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公开(公告)号：CN111967048B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202010834443.6
申请日：2020-08-19
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于信息安全技术领域，公开了一种面向基因组数据相似度的高效匹配及隐私保护方法、系统，客户端利用获取的系统参数对个人基因组数据进行转换加密，生成查询请求发送给云服务器请求搜索相似基因组，对接收到相似基因组标签进行混淆处理后发送给医疗机构终端请求相似患者信息并对自身健康状况做出评估；医疗机构终端生成系统参数并面向客户端提供注册服务，同时将存储在本地的基因组数据库外包给云服务面向用户提供相似基因组查询服务；云服务器存储医疗机构终端外包的加密遗传BK树，并在密文树上进行计算搜索，返回给用户相似基因组的标签集。本发明实现了医疗机构终端及用户的原始基因组数据隐私保护，提高了相似基因组的匹配效率。
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公开(公告)号：CN112133761A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010887566.6
申请日：2020-08-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/20
Abstract: 本发明涉及一种基于GaN横向结势垒肖特基二极管及其制备方法，此势垒肖特基二极管包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、插入层、势垒层和钝化层；P注入区，设置于缓冲层、插入层和势垒层内，位于缓冲层、插入层和势垒层的一端，P注入区包括若干P区和若干N区，且两个相邻所述P区之间未进行P注入的区域由于存在二维电子气即为N区；阳电极，位于P注入区的上表面；阴电极，位于势垒层的上表面，且位于势垒层远离阳电极的一端。本势垒肖特基二极管及其制备方法，通过P注入区与二维电子气形成梳状的横向PN结，有效屏蔽低势垒高度的肖特基结，可以抑制肖特基势垒降低效应及控制反向漏电流，提高击穿电压，同时保持较低的开启电压。
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公开(公告)号：CN110808279A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911097918.1
申请日：2019-11-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L21/329 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种基于F离子保护环结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管器件及制作方法，主要解决现有技术击穿电压较低，可靠性较差的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、插入层(4)、势垒层(5)，势垒层(5)上方设有阳极(7)和阴极(8)，势垒层(5)中的阳极下方1～3μm长度内注有F离子，形成F离子保护环(6)，该阳极与阴极之间为钝化层(9)。本发明由于在势垒层中设有F离子保护环，降低了阳极下方边缘电场峰值，提高了击穿电压，且工艺简单、成品率高和可靠性好，可作为大功率系统以及开关应用的基本器件。
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公开(公告)号：CN110718591A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201911097995.7
申请日：2019-11-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种基于凹槽型保护环结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管器件及制作方法，主要解决现有技术击穿电压较低，可靠性较差的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、插入层(4)、势垒层(5)，势垒层(5)上方设有阳极(7)和阴极(8)，势垒层(5)中的阳极下方刻有深度为10～15nm，宽度为1～3μm的凹槽，形成凹槽型保护环(6)，该阳极与阴极之间为钝化层(9)。本发明由于在势垒层中设有凹槽型保护环，降低了阳极下方边缘电场峰值，提高了击穿电压，且工艺简单、成品率高和可靠性好，可作为大功率系统以及开关应用的基本器件。
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公开(公告)号：CN109194523A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811163660.6
申请日：2018-10-01
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于信息安全技术领域，公开了一种隐私保护的多方诊断模型融合方法及系统、云端服务器；包括可信机构、云服务器和医疗中心终端。可信机构完成系统初始化，为医疗中心终端和云计算服务器提供系统参数和密钥分发；云计算服务器存储加密数据资源，将本地诊断模型进行融合，生成全局诊断模型；医疗中心终端产生本地诊断模型，并将本地诊断模型加密发送给云计算服务器，同时还承担云计算服务器发布的融合计算任务；医疗中心终端和云计算服务器在服务中会进行双向认证。本发明实现了医疗中心本地诊断模型和病例数据资源的隐私保护，提高了系统效率，可用于实际生活中为用户提供方便隐私的在线医疗服务。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113540208A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110658267.X
