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公开(公告)号：CN113466668B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110779635.6
申请日：2021-07-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 一种基于开关电容的层间介质空洞故障测试结构及测试方法，属于高密度集成电路测试领域。本发明针对层间介质空洞故障检测精度低并不适用于大规模芯片测试的问题。包括CP控制单元和测试单元；测试单元包括测试电容和四个传输门开关，CP控制单元控制测试单元中四个传输门开关的断开与闭合；一号传输门开关的一端连接电源VD，另一端连接集成电路上待测逻辑门的测试输入端；三号传输门开关的一端接地，另一端连接待测逻辑门的测试输入端；二号传输门开关的一端连接待测逻辑门的测试输入端，另一端连接测试电容的一端，测试电容的另一端接地；四号传输门开关的一端连接测试电容的一端，四号传输门开关的另一端接地。本发明用于介质空洞故障测试。
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公开(公告)号：CN117707116A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311847284.3
申请日：2023-12-29
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 北京航天自动控制研究所
IPC: G05B23/02
Abstract: 基于GRU和改进注意力机制的故障诊断方法、系统、计算机设备及介质，属于工业故障诊断技术领域，解决了由于工业系统庞大、工业领域数据的时序相关性较强，导致传统的方法不能充分利用单维数据不同时间数据点包含的故障特征信息以及时序信息、对于时序特征捕捉不足，以及传统的GRU难以体现设备运行时的全部特征的问题。所述方法包括：采集传感器数据集，对所述数据集进行预处理；构建GUR网络、改进注意力机制SA模型和SE多通道注意力机制模型；将预处理后的数据集输入到GUR网络中，得到时序特征；将时序特征输入到改进注意力机制SA模型中，得到自注意力计算结果并输入到SE多通道注意力机制模型中，得到故障诊断结果。本发明适用于工业领域故障检测场景。
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公开(公告)号：CN117668649A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311621540.7
申请日：2023-11-30
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 北京航天自动控制研究所
IPC: G06F18/241 , G06F18/214 , G06F18/15
Abstract: 本申请公开了一种基于SimAM‑LSTM‑AE的异常检测方法，属于航天器异常检测领域，包括：获取遥测数据集，并将其划分为实时数据集和训练集；通过小波阈值降噪方法对遥测数据集进行降噪；通过SimAM注意力机制提取降噪后的遥测数据集的特征，得到注意力特征图；构建LSTM‑AE网络，并基于训练集的注意力特征图对其进行训练，得到训练集的重构误差序列；将实时数据集的注意力特征图输入至训练后的LSTM‑AE网络中，得到实时数据集的重构误差序列，根据实时数据集的重构误差序列检测实时数据集是否出现异常。本申请提供的方法可应用于对于航天器领域采集的遥测数据进行时间段的异常检测和判定异常工作。
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公开(公告)号：CN117607648A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311569601.X
申请日：2023-11-23
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 北京航天自动控制研究所
Abstract: 本发明提出了一种基于跟踪微分器的三相电压源型转换器开路故障诊断方法及系统，首先采集三相VSC的电流，用三个微分跟踪器分别得到了连续平滑的三相差分电流；第一个IGBT开路故障的诊断需要识别过零区间；当某一相差分电流持续一段时间接近于0时，被认为这一相的差分电流出现过零区间；过零区间发生后，判断同时这一相差分电流在一个周期内的最大最小值相对于上个周期的最大最小值是否发生了改变；根据之前的分析结果，分析第二个IGBT开路故障情况，完成三相电压源型转换器开路故障。
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公开(公告)号：CN116593868A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310581685.2
申请日：2023-05-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 硅通孔故障检测电路、装置和检测方法，涉及集成电路测试领域。针对现有技术中针对硅通孔的测试方法都存在着故障检测精度不高，测试时间长以及测试结构开销大的技术问题，本发明提供的技术方案为：硅通孔故障检测电路，应用于TSV阵列，所述电路包括：输入端、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、传输门、TSPC触发器和参考电路；所述输入端与第一反相器、第三反相器、传输门和TSPC触发器的D端依次串联；所述输入端又与第二反相器、第四反相器和TSPC触发器的时钟端依次串联；所述参考电路的输出端连接至所述第四反相器的输入端；所述第三反相器的输入端用于连接待测TSV阵列的输出端。适合应用于高密度的TSV阵列故障检测工作中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111464022B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202010220636.2
