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公开(公告)号：CN1206175A
公开(公告)日：1999-01-27
申请号：CN98108804.X
申请日：1998-04-03
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , Y10S428/90 , Y10T428/1107
Abstract: 交换结合膜,具有RMn合金和RMnFe合金等反强磁性膜构成的反强磁性膜(R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru和Cu中的至少一种)和与该反强磁性膜层叠的强磁性膜。反强磁性膜进行面内取向。而且反强磁性膜具有5nm以上的粗大晶粒直径。该反强磁性膜,例如使用氧含量为1重量%以下的合金靶进行成膜而得到。使用这样的反强磁性膜的交换结合膜具有良好的耐蚀性和热特性,而且在室温和高温区显示大的交换结合力。交换结合膜设置用于在强磁性膜中进行电流通电的电极,例如作为スピンバルブ型磁阻效应元件等使用。
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公开(公告)号：CN1182262A
公开(公告)日：1998-05-20
申请号：CN97111667.9
申请日：1997-03-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3916 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/324 , H01F10/3281 , H01F10/3295 , H01L43/08
Abstract: 在本发明的含有例如Co的强磁性层和由软性磁层和层叠膜构成的磁性层的磁阻效应元件中,软磁性层的磁化Mk(T)、膜厚d(nm)和各方异性磁场Hk(Oe)满足以下条件:∑(Ms×d×Hk)>30[TnmOe],并通过使含有Co的强磁性层和软磁性层具有不同的易磁化轴方向的构造,从而提供一种高灵敏度和低噪声的磁阻效应元件。
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公开(公告)号：CN114594415B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202110974059.0
申请日：2021-08-24
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01R33/09
Abstract: 提供能够实现灵敏度的提高的磁传感器及检查装置。根据实施方式，磁传感器具备第1～第4磁元件、第1～第4导电部件及第1～第5磁性部件。第1磁元件及第1导电部件与第1磁性部件与第3磁性部件之间的区域重叠。所述第2磁元件及第2导电部件与第4磁性部件与第2磁性部件之间的区域重叠。第3磁元件及第3导电部件与第3磁性部件与第5磁性部件之间的区域重叠。第4磁元件及第4导电部件与第5磁性部件与第4磁性部件之间的区域重叠。
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公开(公告)号：CN114720920A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110966326.X
申请日：2021-08-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01R33/09
Abstract: 提供能提高灵敏度的磁传感器以及检查装置。根据实施方式，磁传感器包括第1传感器部。所述第1传感器部包括：第1磁性部件；第1对置磁性部件，从所述第1磁性部件朝向所述第1对置磁性部件的方向沿着第1方向；以及第1磁元件，其包括一个或者多个第1延伸部。所述第1延伸部包括第1磁性层、第1对置磁性层以及第1非磁性层。所述第1磁性层包括第1部分、第1对置部分以及第1中间部分。从所述第1部分朝向所述第1对置部分的方向沿着所述第1方向。所述第1中间部分位于所述第1部分与所述第1对置部分之间。所述第1非磁性层在与所述第1方向交叉的第2方向上位于所述第1中间部分的至少一部分与所述第1对置磁性层之间。
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公开(公告)号：CN101510755A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910004490.1
申请日：2006-10-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H03B15/006 , B82Y25/00 , G01S7/006 , G01S7/35 , G01S13/345 , G01S2013/936 , H01F10/3259 , H01F10/329 , Y10T428/24942
Abstract: 高频振荡器包括高频振荡元件，该高频振荡元件具有其磁化方向基本被固定在一个方向的磁化被固定层；由磁性材料形成的在提供电流时产生高频振荡现象的振荡层；设置在磁化被固定层和振荡层之间，具有绝缘层和在厚度方向穿越绝缘层的电流通路的中间层；和一对垂直于包括磁化被固定层、中间层和振荡层的层叠薄膜的平面提供电流的电极。
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公开(公告)号：CN101488554A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910007723.3
申请日：2007-02-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G11B5/3932
