-
公开(公告)号：CN102687029A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201180002911.2
申请日：2011-04-04
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: G01N27/041 , G01R27/2623
Abstract: 本发明提供一种铁电分析装置及其调节铁电畴极化反转速度的方法，属于固态点介质性能测试技术领域。该铁电分析装置包括用于生成方波电压脉冲信号的电压脉冲发生器，所述方波电压脉冲信号偏置于铁电介质薄膜上以使其铁电畴发生极化反转，所述铁电分析装置还包括与所述铁电介质薄膜串联连接的可变电阻，所述可变电阻用于调节极化反转电流以实现铁电畴极化反转速度的调节。在该方法中，在铁电介质薄膜上偏置所述方波电压脉冲信号，通过调节所述可变电阻的阻值实现铁电畴极化反转速度的调节。该装置可以连续调节铁电畴运动速度，而且还可以调节铁电介质薄膜的矫顽电压，其不依赖于电压脉冲信号发生装置，易于连续调节且调节范围广，测试数据可靠。
-
公开(公告)号：CN101789490B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010102118.7
申请日：2010-01-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于信息存储技术领域，具体涉及一种铁电氧化物/半导体复合薄膜二极管阻变存储器。该阻变存储器依次包括衬底、底电极、铁电氧化物/半导体复合存储功能层和顶电极，由下述方法制备获得：在单晶钛酸锶或SiO2/Si衬底上生长钌酸锶、镍酸镧等复合物电极或金属作为底层电极，然后通过脉冲激光淀积或射频磁控溅射方法生长铁电氧化物/半导体复合薄膜功能层；再生长出金属顶电极，形成单二极管存储单元结构。二极管的极性随电畴的取向而发生改变。本发明具有存储密度高，信息保持性好，功耗低的优点。
-
公开(公告)号：CN102013453B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200910195208.2
申请日：2009-09-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，涉及一种具有高热释电性能的反铁电薄膜制备方法。本发明利用反铁电薄膜在某一临界厚度以下显示铁电性而在此临界厚度以上显示反铁电性的特征，构建一层凹凸有致具有多种不同厚度的台阶状反铁电薄膜，每一阶台阶对应一种厚度，可以在单层反铁电薄膜上实现铁电区域和反铁电区域的交叉排列。由于反铁电薄膜和铁电薄膜堆叠后，薄膜的热释电系数相比单纯的反铁电薄膜会得到很大的提高，因此利用本方法制备的反铁电薄膜可以作为良好的热释电材料，用于红外热释电探测器，机敏器件和系统，且制备方法简单易操作，具有很大的成本优势。
-
公开(公告)号：CN101620879A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910055566.3
申请日：2009-07-29
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: G11C11/5657
Abstract: 本发明提出一种实现铁电存储器多位数据存储的操作方法，属于微电子技术领域，它在铁电存储器存储单元中，通过外加不同的写脉冲电压来使得铁电薄膜相应产生不同大小的剩余极化强度，并相应定义为不同的存储态，再通过一个固定外加正读电压，读取相应的各存储态，从而在单个存储单元中实现多位存储功能。利用本发明多位数据存储的操作方法，使得多位存储器件可以极大地提高存储密度，大大地降低了生产成本。
-
公开(公告)号：CN111771280B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201880062413.9
申请日：2018-12-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H10B53/10
Abstract: 本发明公开一种三维非易失性铁电存储器，其包括铁电存储器阵列结构，铁电存储器阵列结构包括堆叠式地布置的多层铁电存储单元阵列，每层铁电存储器单元阵列包括按行和列排列的铁电存储单元；其中，对应铁电存储单元的两侧分别相对地布置有基本正交的字线和位线，对应所述铁电存储单元邻接地布置参考铁电体；铁电存储单元中的电畴的极化方向与施加在字线和位线上的写电压信号的电场方向不垂直；并且，在字线和位线之间施加所述写电压信号时，能够使所述铁电存储单元的电畴发生反转并与其邻接的所述参考铁电体之间建立畴壁导电通道，其中，畴壁导电通道能电连接所述铁电存储单元的两侧的字线和位线。本发明的三维非易失性铁电存储器密度高、成本低。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116471847A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310475822.4
