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公开(公告)号：CN1628347A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN03803321.6
申请日：2003-01-24
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/00454 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 描述了一种可重写的光学存储介质(10)，其包括基片(1)、第一电介质层(2)、Ge－Sb－Te基础上的相位变化记录层(3)、第二电介质层(4)和金属反射层(5)。记录层(3)是具有以原子％表示的组分GexSbyTez的合金，其中0＜x＜15，50＜y＜80，10＜z＜30并且x+y+z＝100，并且记录层(3)具有从7到18nm的范围中选择的厚度。这样的介质(10)适合于具有大于25Mb/s的数据速率的高数据速率记录，同时记录层(6)保持相对薄，而具有相对高的光学透明度。
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公开(公告)号：CN100533563C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN03803321.6
申请日：2003-01-24
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/00454 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 描述了一种可重写的光学存储介质(10)，其包括基片(1)、第一电介质层(2)、Ge-Sb-Te基础上的相位变化记录层(3)、第二电介质层(4)和金属反射层(5)。记录层(3)是具有以原子%表示的组分GexSbyTez的合金，其中0＜x＜15，50＜y＜80，10＜z＜30并且x+y+z＝100，并且记录层(3)具有从7到13nm的范围中选择的厚度。这样的介质(10)适合于具有大于25Mb/s的数据速率的高数据速率记录，同时记录层(6)保持相对薄，而具有相对高的光学透明度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1726535A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200380105836.8
申请日：2003-11-18
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： J·H·M·斯普鲁伊特 , J·C·N·里佩斯
CPC classification number: G11B19/12 , G11B7/0062 , G11B20/10 , G11B20/10009 , G11B2020/10879 , G11B2020/10981
Abstract: 本发明涉及一种记录载体，所述记录载体包括用于记录过程的多组记录参数。所述记录参数定义了所谓的写入策略，其用于把要加以记录的信息信号转换为用于把信息记录在所述记录载体上的脉冲式辐射光束。通过提供多组记录参数，就可以在各种记录速度上获得质量好的记录，其中每一组记录参数与具体的记录速度范围相关。
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公开(公告)号：CN1630901A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN02823567.3
申请日：2002-11-25
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： J·C·N·里佩斯 , B·A·J·贾科布斯
IPC: G11B7/0045 , G11B7/125
CPC classification number: G11B7/006
Abstract: 本发明涉及一种用于在相变型存储介质上记录标记(1)的方法以及记录设备。通常，一个nT标记(1)是通过一个n－1或更少的写脉冲序列记录的。在慢冷却叠层中，这将导致低质量的标记。本发明提出通过应用多脉冲(3)而增加写脉冲序列中的多脉冲(3)之间的冷却周期，所述多脉冲的脉冲持续时间为Tmp＜4ns，且占空周期为Tmp/Tw，其中Tw为参考时钟周期时间且Tw＜40ns。以这种方式，即使在巨大数量的直接重写(DOW)周期之后和在宽记录功率和记录速度范围的情况下，也能获得质量非常好的标记(1)。
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公开(公告)号：CN1589470A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN02823228.3
申请日：2002-10-24
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/2578 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , Y10T428/21
Abstract: 描述了一种用于通过聚焦激光束(30)可重写地进行记录的多堆叠光学数据存储介质(20)，所述介质(20)具有基片(1)，在该基片的一侧上淀积有：第一记录堆叠(2)，包括相变型记录层(6)；至少一个另外记录堆叠(3)，包括相变型记录层(12)；相邻于每一个另外记录堆叠(3)的透明衬垫层(9)；该另外记录堆叠(3)具有充足的透射性，以便确保在第一记录堆叠(2)中读和记录的合适敏感性。为了该目的，由HfNx构成的至少一个散热层(10)存在于记录堆叠(3)的至少一个中，其中1.1≤x≤1.6。散热层(10)还确保该另外记录堆叠(3)的记录层(12)的合适冷却行为，以便在该另外记录堆叠(3)中得到充足的记录性能。
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公开(公告)号：CN1312686C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN02823228.3
申请日：2002-10-24
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/2578 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , Y10T428/21
Abstract: 描述了一种用于通过聚焦激光束(30)可重写地进行记录的多堆叠光学数据存储介质(20)，所述介质(20)具有基片(1)，在该基片的一侧上淀积有：第一记录堆叠(2)，包括相变型记录层(6)；至少一个另外记录堆叠(3)，包括相变型记录层(12)；相邻于每一个另外记录堆叠(3)的透明衬垫层(9)；该另外记录堆叠(3)具有充足的透射性，以便确保在第一记录堆叠(2)中读和记录的合适敏感性。为了该目的，由HfNx构成的至少一个散热层(10)存在于记录堆叠(3)的至少一个中，其中1.1≤x≤1.6。散热层(10)还确保该另外记录堆叠(3)的记录层(12)的合适冷却行为，以便在该另外记录堆叠(3)中得到充足的记录性能。
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公开(公告)号：CN1650360A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN03809939.X
申请日：2003-04-11
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/24038 , G11B7/258 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 本发明描述了一种用于在记录过程中使用穿过介质(20)的入射表面(16)的聚焦射束(30)实现可重写的记录的多叠层光学数据存储介质(20)。所述介质(20)具有基底(1)。其一侧沉积有包括相变型记录层(6)的第一记录叠层(2)。所述第一记录叠层(2)位于最远离入射表面(16)的位置上。至少一个另外的记录叠层(3)，包括相变型记录层(12)，相比于第一记录叠层(2)更靠近入射表面(16)。对于射束(30)而言是透明的Cu质金属反射层位于另一记录层(3)上，厚度在2到10nm之间。透明隔离层(9)位于记录叠层(2，3)之间。这样，可以实现具有高光学透射率和足够的散热效果的金属反射层(14)，其对相邻层的化学反应性还很低。
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