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公开(公告)号：CN111834344B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010530384.3
申请日：2020-06-11
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低电磁损耗的硅基氮化镓微波毫米波传输线及其制备方法，该硅基氮化镓微波毫米波传输线包括硅衬底；三族氮化物外延层，设置在硅衬底的上表面；高频信号金属电极，设置在三族氮化物外延层的上表面；接地金属电极，设置在高频信号金属电极的两侧和/或硅衬底的下表面，其中，在硅衬底与三族氮化物外延层之间包括内部空腔，内部空腔的至少一部分开设在硅衬底中。该硅基氮化镓微波毫米波传输线能够有效减小硅基氮化镓材料的电磁损耗，提高了硅基氮化镓微波毫米波器件的输出功率和效率，满足微波毫米波射频电路和系统的应用要求。
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公开(公告)号：CN113675260A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110863565.2
申请日：2021-07-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，公开了一种基于线性缓变掺杂漂移层的GaN肖特基二极管及其制备方法，该二极管包括：从下至上依次层叠设置的阴极、GaN衬底、GaN缓冲层、GaN漂移层和阳极；其中，所述GaN漂移层为线性缓变掺杂GaN漂移层。通过引入线性缓变掺杂漂移层结构使得肖特基接触区域附近净载流子浓度减少，有效抑制阳极金属与GaN接触面处的峰值电场，提高器件的击穿电压。在适合的漂移层厚度下，与传统的垂直结构肖特基二极管相比，本发明提出的二极管在保证较大正向输出特性的同时，具有较高的击穿电压。
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公开(公告)号：CN110729351B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201910993203.8
申请日：2019-10-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/41 , H01L29/861 , H01L21/28 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种大功率阴阳极环形叉指GaN准垂直pn结二极管及其制备方法，主要解决目前GaN准垂直pn结二极管输出功率无法满足更高功率需求的问题。其自下而上包括：衬底(1)、缓冲层(2)和n型GaN层(3)，n型GaN层(3)的上部设有p型GaN层(4)和阴极(5)，p型GaN层(4)的上部设有阳极(6)，该阴极和阳极采用环形叉指结构，即阳极是以实心圆为中心，外部分布多个开口圆环的同心结构；阴极是分布在阳极环之间的多个开口圆环，形成阳极环与阴极环的同心环形交替嵌套结构。本发明降低了电场的边缘效应，并通过多层环形互连提高了GaN准垂直二极管输出功率密度，可用于微波整流、功率开关电路。
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公开(公告)号：CN112768512A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110045034.2
申请日：2021-01-13
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/40 , H01L29/20 , H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种基于凹槽阳极结构的AlGaN基双沟道肖特基二极管及制备方法，该二极管包括：自下而上依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层、第一势垒层、超晶格层、第二势垒层和GaN帽层，其中，沟道层和第一势垒层之间形成第一导电沟道，超晶格层与第二势垒层之间形成第二导电沟道；阳极，设置在GaN帽层上，且其底部依次穿过GaN帽层和第二势垒层，位于超晶格层内，阳极与超晶格层形成肖特基接触；阴极，设置在GaN帽层上，且围设在阳极的外周，阴极与阳极之间存在间距，阴极与GaN帽层形成欧姆接触。本发明的基于凹槽阳极结构的AlGaN基双沟道肖特基二极管，增加了导电沟道，进一步提高了电子浓度，减少导通电阻。
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公开(公告)号：CN112614889A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011490799.9
申请日：2020-12-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于纵向肖特基源隧穿结的全垂直场效应晶体管及方法，包括：衬底层(1)、n+缓冲层(2)、n‑漂移层(3)、栅介质层(4)、漏极(5)、栅极(6)、两个源极(7)、两个金属加厚层(8)。本发明中的器件本身为增强型，提高了器件对于噪声的抑制以及电路的安全性，同时增强型器件与现有的栅极驱动电路具有良好的兼容性。本发明可以成功避免宽禁带半导体材料存在的P型掺杂剂激活率低以及P型材料层欧姆接触实现困难等问题。本发明利用栅电压控制肖特基源极隧穿电流的大小，可以实现高电流密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112614884A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011490832.8
申请日：2020-12-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种基于纵向肖特基隧穿发射结的半导体垂直IGBT及制备方法，包括：P+衬底层(1)、n+缓冲层(2)、n‑漂移层(3)、两个发射极(4)、栅介质层(5)、栅极(6)、两个金属加厚层(7)、钝化层(8)、集电极(9)。本发明简化了IGBT功率器件的工艺制造过程并使得其可以不需要P型基区便可以实现器件功能，提高了器件的击穿电压和降低了器件的导通电阻，从而提升了器件的高输出功率性能。
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公开(公告)号：CN111863807A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010747894.6
申请日：2020-07-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/06 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于源场板的单片异质集成Cascode结构场效应晶体管，主要解决现有Cascode结构场效应晶体管击穿特性较差的问题。其包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)和SiN隔离层(4)，SiN隔离层中间刻有隔离槽(17)；隔离槽的一侧印制有Si有源层(5)，以制备Si金属氧化物半导体场效应晶体管；隔离槽的另一侧横向依次设有第二源电极(6)、第二栅电极(7)和第二漏电极(8)，该源漏电极之间区域上设有钝化层(16)，该钝化层和第二源电极上淀积有源场板(9)，形成GaN高电子迁移率晶体管。本发明具有显著的击穿特性，可用作汽车、航空航天和发电站的电源转换器或反相器。
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公开(公告)号：CN111863806A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010747893.1
申请日：2020-07-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/06 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种双向阻断的单片异质集成Cascode结构场效应晶体管，主要解决现有单片异质集成Cascode结构场效应晶体管无反向阻断特性的问题。其包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)和SiN隔离层(4)，该SiN隔离层的中间刻有隔离槽(15)；隔离槽一侧的SiN隔离层上印制有Si有源层(5)，以制备Si金属氧化物半导体场效应晶体管；隔离槽的另一侧制备GaN高电子迁移率晶体管，且其漏电极(8)与AlGaN势垒层采用肖特基接触，形成双向阻断的单片异质集成Cascode结构场效应晶体管。本发明具有双向阻断特性，应用范围广，可用作汽车、航空航天、发电站的电源转换器或反相器。
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公开(公告)号：CN111834344A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010530384.3
申请日：2020-06-11
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低电磁损耗的硅基氮化镓微波毫米波传输线及其制备方法，该硅基氮化镓微波毫米波传输线包括硅衬底；三族氮化物外延层，设置在硅衬底的上表面；高频信号金属电极，设置在三族氮化物外延层的上表面；接地金属电极，设置在高频信号金属电极的两侧和/或硅衬底的下表面，其中，在硅衬底与三族氮化物外延层之间包括内部空腔，内部空腔的至少一部分开设在硅衬底中。该硅基氮化镓微波毫米波传输线能够有效减小硅基氮化镓材料的电磁损耗，提高了硅基氮化镓微波毫米波器件的输出功率和效率，满足微波毫米波射频电路和系统的应用要求。
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公开(公告)号：CN110571284A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910808515.7
申请日：2019-08-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/40 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种基于浮空场板结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管器件，主要解决现有技术击穿电压较低，可靠性较差的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、插入层(4)、势垒层(5)，势垒层(5)上方设有阳极(6)和阴极(7)，该阳极(6)与阴极(7)之间为钝化层(8)，钝化层(8)上淀积有浮空场板(9)，用于降低阳极下方边缘电场峰值，提高击穿电压。本发明具有工艺简单、成品率高和可靠性好的优点，可作为大功率系统以及开关应用的基本器件。
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