申请日：2021-06-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开了一种基于原位生长MIS结构的垂直GaN肖特基二极管，包括衬底，其特征在于，所述衬底的底部设置有阴极，所述衬底的顶部从下至上依次设置有n+层和漂移区，漂移区顶部设置有原位生长的介质层，介质层的顶部设置有阳极。本发明还提供了上述二极管的制备方法，包括以下步骤：S1、提供衬底，对衬底进行预处理和热处理，在衬底上淀积n+层；S2、在n+层上，淀积厚度为1‑10μm的漂移区；S3、在GaN漂移区上，直接原位生长一层介质层；S4、在衬底的底部淀积阴极金属；S5、在介质层上制作掩膜，在介质层上淀积阳极金属，即得到所述肖特基二极管。本发明提供的二极管，界面质量高，利于长期可靠性。
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公开(公告)号：CN109194523B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201811163660.6
申请日：2018-10-01
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于信息安全技术领域，公开了一种隐私保护的多方诊断模型融合方法及系统、云端服务器；包括可信机构、云服务器和医疗中心终端。可信机构完成系统初始化，为医疗中心终端和云计算服务器提供系统参数和密钥分发；云计算服务器存储加密数据资源，将本地诊断模型进行融合，生成全局诊断模型；医疗中心终端产生本地诊断模型，并将本地诊断模型加密发送给云计算服务器，同时还承担云计算服务器发布的融合计算任务；医疗中心终端和云计算服务器在服务中会进行双向认证。本发明实现了医疗中心本地诊断模型和病例数据资源的隐私保护，提高了系统效率，可用于实际生活中为用户提供方便隐私的在线医疗服务。
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公开(公告)号：CN112133762A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010887572.1
申请日：2020-08-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/417 , H01L29/06 , H01L29/20
Abstract: 本发明涉及一种基于ScAlN势垒层的肖特基二极管及其制备方法，此肖特基二极管包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、插入层、势垒层、帽层和钝化层；阳极凹槽，设置于所述缓冲层的上表面，且位于所述缓冲层、所述插入层、所述势垒层、所述帽层和所述钝化层的同一侧；阳电极，位于所述阳极凹槽内；阴电极，设置于所述帽层的上表面，且位于所述钝化层远离所述阳电极的一侧。本ScAlN势垒层的肖特基二极管及其制备方法，通过采用ScAlN材料的势垒层，可大幅度增大二维电子气面电荷密度，进而增大输出电流，实现高输出功率。同时，阳电极位于采用全凹槽结构的阳极凹槽内，可降低本肖特基二极管开启电压和导通电阻。
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公开(公告)号：CN110544678A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910842973.2
申请日：2019-09-06
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L23/31 , H01L29/40 , H01L21/329 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种基于多浮空场板与阴极场板复合结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管器件，主要解决现有技术击穿电压较低，可靠性较差的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、插入层(4)和势垒层(5)，该势垒层(5)上方设有阳极(6)和阴极(7)，该阳极(6)与阴极(7)之间为钝化层(8)，该钝化层上淀积有n个浮空场板(9)和一个阴极场板(10)，用于降低阳极与阴极下方边缘电场峰值，提高击穿电压n≥1，本发明具有工艺简单、成品率高和可靠性好的优点，可作为大功率系统以及开关应用的基本器件。
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公开(公告)号：CN113540231B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110658288.1
申请日：2021-06-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/20 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种基于原位生长MIS结构的P‑GaN高电子迁移率晶体管，包括衬底，衬底上从下至上依次设置有成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，势垒层的上部设置有源极、漏极和P‑GaN层，P‑GaN层的上部设置有原位生长的介质层，介质层上部设有栅极，势垒层、源极、漏极和栅极的上部设置有钝化层。本发明还提供了上述晶体管的制备方法，包括以下步骤：S1、提供衬底，淀积成核层；S2、淀积缓冲层和沟道层；S3、淀积势垒层；S4、淀积P‑GaN层；S5、在P‑GaN层上原位生长一层介质层；S6、刻蚀P‑GaN层和介质层；S7、分别制作掩膜，淀积源极、漏极和栅极，淀积钝化层，开孔，引出电极，即得到所述晶体管。
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