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公开(公告)号：CN115132596A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210781089.4
申请日：2022-07-04
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本申请提供了一种芯片的封装方法和封装结构。该方法包括：提供基底，基底包括衬底、芯片结构以及金属层，其中，芯片结构位于衬底第一表面上，金属层位于衬底的第二表面上，第一表面与第二表面相对；在金属层远离衬底的表面上形成第一导电胶层，得到目标晶圆；对目标晶圆进行切割以及封装。该方法通过在衬底第二表面的金属层上形成第一导电胶层，可以增加目标晶圆的厚度，减小金属层的应力，因此，降低晶圆因太薄切割裂片的风险以及运输时容易碎片的风险，进而解决了现有技术中晶圆切割和运输过程中容易出现裂片或碎片的问题。
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公开(公告)号：CN112582386B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201910925754.0
申请日：2019-09-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/367 , H01L23/498 , H01L21/50
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及其制备方法、电器设备，该功率模块包括：DBC基板，所述DBC基板包括绝缘陶瓷层以及分别固定在所述绝缘陶瓷层相对两侧的电路层及散热层；设置在所述电路层上的至少一个第一芯片及至少一个第二芯片，且每个第一芯片与所述电路层电连接；镶嵌在所述绝缘陶瓷层并与所述电路层同层设置的印刷电路板；其中，所述印刷电路板与所述至少一个第一芯片电连接，且所述印刷电路板环绕所述至少一个第二芯片并与每个第二芯片电连接。在上述技术方案中，通过采用将印刷电路板镶嵌在DBC基板中用于走线，方便芯片的走线，并且芯片可以通过DBC基板直接散热，提高了散热效果。
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公开(公告)号：CN112993006A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911276730.3
申请日：2019-12-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/335
Abstract: 本申请涉及电力电子器件技术领域，特别涉及一种终端结构、其制作方法及电子器件，其中，终端结构包括衬底，衬底具有主结原胞区和终端区，终端区包括靠近主结原胞区的过渡区和位于过渡区远离主结原胞区一侧的截止环；其中，衬底在位于过渡区与截止环之间的部位具有至少一个沟槽，终端区内形成有电容场板，电容场板覆盖各沟槽的侧面。本申请公开的终端结构，能够降低终端结构的面积占比，从而降低芯片的制造成本。
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公开(公告)号：CN112582386A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910925754.0
申请日：2019-09-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/367 , H01L23/498 , H01L21/50
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及其制备方法、电器设备，该功率模块包括：DBC基板，所述DBC基板包括绝缘陶瓷层以及分别固定在所述绝缘陶瓷层相对两侧的电路层及散热层；设置在所述电路层上的至少一个第一芯片及至少一个第二芯片，且每个第一芯片与所述电路层电连接；镶嵌在所述绝缘陶瓷层并与所述电路层同层设置的印刷电路板；其中，所述印刷电路板与所述至少一个第一芯片电连接，且所述印刷电路板环绕所述至少一个第二芯片并与每个第二芯片电连接。在上述技术方案中，通过采用将印刷电路板镶嵌在DBC基板中用于走线，方便芯片的走线，并且芯片可以通过DBC基板直接散热，提高了散热效果。
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公开(公告)号：CN111261710A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201811466031.0
申请日：2018-12-03
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及功率半导体芯片技术领域，公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该晶体管中包括衬底，衬底上设有集电极层和器件层，器件层在衬底上的投影包括至少两个相对的侧边与集电极层在衬底上投影的边缘具有设定距离，器件层外表面包覆有介质层，介质层背离器件层一侧形成有发射极键合金属层，集电极层背离衬底一侧位于器件层以外区域内设有集电极键合金属层。上述晶体管中，当对晶体管通电时，电子依次经过发射极键合金属层、器件层、集电极层、集电极键合金属层，实现电流导通，从而电流的通过路径不经过衬底，使得晶体管中可以采用较厚的衬底来承载超薄器件层，不需要采用超薄的减薄工艺和相关的复杂步骤，降低了制造成本以及制造难度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106646176A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610912329.4
申请日：2016-10-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 廖勇波
CPC classification number: G01R31/2601 , G01R31/129
Abstract: 本发明公开了一种筛选晶体管的方法及装置，该方法中，确定大于晶体管的额定漏电电流值的第一漏电电流值，并获取晶体管在第一漏电电流值时测试得到的第一耐压值，再根据第一耐压值，筛选出发生软击穿的晶体管。通过本发明实施例以筛选出合格率较高的晶体管。
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公开(公告)号：CN119944576A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411929444.3
申请日：2024-12-25
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种检测电路和太阳能逆变器，本发明可以通过门驱动器可以依据锁存器送来的放大后的故障信号，能够精准地对晶体管的状态进行控制，在短路发生时，门驱动器可迅速采取措施，如断开晶体管的导通，从而及时切断短路电流，防止故障进一步扩大；并且在故障解除后，门驱动器也能够根据系统的整体控制逻辑，合理地恢复晶体管的正常工作状态，实现了对晶体管在故障期间及后续运行过程中的有效管理与调控，提高了整个电路系统的可靠性、稳定性以及可恢复性，保障了电路系统在复杂工况下的持续正常运行。
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公开(公告)号：CN119805144A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411827417.5
申请日：2024-12-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明实施例提供了一种智能功率模块的测试电路，智能功率模块包括驱动芯片和功率器件，测试电路包括信号发生模块、电源模块、可调负载模块和数据采集模块；驱动芯片，用于控制功率器件的工作状态；信号发生模块，用于根据预设工况需求信息，控制驱动芯片的输出状态；电源模块，用于根据预设电压需求信息，对功率器件提供母线电压；可调负载模块，用于根据预设负载需求信息，对功率器件提供负载；数据采集模块，用于采集功率器件的电压和电流。通过信号发生模块、电源模块和可调负载模块控制功率器件，并采集功率器件的电压和电流的方式，对智能功率模块测试，从而提高了测试效率并节省了开发周期。
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公开(公告)号：CN119766060A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411933138.7
申请日：2024-12-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种智能功率模块和芯片，包括驱动电路、功率因数校正电路和逆变电路；驱动电路与功率因数校正电路和逆变电路连接，用于控制功率因数校正电路和逆变电路的工作状态；功率因数校正电路与逆变电路连接，包括多个金属氧化物半导体场效应晶体管，功率因数校正电路用于在多个金属氧化物半导体场效应晶体管分别处于不同的工作状态下，对接收的第一交流电压整流后，向逆变电路传输直流电压；逆变电路用于接收直流电压，将直流电压转换为第二交流电压，以传输至负载。通过将功率因数校正电路集成在智能功率模块内，避免了功率因数校正电路位于前端电源部分导致电源部分电路占据PCB板的面积过大，而导致整个系统的成本显著攀升。
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公开(公告)号：CN119584598A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411599684.1
申请日：2024-11-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种金属氧化物半导体场效应管及其制备方法，所述金属氧化物半导体场效应管中每个元胞包括漏极金属层、衬底、外延层、电流扩展层、基区层、注入层、源极金属区和栅极区；漏极金属层、衬底、外延层、电流扩展层、基区层和注入层依次层叠；源极金属区的上部覆盖注入层和栅极区的上表面，源极金属区的下部贯穿注入层、基区层和电流扩展层并延伸至外延层中的埋层区；源极金属区的侧壁包括肖特基接触区和以侧壁作为纵向中心线的栅极区。本申请实施例在保证碳化硅金属氧化物半导体场效应管的导通压降和可靠性的同时，提高了金属氧化物半导体场效应管的动态特性。
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