申请日：2023-04-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于存储技术领域，具体为一种面内超高密度铁电存储器阵列及其制备方法。本发明的面内密排读写铁电存储单元和电极呈周期性排列，电极通过三维互联导电柱引出，包括面外第一、二字线层的三维互联字线分别与第一、三导电柱阵列相连；包括面外第一、二位线层的三维互联位线分别与第二、四导电柱阵列相连；字线层和位线层内分布着平行电极，且相互垂直，形成交叉棒阵列，面内交点为铁电存储单元，位于面内相邻电极的间隙区域，可以进行高密度数据的读写。本发明的面内密排铁电存储器阵列能够提高存储密度，最高可达2F2，F为半导体制造的特征工艺尺寸，适用于制造超高密度存储器件，且制备简单、成本低。
-
公开(公告)号：CN116076163A8
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202080103591.9
申请日：2020-09-29
IPC: H10B53/50
Abstract: 一种三维存储器及其制备方法、电子设备。三维存储器包括互连的第一芯片和第二芯片。第一芯片包括层叠设置的三维存储阵列和第一键合层，第一键合层中的多个第一表面电极与三维存储阵列对应耦接。第二芯片包括层叠设置的读写电路和第二键合层，第二键合层中的多个第二表面电极与读写电路对应耦接。第一芯片和第二芯片的互连，通过第一键合层和第二键合层的键合实现。并且，第一键合层中的第一表面电极与第二键合层中的第二表面电极一一对应的耦接。
-
公开(公告)号：CN112768348B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202110059078.0
申请日：2021-01-18
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/306 , H01L21/3063 , H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 本发明属于存储材料制备技术领域，具体为一种铌酸锂材料刻蚀及提高侧壁角度的优化方法。本发明方法包括：硬掩膜制作、倾斜刻蚀、金属黑化修正侧壁以及湿法腐蚀清洗。与传统的直接利用干法刻蚀铌酸锂图形不同，本方法将干法刻蚀与湿法刻蚀相结合，不仅能够获得刻蚀角度陡直、侧壁光滑的铌酸锂图形，而且刻蚀效率也极高，同时可对铌酸锂图形进行后期修正。本发明方法对基于铌酸锂材料的纳米加工具有极大意义，并且不会破坏材料的铁电特性。
-
公开(公告)号：CN113421881A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110577778.9
申请日：2021-05-26
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11507
Abstract: 本发明属于铁电存储器件技术领域，具体为一种通过金属扩散调节铁电存储器表面层有效厚度的方法。本发明是在铁电存储单元表面层与电极接触部位间增加金属扩散层，使金属原子扩散进入部分或全部铁电表面层区域，从而调减表面层有效厚度，实现对表面层选择管开启电压大小的连续调节。本发明在金属扩散层制备完成后，采用高温保温或后热退火的方法调控扩散层金属向铁电材料内部的扩散深度。本发明实现了开启电压连续可调，甚至可降低至接近零；同时，开态电流增大，存储器读写操作电压减小，可提高器件可缩微性或存储密度，实现功耗的大幅度降低，开关比可达105，存储器性能获得大幅度提升。本发明为深化高密度铁电存储器的商业化开拓了思路。
-
公开(公告)号：CN112310214A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910701759.5
申请日：2019-07-31
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L27/11502 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种非易失性铁电存储器及其制备方法，所述铁电存储器包括铁电存储层、第一电极和第二电极，所述铁电存储层中的电畴的极化方向基本不平行所述铁电存储层的法线方向；所述第一电极和第二电极结构相同，均包括在所述铁电存储层的表层中构图形成的埋入式导电层以及形成在所述埋入式导电层上的电极层；在所述第一电极和第二电极之间施加在某一方向上的写信号时使能位于一对埋入式导电层之间的部分铁电存储层的电畴反转，以至于能够建立连接第一电极和第二电极的畴壁导电通道。与现有技术相比，本发明能够避免刻蚀过程容易对铁电材料产生的破坏，提高铁电存储器的存储性能，在数据保持性能、开态读电流等方面表现优异。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
98
records
(took 0.023 seconds)
