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公开(公告)号：CN117998869A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410171505.8
申请日：2024-02-06
Applicant: 清华大学 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
Abstract: 提供一种存储装置及其制作方法，存储装置包括第一存储器和第二存储器；第一存储器包括沿第一方向层叠设置的第一电极、第一阻变层和第二电极；第二存储器包括沿第一方向层叠设置的第三电极、第二阻变层和第四电极；第一电极包括彼此连接的第一材料层和第二材料层，第一材料层的材料与至少部分第二材料层的材料不同；第一材料层和第二材料层均与第一阻变层接触，且至少部分第二材料层与第三电极同层设置。本公开提供的存储装置及其制作方法，能够简化第一存储器和第二存储器的集成工艺，而且无需占用额外的版图面积即可实现更复杂的电路系统功能。
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公开(公告)号：CN117993451A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410145941.8
申请日：2024-02-01
Applicant: 清华大学
Abstract: 本公开的实施例提供了一种储备池控制器、电子设备以及储备池控制器的操作方法和训练方法，该储备池控制器包括信号输入模块、储备池计算模块、逻辑控制模块和控制量输出模块，其中，信号输入模块被配置为提供输入信号；储备池计算模块被配置为接收输入信号并执行储备池计算以获得输出信号；控制量输出模块被配置为根据输出信号输出控制量信号；逻辑控制模块与储备池计算模块耦接且被配置为控制储备池计算模块的操作。基于储备池计算的储备池控制器实现了储备池计算算法在实时计算领域的应用，并且具有硬件成本低和功耗低的优势。
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公开(公告)号：CN117787350A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311518309.5
申请日：2023-11-14
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及忆阻贝叶斯神经网络技术领域，特别涉及一种忆阻贝叶斯神经网络的关键权重在线更新方法及装置，其中，方法包括：利用预设数据集对忆阻贝叶斯神经网络进行训练，以优化权重的后验分布，得到最优权重后验分布；根据最优权重后验分布计算损失函数对均值的梯度和标准差的梯度；根据均值的梯度和标准差的梯度计算权重信噪比变化值；选择训练后的忆阻贝叶斯神经网络的当前关键权重，利用权重信噪比变化值更新当前关键权重，得到新的关键权重，以作为当前关键权重，迭代执行训练过程，直至训练后的忆阻贝叶斯神经网络达到预设收敛条件。由此，解决了现有训练过程中需要进行大量读取和编程操作，难以实现高速且高效的在线训练等问题。
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公开(公告)号：CN117651426A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311662245.6
申请日：2023-12-06
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种数据处理装置和制造数据处理装置的方法。该数据处理装置包括控制电路层和与控制电路层层叠设置的存储阵列层。控制电路层包括控制电路，控制电路包括多个第一晶体管，控制电路层包括第一金属层，第一金属层包括多个第一晶体管的源极和/或漏极；存储阵列层包括存储阵列，存储阵列包括排列为多行多列的多个存储单元，多个存储单元每个包括第二晶体管以及与第二晶体管电连接的存储器，存储器包括依次层叠的第一电极、存储功能层；控制电路，被配置为控制存储阵列的操作；第一金属层还包括复用为存储器的第二电极的部分，存储功能层夹置在第一电极和第二电极之间。该数据处理装置可以简化制造工艺，提高数据处理装置的集成度和数据处理效率。
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公开(公告)号：CN117577151A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311657064.4
申请日：2023-12-05
Applicant: 清华大学
Abstract: 本公开的实施例提供了一种存储单元、忆阻器阵列、存算一体电路、操作方法。该存储单元包括n个权重单元以及横向选通管。n个权重单元中的每个包括第一忆阻器元件和第一开关元件，第一忆阻器元件的第一电极与第一开关元件的第一极电连接，第一忆阻器元件的第二电极作为对应的权重单元的第二端且用于接收第一位线信号，n个权重单元的第一开关元件的第二极分别用作对应的权重单元的第一端且彼此电连接，并与横向选通管的第一端电连接，各个第一开关元件的控制极分别用于接收不同的第一字线信号，横向选通管的第二端用于接收源线信号，横向选通管的控制端用于接收第二字线信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117497026A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202210876166.4
