的范围之内的波长，该光学记录载体包括基底层(S)和记录叠层(R)，该记录叠层包括：两个介电层(I1，I2)以及夹在所述介电层(I1，I2)之间的信息层(P)，所述信息层(P)包括这样的记录材料，该记录材料用于通过UV光束的照射形成代表信息的标记和间隔，其中所述记录材料是包括包含Ge、Sb、Te、In、Se、Bi、Ag、Ga、Sn、Pb、As的材料组中的至少两种材料的合金。
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公开(公告)号：CN1685414A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200380100135.5
申请日：2003-10-02
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/2403 , G11B7/243 , G11B7/252 , G11B7/259 , G11B7/2595 , G11B2007/24314 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明可得到同时具有比以往高的记录特性和耐光性的光记录介质。该光记录介质是在基片上依次至少设置相变记录层、第1防扩散层、第2防扩散层和保护层而构成，其特征在于，所述第1防扩散层和第2防扩散层以非气体元素及氮和/或氧作为主成分，在所述第1防扩散层和第2防扩散层中，非气体元素是相同的，所述第2防扩散层中含有的氮和/或氧的含量(原子％)比所述第1防扩散层中含有的氮和/或氧的含量(原子％)多。
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公开(公告)号：CN1682297A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03821723.6
申请日：2003-09-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/256 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/259 , G11B7/268 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 本发明的一种信息记录介质包括一个基底以及排列于基底上的信息层。该信息层包括记录层，该记录层至少使用从光学装置和电装置中选择的一种在晶相和非晶相间可逆相变，和至少一个晶体成核层，该晶体成核层至少包含从Bi和Te中选择的一种元素以及从Sc，Y，La，Ce，Pr，Nd，Sm，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Yb和Lu中选择的一种元素(M1)，而且将该晶体成核层设置为与记录层相接触。
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公开(公告)号：CN1221952C
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN02106250.1
申请日：2002-04-08
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: G11B7/0062 , G11B7/243 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/256 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/258 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716
Abstract: 本发明涉及光信息记录方法、装置及媒体。信息记录方法使用功率电平为Pe的连续激光记录或重写信号宽度为nT的0信号，使用光脉冲列记录或重写信号宽度为nT的1信号，光脉冲列构成为：初始脉冲部分fp，功率电平Pw，脉冲宽度xT；多脉冲部分mp，包括高电平脉冲及低电平脉冲(如果n-n′＞1)，高电平脉冲为(n-n′)次，功率电平Pw′，脉冲宽度yT，低电平脉冲位于两个高电平脉冲间，功率电平Pb，脉冲宽度(1-y)T；端脉冲部分ep，功率电平Pb’，脉冲宽度zT；T为时标周期，n及n′为正整数，n′＜n，功率电平满足下式：Pw或Pw′＞Pe＞Pb或Pb′。至少x、y、z之一处于下列范围：0.35≤x≤0.75，0.30≤y≤0.55，0.35≤z≤0.70。
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公开(公告)号：CN1656547A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN03811444.5
申请日：2003-03-28
Applicant: 三星电子株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
CPC classification number: G11B7/00454 , B82Y10/00 , G11B7/24065 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B11/10504 , G11B11/10515 , G11B11/10528 , G11B11/10584 , G11B11/10593 , G11B11/10597
Abstract: 提供一种利用记录介质的记录层和电介质层中的激光引发的反应和扩散的相变和/或磁光记录法、一种使用该方法在其上记录的记录介质、以及一种用于该记录介质的记录和再现装置。相变记录法包括通过激光引发的反应和扩散改变记录介质的记录层和电介质层的光学常数的吸收系数。磁光记录法包括在利用激光照射记录介质的记录层和电介质层从而在其中引发反应和扩散的同时改变记录层中的磁化方向。还提供了一种基于通过记录层和电介质层中的激光引发的反应和扩散形成的突出记录标记的物理性质的记录方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1628347A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN03803321.6
申请日：2003-01-24
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/00454 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 描述了一种可重写的光学存储介质(10)，其包括基片(1)、第一电介质层(2)、Ge－Sb－Te基础上的相位变化记录层(3)、第二电介质层(4)和金属反射层(5)。记录层(3)是具有以原子％表示的组分GexSbyTez的合金，其中0＜x＜15，50＜y＜80，10＜z＜30并且x+y+z＝100，并且记录层(3)具有从7到18nm的范围中选择的厚度。这样的介质(10)适合于具有大于25Mb/s的数据速率的高数据速率记录，同时记录层(6)保持相对薄，而具有相对高的光学透明度。
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公开(公告)号：CN1606081A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410085725.1
申请日：2004-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/2403 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B2007/0013 , Y10T428/265
Abstract: 提供了一种其中可以利用激光束来记录和再现信息的光信息记录介质。所述介质包括：具有引导槽的衬底、以及至少包括第一金属层、阻挡层和第二金属层(按照该次序沉积在衬底上)的多层膜、或者至少包括金属层和记录层(按照该次序沉积在衬底上)的单层金属膜。所述第二金属层和单层金属膜的金属层是包含Al和金属元素(添加剂)作为主要成分的材料。
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公开(公告)号：CN1604213A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410056369.0
申请日：2004-08-03
Applicant: 惠普开发有限公司
IPC: G11B9/10
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B7/2532 , G11B7/257 , G11B9/10 , G11B9/14 , G11B9/1463 , G11B9/1472 , G11B2007/2431 , G11B2007/24316 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , Y10T428/21
Abstract: 提供一种介质存储器件及所述器件的制造方法。所述器件包括数据层(303，403，503，603)，它能够借助于施加能量束(140)例如近场光学无衍射有限束或电子束来存储和擦除数据。将单独的顶盖层(306，406，506)淀积在数据层(303，403，503，603)上。单独的顶盖层(306，406，506)对所述能量束(140)相对透明并可由各种材料形成，包括(但不限于)外延材料、导电材料和坚固高熔点材料，例如钼。
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公开(公告)号：CN1604211A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410083508.9
申请日：2004-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/00454 , G11B7/2403 , G11B7/24038 , G11B7/24067 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10S430/146
Abstract: 本发明的信息记录媒体(15)，其特征在于包括：衬底(14)和设置在衬底(14)上的信息层(16)，上述信息层(16)包括：记录层(104)，其通过照射激光束或施加电能量，而能够在晶相和非晶相之间产生相变化；含Cr层(103或105)，其中至少含有Cr和O，该层布置成与上述记录层(104)的第1面相连接；以及含Ga层(105或103)，其中至少含有Ga和O，该层布置成与上述记录层的第2面相连接。
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公开(公告)号：CN1577553A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410063411.1
申请日：2004-07-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2437 , G11B7/2534 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变型光记录媒体，具有利用光照射被可逆地记录和擦除的相变型记录膜、和至少一层介电体膜，其特征在于：上述介电体膜的至少一层为含有Si、O和C，且C浓度为0.1－30原子％的SiOC膜。
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