公开(公告)号：CN112309946B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201910690097.6

申请日：2019-07-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  陈一凡 ,  张岩 ,  江钧 ,  柴晓杰

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及一种剥离铁电单晶薄膜的方法，包括以下步骤：使用质子交换法在铁电单晶材料表面形成厚度可控的贫Li离子的第二相单晶层；采用离子注入法剥离出铁电单晶材料表面发生质子交换的所述第二相单晶层，获得薄膜层；使用反质子交换法补充所述薄膜层中缺失的Li离子，将薄膜层还原至原先铁电单晶材料的晶体结构和化学配比。与现有技术相比，本发明将质子交换法和离子束剥离技术相结合，降低使用离子束剥离制造大面积铁电单晶薄膜的难度，使离子束剥离铁电单晶薄膜更加有效快捷，可应用于铁电存储器和铁电晶体管制造等领域，降低铁电存储材料的制造成本，提高制造效率。

公开(公告)号：CN112768348B

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202110059078.0

申请日：2021-01-18

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  陈一凡 ,  庄晓 ,  江钧 ,  汪超

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明属于存储材料制备技术领域，具体为一种铌酸锂材料刻蚀及提高侧壁角度的优化方法。本发明方法包括：硬掩膜制作、倾斜刻蚀、金属黑化修正侧壁以及湿法腐蚀清洗。与传统的直接利用干法刻蚀铌酸锂图形不同，本方法将干法刻蚀与湿法刻蚀相结合，不仅能够获得刻蚀角度陡直、侧壁光滑的铌酸锂图形，而且刻蚀效率也极高，同时可对铌酸锂图形进行后期修正。本发明方法对基于铌酸锂材料的纳米加工具有极大意义，并且不会破坏材料的铁电特性。

公开(公告)号：CN112309946A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201910690097.6

申请日：2019-07-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  陈一凡 ,  张岩 ,  江钧 ,  柴晓杰

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及一种剥离铁电单晶薄膜的方法，包括以下步骤：使用质子交换法在铁电单晶材料表面形成厚度可控的贫Li离子的第二相单晶层；采用离子注入法剥离出铁电单晶材料表面发生质子交换的所述第二相单晶层，获得薄膜层；使用反质子交换法补充所述薄膜层中缺失的Li离子，将薄膜层还原至原先铁电单晶材料的晶体结构和化学配比。与现有技术相比，本发明将质子交换法和离子束剥离技术相结合，降低使用离子束剥离制造大面积铁电单晶薄膜的难度，使离子束剥离铁电单晶薄膜更加有效快捷，可应用于铁电存储器和铁电晶体管制造等领域，降低铁电存储材料的制造成本，提高制造效率。