申请日：2022-07-25
Applicant: 清华大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供一种存储器单元、阵列电路结构及数据处理方法。存储器单元包括至少一个阻变器件和至少两个开关元件，至少一个阻变器件包括第一阻变器件，至少两个开关元件包括第一开关元件以及第二开关元件，第一阻变器件的第一端与第一位线端连接；第一开关元件的第一极与第一阻变器件的第二端连接，第一开关元件的第二极与第二开关元件的第一极连接，第一开关元件的控制极与第一字线端连接；第二开关元件的第二极与源线端连接，第二开关元件的控制极与选择控制端连接。该存储器单元可实现对至少一个阻变器件单独控制，当多个该存储器单元设置于阵列电路中进行并行计算时，可使得阵列电路结构具有较高的控制灵活性，功耗小，且计算结果具有较高准确度。
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公开(公告)号：CN117460401A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311595478.9
申请日：2023-11-27
Applicant: 清华大学 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
Abstract: 一种阻变存储器和存储器件。该阻变存储器包括第一电极、第二电极以及第一电极和第二电极之间的阻变层，第一电极和所述第二电极中的至少一个在靠近阻变层的一侧具有第一界面区域和第二界面区域，位于第一界面区域的电极材料的氧结合能力小于位于第二界面区域的电极材料的氧结合能力。该阻变存储器中导电细丝更容易形成在第二界面区域处，从而使得导电细丝的形成位置更集中且稳定，可增强器件的一致性，进而增强器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN117435159A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311386531.4
申请日：2023-10-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种补偿存算一体装置中计算结果偏移的方法及存算一体装置。该方法包括：在存算一体装置上映射运算权重和补偿权重；获取包括偏移补偿元素的输入向量；使用该存算一体装置对该输入向量进行运算。该方法利用存算一体装置中现有的存储阵列和外围电路，通过使用少数存储阵列来映射额外的权重，并在输入向量中增加偏移补偿元素，实现在模拟域减小存算一体装置中计算结果的偏移。通过本公开的实施例提供的方法，可以以更小的功耗和延迟实现对存算一体装置的计算结果偏移的补偿。
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公开(公告)号：CN117008748A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310770328.0
申请日：2023-06-27
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及一种基于非易失性存储器的智能屏幕系统及控制方法，其中，包括：双层ITO导电层，用于检测高频扫描电流的电流改变量，确定用户触摸输入位置，并获取用户的输入信息，以基于用户触摸输入位置发送电压脉冲；屏蔽层，用于为双层ITO导电层屏蔽干扰电信号；非易失性存储器层，用于接收电压脉冲，并根据电压脉冲确定非易失性存储器的当前功能模式，以对输入信息进行存储或计算操作。由此，解决了传统屏幕技术中，触摸技术只提供了用户的输入信息，无法在屏幕端对信息进行处理，信息处理效率和智能化程度较低等问题。
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公开(公告)号：CN116883713A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310603292.7
申请日：2023-05-25
Applicant: 清华大学
IPC: G06V10/764 , G06V10/774 , G06V40/20 , G06N3/08
Abstract: 本申请涉及人工智能技术领域，特别涉及一种基于全光电忆阻器的储备池系统的动作分类方法，该方法包括：获取目标人体至少一个部位的变化信号，将每个部位的变化信号转换为对应的光脉冲序列输入到处于动态光电模式的全光电忆阻器，得到至少一个高维信号，将至少一个高维信号通过全光电忆阻器的非易失性的线性输出层进行权重训练，得到不同输出节点对应的权重值，根据不同输出节点对应的权重值进行分类，得到目标人体的当前动作。由此，解决了储备池计算中需要配置两种不同硬件带来的架构与集成复杂度较高等问题，设计了一种具有多功能多模态的光电器件，不仅在同一硬件上实现储备池“感存算一体”任务，而且可以实现对视频动作的高精度分类。
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