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公开(公告)号：CN117998869A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410171505.8
申请日：2024-02-06
Applicant: 清华大学 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
Abstract: 提供一种存储装置及其制作方法，存储装置包括第一存储器和第二存储器；第一存储器包括沿第一方向层叠设置的第一电极、第一阻变层和第二电极；第二存储器包括沿第一方向层叠设置的第三电极、第二阻变层和第四电极；第一电极包括彼此连接的第一材料层和第二材料层，第一材料层的材料与至少部分第二材料层的材料不同；第一材料层和第二材料层均与第一阻变层接触，且至少部分第二材料层与第三电极同层设置。本公开提供的存储装置及其制作方法，能够简化第一存储器和第二存储器的集成工艺，而且无需占用额外的版图面积即可实现更复杂的电路系统功能。
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公开(公告)号：CN117460401A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311595478.9
申请日：2023-11-27
Applicant: 清华大学 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
Abstract: 一种阻变存储器和存储器件。该阻变存储器包括第一电极、第二电极以及第一电极和第二电极之间的阻变层，第一电极和所述第二电极中的至少一个在靠近阻变层的一侧具有第一界面区域和第二界面区域，位于第一界面区域的电极材料的氧结合能力小于位于第二界面区域的电极材料的氧结合能力。该阻变存储器中导电细丝更容易形成在第二界面区域处，从而使得导电细丝的形成位置更集中且稳定，可增强器件的一致性，进而增强器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN115223622A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210746400.1
申请日：2022-06-28
Applicant: 清华大学 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种驱动电路和电子装置。该驱动电路包括上拉电路和下拉电路，上拉电路设置在上拉电源电压端和输出端之间，且配置为接收第一选择信号并使用上拉电源电压端的电压上拉输出端的电压，下拉电路设置在下拉电源电压端和输出端之间，且配置为接收第二选择信号并使用下拉电源电压端的电压下拉输出端的电压，上拉电路包括第一P型晶体管、第二N型晶体管和第一反相器。该驱动电路对于低操作电压的驱动性能会有极大提升，同时对较高操作电压的驱动性能也有一定的提升。
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公开(公告)号：CN119964616A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411782075.X
申请日：2024-12-05
Applicant: 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 , 清华大学
IPC: G11C11/407
Abstract: 本申请涉及一种后道兼容无电容DRAM存储电路宏构建方法及装置，其中，方法包括：根据满足预设制备要求的全后道兼容沟道材料构建多层无电容DRAM存储电路宏；基于后道兼容垂直互补场效应晶体管，构建外围电路；根据每层无电容DRAM存储电路宏和对应的外围电路构建多层完整的后道兼容无电容DRAM存储电路宏，并基于层间过孔，在目标硅基电路上堆叠多层完整的后道兼容无电容DRAM存储电路宏，以得到单片三维集成的全后道兼容无电容DRAM存储电路宏。由此，解决了当前基于硅基芯片制造工艺的无电容DRAM存储电路宏由于硅晶体管较高的漏电，使得整体存储保持时间较短、刷新频繁、功耗较高，不利于其实际应用，且存储外围电路在整个电路宏中的占据面积较大等问题。
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公开(公告)号：CN117998850A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410171502.4
申请日：2024-02-06
Applicant: 清华大学 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
IPC: H10B20/25
Abstract: 一种单次可编程存储器件及其制备方法、单次可编辑存储单元。该单次可编程存储器件包括半导体衬底、第一绝缘层和单次可编程存储单元。半导体衬底包括第一掺杂区，第一绝缘层设置在半导体衬底上，单次可编程存储单元设置在第一绝缘层远离半导体衬底的一侧。单次可编程存储单元包括第一电极、电介质层和第二电极，第一电极与第一掺杂区电连接。电介质层的电阻状态包括初始高阻态和低阻态，电介质层被配置为在第一电极和第二电极施加编程电压后形成导电细丝，导电细丝使得电介质层的电阻状态由初始高阻态变为低阻态，施加反向编程电压后导电细丝使得电介质层的电阻状态保持为低阻态。该单次可编程存储器件具有低功耗、高可靠性、高集成度等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117529219A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311591095.4
