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公开(公告)号：CN101506895B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200780031340.9
申请日：2007-08-22
Applicant: 莫塞德技术公司
CPC classification number: G11C7/1042 , G11C7/10 , G11C7/1072 , G11C7/1078 , G11C7/20 , G11C8/04 , G11C16/0483
Abstract: 存储器系统体系结构具有串联的存储器设备。存储器系统为可扩缩的，以包括任意数量的存储器设备，而没有任何性能下降或者复杂的重新设计。每一个存储器设备具有串行的输入/输出接口，用于在其他存储器设备和存储器控制器之间通信。存储器控制器以至少一个位流来发布命令，其中该位流遵循模块化命令协议。该命令包括具有可选的地址信息和设备地址的操作码，使得仅有所寻址的存储器设备对命令起作用。与每个输出数据流和输入命令数据流并行地分别提供分离的数据输出选通和命令输入选通信号，用于识别数据的类型和数据的长度。模块化命令协议被用于在每一存储器设备中执行并发的操作以进一步提高性能。
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公开(公告)号：CN101278352B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200680036482.X
申请日：2006-09-29
Applicant: 莫塞德技术公司
IPC: G11C7/10 , G11C11/4197 , G11C16/06
Abstract: 本发明提供一种以菊花链级联排列串行耦合设备的技术。设备以菊花链级联排列被耦合，以使得第一设备的输出被耦合到在菊花链中第二设备的输入，从而提供信息的传送，如从第一设备向第二设备传送数据、地址和命令信息，以及控制信号。以菊花链级联耦合的设备包括串行输入(SI)和串行输出(SO)。信息通过SI输入到设备。信息通过SO从设备输出。菊花链级联中在先设备的SO被耦合到菊花链级联中在后设备的SI。通过设备的SI输入到在先设备的信息经过设备传送，并通过设备的SO输出设备。信息然后通过在先设备的SO与在后设备的SI之间的连接传送到在后设备的SI。
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公开(公告)号：CN102216997A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201080003026.1
申请日：2010-02-12
Applicant: 莫塞德技术公司
Inventor： 金镇祺
CPC classification number: G11C5/063 , G11C5/02 , G11C5/06 , G11C16/30 , H01L21/50 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/0554 , H01L2224/05573 , H01L2224/13025 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06596 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明公开了一种包括堆和多个电通路的系统。该堆包括第一非易失性存储芯片和第二非易失性存储芯片，该第二非易失性存储芯片缺少至少一些非核心电路。多个电通路在该第一非易失性芯片和该第二非易失性存储芯片之间延伸，该电通路有助于使该第一非易失性存储芯片向该第二非易失性存储芯片提供器件操作所需的信号和电压。
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公开(公告)号：CN102210022A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200980144853.X
申请日：2009-11-13
Applicant: 莫塞德技术公司
Inventor： 金镇祺
IPC: H01L25/065 , G11C7/10 , H01L27/115 , H05K3/06 , G06F3/06 , G11C16/02 , G11C5/02
CPC classification number: G06F1/16 , G06F3/0626 , G06F3/0658 , G06F3/0679 , H01L23/3121 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/0655 , H01L2224/45014 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H05K3/284 , H05K2201/10159 , H05K2203/049 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种固态驱动器。该固态驱动器包括具有相对的第一和第二表面的电路板。多个半导体芯片附加到该固态驱动器的电路板的第一表面，该固态驱动器的多个半导体芯片包括至少一个存储器芯片，该存储器芯片至少大致封装在树脂内。还公开了一种共线存储器模块类型形状因子的电路板。该共线存储器模块类型形状因子的电路板具有相对的第一和第二表面。多个半导体芯片附加到共线存储器模块类型形状因子的电路板的第一表面，这些半导体芯片包括至少一个存储器芯片，该存储器芯片至少大致封装在树脂内。
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公开(公告)号：CN102177549A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200980140302.6
申请日：2009-10-14
Applicant: 莫塞德技术公司
