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公开(公告)号：CN118450714A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410171727.X
申请日：2024-02-06
Applicant: 清华大学 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
Abstract: 一种阻变存储器及其制作方法，包括沿第一方向层叠设置的第一电极、阻变层和第二电极，其中，阻变层位于第一电极和第二电极之间；第一电极包括第一材料层和第二材料层，第二材料层位于第一材料层和阻变层之间；第二材料层在第一方向上的尺寸与第二材料层在第二方向上的尺寸的比值为第一比值，第二方向与第一方向相垂直；第一电极在第一方向上的尺寸与第一电极在第二方向上的尺寸的比值为第二比值；第一比值小于第二比值。本公开的阻变存储器，通过设置第一比值小于第二比值，在制作第二材料层时能够防止第二材料层内出现孔洞，从而防止第一电极、阻变层和第二电极的结构发生改变，以提升阻变存储器的性能。
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公开(公告)号：CN117998869A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410171505.8
申请日：2024-02-06
Applicant: 清华大学 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
Abstract: 提供一种存储装置及其制作方法，存储装置包括第一存储器和第二存储器；第一存储器包括沿第一方向层叠设置的第一电极、第一阻变层和第二电极；第二存储器包括沿第一方向层叠设置的第三电极、第二阻变层和第四电极；第一电极包括彼此连接的第一材料层和第二材料层，第一材料层的材料与至少部分第二材料层的材料不同；第一材料层和第二材料层均与第一阻变层接触，且至少部分第二材料层与第三电极同层设置。本公开提供的存储装置及其制作方法，能够简化第一存储器和第二存储器的集成工艺，而且无需占用额外的版图面积即可实现更复杂的电路系统功能。
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公开(公告)号：CN117460401A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311595478.9
申请日：2023-11-27
Applicant: 清华大学 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
Abstract: 一种阻变存储器和存储器件。该阻变存储器包括第一电极、第二电极以及第一电极和第二电极之间的阻变层，第一电极和所述第二电极中的至少一个在靠近阻变层的一侧具有第一界面区域和第二界面区域，位于第一界面区域的电极材料的氧结合能力小于位于第二界面区域的电极材料的氧结合能力。该阻变存储器中导电细丝更容易形成在第二界面区域处，从而使得导电细丝的形成位置更集中且稳定，可增强器件的一致性，进而增强器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN117998850A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410171502.4
申请日：2024-02-06
Applicant: 清华大学 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
IPC: H10B20/25
Abstract: 一种单次可编程存储器件及其制备方法、单次可编辑存储单元。该单次可编程存储器件包括半导体衬底、第一绝缘层和单次可编程存储单元。半导体衬底包括第一掺杂区，第一绝缘层设置在半导体衬底上，单次可编程存储单元设置在第一绝缘层远离半导体衬底的一侧。单次可编程存储单元包括第一电极、电介质层和第二电极，第一电极与第一掺杂区电连接。电介质层的电阻状态包括初始高阻态和低阻态，电介质层被配置为在第一电极和第二电极施加编程电压后形成导电细丝，导电细丝使得电介质层的电阻状态由初始高阻态变为低阻态，施加反向编程电压后导电细丝使得电介质层的电阻状态保持为低阻态。该单次可编程存储器件具有低功耗、高可靠性、高集成度等优点。
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公开(公告)号：CN117529219A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311591095.4
申请日：2023-11-27
Applicant: 清华大学 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
Abstract: 一种阻变存储器和存储器件。该阻变存储器包括第一电极、第二电极以及第一电极和第二电极之间的阻变层，第一电极和第二电极中的至少一个包括第一区域和至少部分围绕第一区域的第二区域，第一区域的材料的功函数小于第二区域的材料的功函数。该阻变存储器中导电细丝更容易形成在第一区域处，从而使得导电细丝的形成位置更集中且稳定，可增强器件的一致性，进而增强器件的可靠性。
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