申请日：2023-11-27
Applicant: 清华大学 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
Abstract: 一种阻变存储器和存储器件。该阻变存储器包括第一电极、第二电极以及第一电极和第二电极之间的阻变层，第一电极和第二电极中的至少一个包括第一区域和至少部分围绕第一区域的第二区域，第一区域的材料的功函数小于第二区域的材料的功函数。该阻变存储器中导电细丝更容易形成在第一区域处，从而使得导电细丝的形成位置更集中且稳定，可增强器件的一致性，进而增强器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN115641892A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202210784439.2
申请日：2022-06-29
Applicant: 清华大学 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
Abstract: 一种稳压器电路和存储装置。该稳压器电路包括第一级放大模块，第二级放大模块和操作模式控制模块。第一级放大模块配置为分别从第一输入端和第一节点接收第一输入电压和第一节点电压，并且在第二节点输出第二节点电压；第二级放大模块配置为与第一级放大模块耦接，从第二节点接收第二节点电压，并从第一输出端输出由第二节点电压控制的第一输出电压；操作模式控制模块与第一级放大模块和第二级放大模块电耦接，并根据读写操作模式控制信号控制稳压器电路处于多种工作状态。该稳压器电路具有高电流驱动能力和快速的负载恢复速度，能够满足系统在不同的读写操作模式下对于功耗、速度等指标的不同需求，能够有效降低系统功耗，提升系统综合性能。
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公开(公告)号：CN115312502A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210943633.0
申请日：2022-08-08
Applicant: 清华大学 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , H01L45/00 , H01L27/24
Abstract: 一种阻变存储器测试结构、用于阻变存储器测试结构的操作方法以及制备方法。该阻变存储器测试结构包括衬底以及设置在衬底上的阻变存储器、限流电阻和至少一个测试垫，阻变存储器包括衬底的表面上在远离衬底的方向上依次提供的第一电极、阻变存储层和第二电极，限流电阻在衬底上的表面上呈条状延伸，第一电极与限流电阻一体形成在同一层中，且经由限流电阻与至少一个测试垫电连接。该阻变存储器测试结构的制作工艺简单，用于对不同阻变存储器材料体系的研究中可以极大降低测试成本。
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公开(公告)号：CN115171754A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210750442.2
申请日：2022-06-28
Applicant: 清华大学 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种稳压器电路和存储装置。该稳压器电路包括：第一级放大电路，第二级放大电路和电流调节模块。第一级放大电路配置为分别从第一输入端和第一节点接收第一输入电压和第一电压，并且在第二节点输出第二电压；第二级放大电路，配置为与第一级放大电路耦接，从第二节点接收第二电压，并且在第一输出端输出由第二节点电压控制的第一输出电压；电流调节模块，配置为与第二级放大电路和第一输出端电连接，并且根据第二级放大电路的工作电流调节第一输出端的负载电流。该稳压器电路具有快速的负载恢复速度和稳定准确的输出电压，能够降低系统的直流功耗和面积开销，并保证忆阻器写操作的可靠性。
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公开(公告)号：CN118450714A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410171727.X
申请日：2024-02-06
Applicant: 清华大学 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
Abstract: 一种阻变存储器及其制作方法，包括沿第一方向层叠设置的第一电极、阻变层和第二电极，其中，阻变层位于第一电极和第二电极之间；第一电极包括第一材料层和第二材料层，第二材料层位于第一材料层和阻变层之间；第二材料层在第一方向上的尺寸与第二材料层在第二方向上的尺寸的比值为第一比值，第二方向与第一方向相垂直；第一电极在第一方向上的尺寸与第一电极在第二方向上的尺寸的比值为第二比值；第一比值小于第二比值。本公开的阻变存储器，通过设置第一比值小于第二比值，在制作第二材料层时能够防止第二材料层内出现孔洞，从而防止第一电极、阻变层和第二电极的结构发生改变，以提升阻变存储器的性能。
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