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公开(公告)号：CN100370531C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200410089695.1
申请日：2004-10-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/2433 , G11B7/252 , G11B7/2534 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变型光记录媒体，具有配置在靠近光入射侧的位置上的包含相变型光记录膜的第一信息层；配置在远离光入射侧的位置上的包含相变型光记录膜的第二信息层；以及设置在上述第一信息层和第二信息层之间的层间分离层，第一信息层及第二信息层中的至少一个包含与层间分离层接触的噪声缓和膜，噪声缓和膜由SiOx(1≤x≤2)或SiOC形成。
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公开(公告)号：CN100411036C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200510108548.9
申请日：2005-09-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种相变光学记录介质包括：一记录膜，其在光照射条件下引起晶相和非晶相两者间的可逆相变；以及一形成为与该记录膜其中至少一个表面接触的界面膜，其包含Hf(铪)、O(氧)、以及N(氮)。
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公开(公告)号：CN101038765A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710087436.9
申请日：2007-03-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/0053 , G11B7/24079 , G11B7/243 , G11B7/256
Abstract: 本发明提供了一种光盘，根据一个实施例，所述光盘包括：基片层(11)，其折射率从1.50到1.70，并且厚度X(μm)等于或大于f(n)－13μm；第一信息层(12)，形成于所述基片层上；粘合层(13)，形成于所述第一信息层上并且厚度Y(μm)等于或大于20μm；以及第二信息层(14)，形成于所述粘合层上，其中，满足X+Y≤f(n)+30μm并且f(n)＜X+Y/2，f(n)由下面公式给出：f(n)＝(A1×n3)(n2+A2)/(n2－1)(n2+A3)×1000(μm)，其中，“n”是所述基片层的折射率，A1是0.26200，A2是－0.32400，A3是0.00595。
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公开(公告)号：CN1494072A
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN03159492.1
申请日：2003-09-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/00718 , G11B7/257 , G11B7/258
Abstract: 根据本发明的一个实施例的相变光记录介质包括衬底(1)、反射光束的反射层(6)、相变记录层(4)，该相变记录层位于衬底和反射层之间并且当用光束照射时在晶态和非晶态之间变化，位于衬底和反射层之间的第一介电层(2)，以及位于衬底和第一介电层之间的第二介电层(3)，该介电层的导热率低于第一介电层的导热率。
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公开(公告)号：CN100377245C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200410011497.3
申请日：2004-12-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B19/127 , G11B7/00736 , G11B7/24038 , G11B2007/0006
Abstract: 本发明提供一种光盘设备，其中有选择地装入第一、第二、第三和第四光盘，第一和第二光盘具有不同的记录膜特性，并且都具有单层记录层，第三和第四光盘具有不同的记录膜特性，并且都具有双层记录层。控制部分(420)根据来自光头(402)的再现信号的电平，确定第一到第四光盘中的哪一个被装入。充当光盘的记录介质被这样形成，使得初始化状态下的单层L-H介质，初始化状态下的双层H-L介质的L0层，和未初始化状态下的双层L-H介质的L0层的光反射率不重叠初始化状态下的单层H-L介质的光反射率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1953074A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610142565.9
申请日：2004-07-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2437 , G11B7/2534 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种制造相变型光记录媒体的方法，该相变型光记录媒体具有利用光照射被可逆地记录和擦除的相变型记录膜和至少一层介电体膜，该方法的特征在于包括以下步骤：制备SiC靶或包括Si和SiC的混合靶，以形成至少一层介电体膜；在含有Ar和O2的气体中进行DC溅射来沉积含有Si、O和C的SiOC膜，该SiOC膜的碳浓度为0.1－30原子％。
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公开(公告)号：CN1637908A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410011497.3
申请日：2004-12-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B19/127 , G11B7/00736 , G11B7/24038 , G11B2007/0006
Abstract: 本发明提供一种光盘设备，其中有选择地装入第一、第二、第三和第四光盘，第一和第二光盘具有不同的记录膜特性，并且都具有单层记录层，第三和第四光盘具有不同的记录膜特性，并且都具有双层记录层。控制部分(420)根据来自光头(402)的再现信号的电平，确定第一到第四光盘中的哪一个被装入。充当光盘的记录介质被这样形成，使得初始化状态下的单层L－H介质，初始化状态下的双层H－L介质的L0层，和未初始化状态下的双层L－H介质的L0层的光反射率不重叠初始化状态下的单层H－L介质的光反射率。
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公开(公告)号：CN1577553A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410063411.1
申请日：2004-07-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2437 , G11B7/2534 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变型光记录媒体，具有利用光照射被可逆地记录和擦除的相变型记录膜、和至少一层介电体膜，其特征在于：上述介电体膜的至少一层为含有Si、O和C，且C浓度为0.1－30原子％的SiOC膜。
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公开(公告)号：CN101013586B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200710003356.0
申请日：2007-02-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2578 , G11B7/266 , G11B2007/0013 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变光盘，其具有基片(1a，1b)和包括干涉膜、相变记录膜、分界面膜和反射膜的多层结构(19，20)，在该相变光盘中可使用光可逆地把信息记录到记录膜上或从记录膜上擦除，构成相变记录膜的元素(例如，锗或碲)从接触相变记录膜(13a，13b)的部分(21a，21b)起在记录膜的厚度方向上具有偏析分布或浓度分布。
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公开(公告)号：CN100543175C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200610103049.5
申请日：2006-07-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/3414 , G11B7/252 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 一种溅射靶，包含Si和C作为其主要成分，并包括其中Si相以网状连续地存在于SiC晶粒间的间隙中的结构。Si相的平均直径被控制到1000nm或更小。在含氧气体中溅射所述溅射靶，从而淀积包含作为其主要成分的硅(Si)和氧(O)，以及除主要成分以外的第三元素的光学薄膜，所述第三元素的总量在10至2000ppm的范围内。
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