Abstract: 一种复合存储装置，它包括分立的存储装置和用于控制这些分立存储装置的桥接装置，该桥接装置响应于全局存储器控制信号来控制这些分立存储装置，全局存储器控制信号具有与这些存储装置不兼容的格式或协议。这些分立存储装置可以是能用商业手段得到的成品存储装置或者定制存储装置，它们对本机或本地存储器控制信号做出响应。全局和本地存储器控制信号包括各自具有不同格式的命令和命令信号。该复合存储装置包括系统级封装，该系统级封装包括分立存储装置和桥接装置的半导体管芯，或者该复合存储装置可以包括安装有封装分立存储装置和封装桥接装置的印刷电路板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101919002A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200880119297.6
申请日：2008-12-11
Applicant: 莫塞德技术公司
CPC classification number: G11C5/06 , G11C5/02 , G11C5/04 , H01L23/481 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/49113 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/20752 , H01L2924/00015
Abstract: 第一存储器装置和第二存储器装置具有相同的输入/输出布局结构。为了形成堆叠，将第二存储器装置固定到第一存储器装置。为促进连接性，第二存储器装置关于第一存储器装置在堆叠中旋转偏移，来将第一存储器装置的输出和第二存储器装置的对应输入对准。第二存储器装置关于第一存储器装置在堆叠中旋转偏移导致第一存储器装置的一个或者多个输出和第二存储器装置的一个或者多个相应输入对准。基于堆叠中一个存储器装置和另一个的输出和输入之间的链路，存储器装置的堆叠可以包括促进通过存储器装置的一个或者多个串行连接结构的路径。
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公开(公告)号：CN101842849A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200880113731.X
申请日：2008-12-23
Applicant: 莫塞德技术公司
Inventor： 金镇祺
CPC classification number: G11C16/3427 , G11C16/0483 , G11C16/16 , G11C16/26 , H01L27/11521 , H01L27/11524
Abstract: 一种NAND闪速存储器，具有连接到页面缓冲器的存储器阵列的多个位线，其中在至少两个阱部分中形成连接到同一位线的NAND单元串。至少一个阱部分可在擦除操作期间选择性地耦合到擦除电压，这样防止未选阱部分接收擦除电压。当阱部分的面积减小时，引起每个阱部分中的电容相应降低。相应地，电荷泵电路驱动能力保持不变时，相对于单阱存储体获得更高的NAND闪速存储单元擦除速度。或者，通过将具有特定面积的阱部分和具有降低的驱动能力的电荷泵匹配，实现对应于单阱存储体的恒定擦除速度。降低了驱动能力的电荷泵占据较小半导体芯片面积，从而降低了成本。
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公开(公告)号：CN101563729A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200780046944.0
申请日：2007-12-18
Applicant: 莫塞德技术公司
Inventor： 金镇祺
IPC: G11C7/10 , G06F12/00 , G06F13/14 , G11C11/4063 , G11C11/413 , G11C7/20
CPC classification number: G11C14/0018 , G11C11/005
Abstract: 提供用于保存数据的混合固态存储器系统。固态存储器系统包括易失性固态存储器、非易失性固态存储器和存储器控制器。此外，提供一种用于在固态存储器系统中保存数据的方法，所述方法包括下面的步骤。由存储器控制器接收写命令。响应于写命令，在易失性存储器中保存写数据。响应于数据传送请求，从易失性存储器传送数据到非易失性存储器。
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公开(公告)号：CN101449251A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200780018781.5
申请日：2007-05-18
Applicant: 莫塞德技术公司
CPC classification number: G06F13/4256 , G06F2213/0052
Abstract: 一种操作处于串行互连配置中的多个设备来为每个设备建立设备标识符(ID)的方法或装置。输入信号使用输入通过串行互连传输到第一设备，第一设备还使用该输入来输入其它信息(例如，数据、命令、控制信号)。发生电路响应该输入信号产生设备ID。转移电路随后将与设备ID相关的输出信号通过第一设备的串行输出传递到第二设备。第一设备还使用该串行输出将其它信息(例如，信号、数据)输出到串行互连配置中的另一个设备。
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公开(公告)号：CN101278354A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200680036462.2
申请日：2006-09-29
Applicant: 莫塞德技术公司
IPC: G11C11/4193 , G11C11/4197 , G11C16/06
Abstract: 本发明公开一种用于在半导体存储器中串行数据链接接口和存储体之间控制数据传输的装置、系统和方法。在一实施例中，本发明公开了一种具有多个串行数据链接和多个存储体的闪烁存储器设备，其中，所述链接独立于所述多个体。所述闪烁存储器设备可以以菊花链配置级联，并在存储器设备之间使用回波信号线串行通信。此外，本发明描述了一种虚拟多链接配置，其中使用单个链接来模拟多链接。
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