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公开(公告)号:CN1577553A
公开(公告)日:2005-02-09
申请号:CN200410063411.1
申请日:2004-07-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2437 , G11B7/2534 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变型光记录媒体,具有利用光照射被可逆地记录和擦除的相变型记录膜、和至少一层介电体膜,其特征在于:上述介电体膜的至少一层为含有Si、O和C,且C浓度为0.1-30原子%的SiOC膜。
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公开(公告)号:CN1294582C
公开(公告)日:2007-01-10
申请号:CN200410063411.1
申请日:2004-07-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2437 , G11B7/2534 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变型光记录媒体,具有从光入射侧依次层叠第一介电体膜、相变型记录膜、第二介电体膜、反射膜而成的叠层结构,上述相变型记录膜利用光照射被可逆地记录和擦除,其特征在于:上述第一介电体膜是依次层叠高折射率介电体膜、低折射率介电体膜和高折射率介电体膜而成的层叠介电体膜,上述低折射率介电体膜为含有Si、O和C,且C浓度为0.1-30原子%的SiOC膜。
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