公开(公告)号：CN111863808B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202010747898.4

申请日：2020-07-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张春福 ,  陈大正 ,  杨国放 ,  张家祺 ,  武毅畅 ,  张苇杭 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种基于肖特基‑欧姆混合漏电极的单片异质集成Cascode晶体管，主要解决现有单片异质集成的Cascode结构场效应晶体管击穿特性较差的问题。其包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)和SiN隔离层(4)，该SiN隔离层的中间刻有隔离槽(15)；隔离槽的一侧印制有Si有源层(5)，以制备Si金属氧化物半导体场效应晶体管；隔离槽的另一侧制备GaN高电子迁移率晶体管，第二漏电极(8)部分区域与AlGaN势垒层形成欧姆接触，剩余区域与AlGaN势垒层形成肖特基接触。本发明提升了单片异质集成的Cascode结构场效应晶体管的击穿特性，可用于高压电源开关。

公开(公告)号：CN111863808A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010747898.4

申请日：2020-07-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张春福 ,  陈大正 ,  杨国放 ,  张家祺 ,  武毅畅 ,  张苇杭 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种基于肖特基-欧姆混合漏电极的单片异质集成Cascode晶体管，主要解决现有单片异质集成的Cascode结构场效应晶体管击穿特性较差的问题。其包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)和SiN隔离层(4)，该SiN隔离层的中间刻有隔离槽(15)；隔离槽的一侧印制有Si有源层(5)，以制备Si金属氧化物半导体场效应晶体管；隔离槽的另一侧制备GaN高电子迁移率晶体管，第二漏电极(8)部分区域与AlGaN势垒层形成欧姆接触，剩余区域与AlGaN势垒层形成肖特基接触。本发明提升了单片异质集成的Cascode结构场效应晶体管的击穿特性，可用于高压电源开关。

公开(公告)号：CN111863807B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202010747894.6

申请日：2020-07-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张春福 ,  张苇杭 ,  武毅畅 ,  张家祺 ,  杨国放 ,  陈大正 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种基于源场板的单片异质集成Cascode结构场效应晶体管，主要解决现有Cascode结构场效应晶体管击穿特性较差的问题。其包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)和SiN隔离层(4)，SiN隔离层中间刻有隔离槽(17)；隔离槽的一侧印制有Si有源层(5)，以制备Si金属氧化物半导体场效应晶体管；隔离槽的另一侧横向依次设有第二源电极(6)、第二栅电极(7)和第二漏电极(8)，该源漏电极之间区域上设有钝化层(16)，该钝化层和第二源电极上淀积有源场板(9)，形成GaN高电子迁移率晶体管。本发明具有显著的击穿特性，可用作汽车、航空航天和发电站的电源转换器或反相器。

公开(公告)号：CN111863807A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010747894.6

申请日：2020-07-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张春福 ,  张苇杭 ,  武毅畅 ,  张家祺 ,  杨国放 ,  陈大正 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种基于源场板的单片异质集成Cascode结构场效应晶体管，主要解决现有Cascode结构场效应晶体管击穿特性较差的问题。其包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)和SiN隔离层(4)，SiN隔离层中间刻有隔离槽(17)；隔离槽的一侧印制有Si有源层(5)，以制备Si金属氧化物半导体场效应晶体管；隔离槽的另一侧横向依次设有第二源电极(6)、第二栅电极(7)和第二漏电极(8)，该源漏电极之间区域上设有钝化层(16)，该钝化层和第二源电极上淀积有源场板(9)，形成GaN高电子迁移率晶体管。本发明具有显著的击穿特性，可用作汽车、航空航天和发电站的电源转换器或反相器。

公开(公告)号：CN111863806A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010747893.1

申请日：2020-07-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张春福 ,  张苇杭 ,  张家祺 ,  杨国放 ,  武毅畅 ,  陈大正 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种双向阻断的单片异质集成Cascode结构场效应晶体管，主要解决现有单片异质集成Cascode结构场效应晶体管无反向阻断特性的问题。其包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)和SiN隔离层(4)，该SiN隔离层的中间刻有隔离槽(15)；隔离槽一侧的SiN隔离层上印制有Si有源层(5)，以制备Si金属氧化物半导体场效应晶体管；隔离槽的另一侧制备GaN高电子迁移率晶体管，且其漏电极(8)与AlGaN势垒层采用肖特基接触，形成双向阻断的单片异质集成Cascode结构场效应晶体管。本发明具有双向阻断特性，应用范围广，可用作汽车、航空航天、发电站的电源转换器或反相器。