申请日：2020-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于多特征的DC‑DC变换器关键器件参数辨识方法，属于电力电子技术领域，解决了现有电力电子变换器主电路参数辨识方法中，存在建模复杂，需要引入的电流传感器，增加电路复杂度，易引发新的故障，且降低了待辨识器件所在电路的可靠性的问题。本发明获取待进行参数识别的DC‑DC变换器的M个关键元器件的参考信号和采样信号，采用遗传算法，分别对每个器件的特征进行选择，获取每个元器件的敏感特征，利用每个器件的敏感特征和参考特征向量，建立基于回归算法的变换器关键元器件参数辨识模型，获取每个关键器件的特征参数值。本发明适用于DC‑DC变换器器件参数识别。
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公开(公告)号：CN112883655B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110383596.8
申请日：2021-04-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于树突网络的DC‑DC变换器参数辨识方法，它属于元件参数辨识技术领域。本发明解决了在输入电压波动条件下，采用现有方法对DC‑DC变换器参数辨识的精度低的问题。本发明以变化系数为指标选取能够表征DC‑DC变换器输出信号的关键特征，从而提高参数识别的精度并缩短网络的训练时间；通过构造输入电压识别网络，并将实际DC‑DC变换器输入电压作为特征输入参数辨识网络，有效提高了参数识别精度。本发明方法在输入电压存在波动时仍能够有效识别出DC‑DC变换器内部退化元件当前的参数值，具有识别精度高、计算量小的特点。本发明在不同输入电压和噪声幅值下均获得较高的参数辨识精度，参数识别相对误差≤7％。本发明可以应用于DC‑DC变换器中元件参数辨识。
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公开(公告)号：CN113361178A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110699603.5
申请日：2021-06-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/3308
Abstract: 基于RS锁存器的单片层间通孔故障检测方法，属于高密度集成电路测试领域。本发明为解决现有MIV故障检测只能检测开路、短路等硬性故障，无法检测参数偏移量较小的MIV故障的问题。包括：通过有限元仿真软件建立通孔的无故障MIV标准电学模型，并对其电学参数进行调整获得参考电学模型，使其电学参数小于并无限接近无故障MIV标准电学模型的电学参数；使充满电的被测MIV与参考电学模型同时放电，采用RS锁存器与滤波器共同对被测MIV与参考电学模型的放电结束时刻进行监测，若被测MIV的放电时间小于参考电学模型的放电时间，则判定被测MIV存在故障；若被测MIV的放电时间大于或等于参考电学模型的放电时间，则判定被测MIV无故障。本发明对MIV故障可实现高精度测试。
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公开(公告)号：CN112883655A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110383596.8
申请日：2021-04-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于树突网络的DC‑DC变换器参数辨识方法，它属于元件参数辨识技术领域。本发明解决了在输入电压波动条件下，采用现有方法对DC‑DC变换器参数辨识的精度低的问题。本发明以变化系数为指标选取能够表征DC‑DC变换器输出信号的关键特征，从而提高参数识别的精度并缩短网络的训练时间；通过构造输入电压识别网络，并将实际DC‑DC变换器输入电压作为特征输入参数辨识网络，有效提高了参数识别精度。本发明方法在输入电压存在波动时仍能够有效识别出DC‑DC变换器内部退化元件当前的参数值，具有识别精度高、计算量小的特点。本发明在不同输入电压和噪声幅值下均获得较高的参数辨识精度，参数识别相对误差≤7％。本发明可以应用于DC‑DC变换器中元件参数辨识。
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公开(公告)号：CN111398777A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010163778.X
申请日：2020-03-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/28 , G01R31/316
Abstract: 基于合成偏差的模拟电路测试激励优化方法，涉及模拟电路故障检测领域。本发明是为了解决脉冲激励对于特征微弱的潜在故障不能有效激励的问题。本发明采集被测电路中所有元件的敏感频率，并将所有元件的敏感频率构成被测电路的敏感频率集，采用贪婪算法对敏感频率集进行去冗余处理，获得优化后的测试激励。能够更好激发元器件特征微弱的潜在故障特征，在减少测试激励集规模的同时提高了模拟电路潜在故障的检测率。
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