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公开(公告)号：CN109950142B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201910224900.7
申请日：2019-03-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明公开了一种无需助粘剂的高效率和保真度的瞬态胶带转印法，主要解决现有基于PDMS的转印技术转印效率低、保真度低、操作难度大的问题。其实现方案是：1)在SOI基片上制备单晶硅薄膜；2)在单晶硅薄膜上制备光刻胶锚点，并对SOI基片的埋氧化层进行刻蚀；3)取用瞬态胶带拾取SOI基片上的单晶硅薄膜；4)将带有单晶硅薄膜的瞬态胶带与接收衬底耦合；5)将耦合后的体系放入丙酮溶液中浸泡后再捞出吹干去除其胶带溶解的残留物，完成高效率、高保真度的转印。本发明改变了传统的转印方式，增强了转印技术的可靠性，降低了工艺难度和成本，具有更高的转印效率与保真度，可用于异质集成芯片制作。
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公开(公告)号：CN110634861A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910860757.0
申请日：2019-09-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/06 , H01L21/8232
Abstract: 本发明公开了基于智能剥离技术的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管，由GaN高电子迁移率晶体管和Si金属氧化物半导体场效应晶体管组合而成，其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)，AlGaN势垒层的中间刻有隔离槽(4)，以对所组合的两种晶体管进行电气隔离；隔离槽一侧的AlGaN势垒层上设有GaN高电子迁移率晶体管的源、漏、栅电极；隔离槽另一侧的AlGaN势垒层一侧上设有Si有源层(5)；该Si有源层键合到隔离槽一侧的AlGaN势垒层上，形成硅与氮化镓异质集成的单片芯片。本发明降低了制造成本，增强了器件的可靠性，可用于电源转换器及反相器电源控制与转换。
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公开(公告)号：CN110610936A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910860761.7
申请日：2019-09-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/06 , H01L21/8232
Abstract: 本发明公开了基于键合的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管，主要解决现有Cascode氮化镓高电子迁移率晶体管不能大面积单片集成的问题。其自上而下包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)，该AlGaN势垒层(3)的中间刻有隔离槽(4)，用于对GaN高电子迁移率晶体管和Si金属氧化物半导体场效应晶体管进行电气隔离；Si有源层(5)印制到隔离槽一侧的AlGaN势垒层(3)上面，形成硅与氮化镓异质集成的单片芯片。本发明可以实现晶圆级制造，增强了器件的可靠性，提高了芯片集成度，可用于电源转换器、反相器进行电源控制与转换的场景。
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公开(公告)号：CN111863808B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202010747898.4
申请日：2020-07-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/06 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于肖特基‑欧姆混合漏电极的单片异质集成Cascode晶体管，主要解决现有单片异质集成的Cascode结构场效应晶体管击穿特性较差的问题。其包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)和SiN隔离层(4)，该SiN隔离层的中间刻有隔离槽(15)；隔离槽的一侧印制有Si有源层(5)，以制备Si金属氧化物半导体场效应晶体管；隔离槽的另一侧制备GaN高电子迁移率晶体管，第二漏电极(8)部分区域与AlGaN势垒层形成欧姆接触，剩余区域与AlGaN势垒层形成肖特基接触。本发明提升了单片异质集成的Cascode结构场效应晶体管的击穿特性，可用于高压电源开关。
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公开(公告)号：CN110634861B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201910860757.0
申请日：2019-09-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/06 , H01L21/8232
Abstract: 本发明公开了基于智能剥离技术的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管，由GaN高电子迁移率晶体管和Si金属氧化物半导体场效应晶体管组合而成，其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)，AlGaN势垒层的中间刻有隔离槽(4)，以对所组合的两种晶体管进行电气隔离；隔离槽一侧的AlGaN势垒层上设有GaN高电子迁移率晶体管的源、漏、栅电极；隔离槽另一侧的AlGaN势垒层一侧上设有Si有源层(5)；该Si有源层键合到隔离槽一侧的AlGaN势垒层上，形成硅与氮化镓异质集成的单片芯片。本发明降低了制造成本，增强了器件的可靠性，可用于电源转换器及反相器电源控制与转换。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109950142A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910224900.7