Abstract: 本发明的磁阻效应元件的制造方法包括下列步骤：形成构造体，该构造体包括：包括磁化方向根据外部磁场而变化的磁化自由层、磁化方向固定于一个方向的磁化固定层、以及置于磁化自由层和磁化固定层之间的中间层的磁阻效应薄膜；置于磁阻效应薄膜的磁化固定层上的磁耦合层；置于磁耦合层上的铁磁层；置于铁磁层上的反铁磁层；在与磁阻效应薄膜的薄膜表面平行并与磁化固定层的磁化方向垂直的方向上对磁化自由层施加偏置磁场的偏置机构部；以及用以使电流在从磁化固定层至磁化自由层的方向上通过的一对电极；以及对磁化自由层赋予初始磁化方向，该初始磁化方向相对于磁化固定层的磁化方向的角度大于等于100°且小于160°。
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公开(公告)号：CN100483512C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200610137368.8
申请日：2006-10-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C23C8/02 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , C23C8/34 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/345 , C23C28/3455 , C23C28/42 , G11B5/3163 , G11B5/3932 , G11B2005/3996 , H01F10/3259 , H01F10/3268 , H01F41/305
Abstract: 一种磁阻效应元件的制造方法，该磁阻效应元件包括：磁化方向实质上被固定在一个方向的磁化固定层；磁化方向相对外部磁场发生变化的磁化自由层；间隔层，该间隔层包含设在所述磁化固定层和所述磁化自由层之间的绝缘层和贯通所述绝缘层的电流通道，其特征在于，在形成所述间隔层时，使形成所述电流通道的第1非磁性金属层成膜，将变换为所述绝缘层的第2金属层在所述第1非磁性金属层上成膜，第1氧化工序的氧化气体分压小于等于第2氧化工序的氧化气体分压的1/10，依次进行2个阶段的氧化工序，在所述第1氧化工序中对所述第2金属层照射稀有气体的离子束或RF等离子。采用本方法，可以制造具有合适的面积电阻RA和高的MR变化率的磁阻效应元件。
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公开(公告)号：CN101373597A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810210004.7
申请日：2008-08-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/17 , G11B5/02 , G11B5/1278 , G11B5/3133 , G11B5/3146 , G11B2005/0002 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明公开了一种磁记录头，其包括主磁极、层叠体和一对电极。所述层叠体第一磁层、第二磁层和中间层，该第一磁层具有低于由所述主磁极施加的磁场的矫顽力，该第二磁层具有低于由所述主磁极施加的磁场的矫顽力，并且该中间层设置在所述第一磁层和第二磁层之间。所述一对电极可操作地使电流通过所述层叠体。
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公开(公告)号：CN100452175C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610092406.2
申请日：2006-05-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3929 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01F10/3263 , H01F10/3272 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 本发明的磁阻效应元件，包括：3层或以上的金属磁性层；所述3层或以上的金属磁性层间设置的磁性连接层；以及使电流相对于所述金属磁性层和连接层的迭层体在垂直方向上导通的电极，所述3层或以上的金属磁性层当中最底层或最顶层的金属磁性层的磁化方向被固定，外部磁场为零时，中间的金属磁性层的磁化方向扭转，以便最底层的金属磁性层的磁化方向与最顶层的金属磁性层的磁化方向正交。
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公开(公告)号：CN101331568A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200680047653.9
申请日：2006-12-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F41/305 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11B5/3163 , G11B5/3166 , G11B5/398 , G11B5/3983 , G11B2005/3996 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/1121
Abstract: 一种磁阻效应元件，通过下述方法制造：形成第一磁性层；在第一磁性层上形成的包括绝缘层和导电层的间隔层，该导电层穿过绝缘层并传导电流；和在形成的间隔层上形成的第二磁性层，该第二磁性层的全部或部分用离子、等离子体或加热来处理。
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