公开(公告)号：CN112310214A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201910701759.5

申请日：2019-07-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  柴晓杰 ,  江钧 ,  连建伟 ,  敖孟寒

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/11502 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种非易失性铁电存储器及其制备方法，所述铁电存储器包括铁电存储层、第一电极和第二电极，所述铁电存储层中的电畴的极化方向基本不平行所述铁电存储层的法线方向；所述第一电极和第二电极结构相同，均包括在所述铁电存储层的表层中构图形成的埋入式导电层以及形成在所述埋入式导电层上的电极层；在所述第一电极和第二电极之间施加在某一方向上的写信号时使能位于一对埋入式导电层之间的部分铁电存储层的电畴反转，以至于能够建立连接第一电极和第二电极的畴壁导电通道。与现有技术相比，本发明能够避免刻蚀过程容易对铁电材料产生的破坏，提高铁电存储器的存储性能，在数据保持性能、开态读电流等方面表现优异。

公开(公告)号：CN112310214B

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN201910701759.5

申请日：2019-07-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  柴晓杰 ,  江钧 ,  连建伟 ,  敖孟寒

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/11502 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种非易失性铁电存储器及其制备方法，所述铁电存储器包括铁电存储层、第一电极和第二电极，所述铁电存储层中的电畴的极化方向基本不平行所述铁电存储层的法线方向；所述第一电极和第二电极结构相同，均包括在所述铁电存储层的表层中构图形成的埋入式导电层以及形成在所述埋入式导电层上的电极层；在所述第一电极和第二电极之间施加在某一方向上的写信号时使能位于一对埋入式导电层之间的部分铁电存储层的电畴反转，以至于能够建立连接第一电极和第二电极的畴壁导电通道。与现有技术相比，本发明能够避免刻蚀过程容易对铁电材料产生的破坏，提高铁电存储器的存储性能，在数据保持性能、开态读电流等方面表现优异。

公开(公告)号：CN114496804A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210080620.5

申请日：2022-01-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  敖孟寒

IPC: H01L21/461 ,  H01L21/033 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B29/30 ,  C30B33/10

Abstract: 本发明属于光电器件制备技术领域，具体为一种铌酸锂材料的刻蚀方法。本发明方法包括：在铌酸锂表面制备金属钝化层，用来提高纳米图形的保形性以及侧壁刻蚀倾斜角；沉积硬掩膜，并采用微电子光刻技术进行图形化处理；在待刻蚀的铌酸锂区域沉积活性金属薄膜，以提高刻蚀深度；将覆盖有活性金属层的铌酸锂晶体在还原气氛中进行退火；然后采用相应的酸溶液和碱溶液去掉铌酸锂表面的金属及其与铌酸锂的反应物，得到具有一定刻蚀深度的铌酸锂纳米图形。所制备的大规模铌酸锂纳米器件阵列尺寸可控，保形性和重复性好，侧壁倾斜角大于80°，图形凸块表面光滑。铌酸锂纳米器件制备步骤简单，难度低，可降低大规模生产成本。