申请日：2019-03-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明公开了一种无需助粘剂的高效率和保真度的瞬态胶带转印法，主要解决现有基于PDMS的转印技术转印效率低、保真度低、操作难度大的问题。其实现方案是：1)在SOI基片上制备单晶硅薄膜；2)在单晶硅薄膜上制备光刻胶锚点，并对SOI基片的埋氧化层进行刻蚀；3)取用瞬态胶带拾取SOI基片上的单晶硅薄膜；4)将带有单晶硅薄膜的瞬态胶带与接收衬底耦合；5)将耦合后的体系放入丙酮溶液中浸泡后再捞出吹干去除其胶带溶解的残留物，完成高效率、高保真度的转印。本发明改变了传统的转印方式，增强了转印技术的可靠性，降低了工艺难度和成本，具有更高的转印效率与保真度，可用于异质集成芯片制作。
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公开(公告)号：CN111863807B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202010747894.6
申请日：2020-07-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/06 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于源场板的单片异质集成Cascode结构场效应晶体管，主要解决现有Cascode结构场效应晶体管击穿特性较差的问题。其包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)和SiN隔离层(4)，SiN隔离层中间刻有隔离槽(17)；隔离槽的一侧印制有Si有源层(5)，以制备Si金属氧化物半导体场效应晶体管；隔离槽的另一侧横向依次设有第二源电极(6)、第二栅电极(7)和第二漏电极(8)，该源漏电极之间区域上设有钝化层(16)，该钝化层和第二源电极上淀积有源场板(9)，形成GaN高电子迁移率晶体管。本发明具有显著的击穿特性，可用作汽车、航空航天和发电站的电源转换器或反相器。
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公开(公告)号：CN110610938B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201910860000.1
申请日：2019-09-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/088 , H01L27/085 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了基于溶液法的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管，该器件由氮化镓高电子迁移率晶体管和氧化锌晶体管组合而成，其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)，AlGaN势垒层的中间刻有隔离槽(4)，以对所组合的两种晶体管进行电气隔离；隔离槽一侧的AlGaN势垒层上设有GaN高电子迁移率晶体管的源、漏、栅电极；隔离槽另一侧的AlGaN势垒层一侧上设有Al2O3绝缘层、ZnO薄膜以及氧化锌晶体管的源、漏、栅极，形成硅与氮化镓异质集成的单片芯片。本发明降低了制造成本，减小了芯片所占面积，提高了集成度，可用于汽车、航空航天、发电站中大规模集成电路的制造。
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公开(公告)号：CN111863807A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010747894.6
申请日：2020-07-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/06 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于源场板的单片异质集成Cascode结构场效应晶体管，主要解决现有Cascode结构场效应晶体管击穿特性较差的问题。其包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)和SiN隔离层(4)，SiN隔离层中间刻有隔离槽(17)；隔离槽的一侧印制有Si有源层(5)，以制备Si金属氧化物半导体场效应晶体管；隔离槽的另一侧横向依次设有第二源电极(6)、第二栅电极(7)和第二漏电极(8)，该源漏电极之间区域上设有钝化层(16)，该钝化层和第二源电极上淀积有源场板(9)，形成GaN高电子迁移率晶体管。本发明具有显著的击穿特性，可用作汽车、航空航天和发电站的电源转换器或反相器。
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公开(公告)号：CN111863806A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010747893.1
申请日：2020-07-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/06 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种双向阻断的单片异质集成Cascode结构场效应晶体管，主要解决现有单片异质集成Cascode结构场效应晶体管无反向阻断特性的问题。其包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)和SiN隔离层(4)，该SiN隔离层的中间刻有隔离槽(15)；隔离槽一侧的SiN隔离层上印制有Si有源层(5)，以制备Si金属氧化物半导体场效应晶体管；隔离槽的另一侧制备GaN高电子迁移率晶体管，且其漏电极(8)与AlGaN势垒层采用肖特基接触，形成双向阻断的单片异质集成Cascode结构场效应晶体管。本发明具有双向阻断特性，应用范围广，可用作汽车、航空航天、发电站的电源转换器或反相器。
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