基于统计特征典型相关分析的PFC故障检测方法

    公开(公告)号:CN113985173B

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202111254775.8

    申请日:2021-10-27

    Abstract: 一种基于统计特征典型相关分析的PFC故障检测方法,属于PFC故障检测领域。本发明针对现有通过PFC变换器的输出电压对其进行故障检测,不明显的故障特征易被掩盖造成检测效果差的问题。包括:采集PFC转换器的样本输入电压和样本输出电压;对样本输入电压特征量和样本输出电压特征量进行典型相关分析,得到典型相关系数;构建样本残差矩阵,计算获得样本统计量;并确定故障检测阈值;采集实际输入电压和实际输出电压,利用实际输入电压特征量、实际输出电压特征量和典型相关系数构建实际残差矩阵,计算获得实际统计量;将实际统计量与故障检测阈值进行比较,若实际统计量大于故障检测阈值,则判定运行状态PFC转换器为故障状态。本发明用于PFC故障检测。

    一种基于响应混叠性度量小波包分解算法的参数优化方法

    公开(公告)号:CN111610428A

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN202010326364.4

    申请日:2020-04-26

    Abstract: 一种基于响应混叠性度量小波包分解算法的参数优化方法,涉及模拟电路故障检测中一种参数优化方法。本发明为了解决现有模拟电路中部分低灵敏度器件在参数容差的影响下故障状态与正常状态界限模糊,导致其故障检测率低的问题。本发明所述方法包括获取电路元件灵敏度顺序表;得到正常/故障状态原始数据;建立小波包分解特征提取方法库;使用方法库内小波包分解方法处理电路正常/故障状态原始数据,计算处理后得到的高维距离度量值;根据高维距离度量值得到正常/故障状态正态分布曲线;计算每种小波包分解方法处理后的故障/正常状态正态分布曲线间的混叠面积;按优先级优选出最优小波包分解算法的参数。属于模拟电路故障检测领域。

    基于开关电容的层间介质空洞故障测试结构及测试方法

    公开(公告)号:CN113466668B

    公开(公告)日:2024-05-17

    申请号:CN202110779635.6

    申请日:2021-07-09

    Abstract: 一种基于开关电容的层间介质空洞故障测试结构及测试方法,属于高密度集成电路测试领域。本发明针对层间介质空洞故障检测精度低并不适用于大规模芯片测试的问题。包括CP控制单元和测试单元;测试单元包括测试电容和四个传输门开关,CP控制单元控制测试单元中四个传输门开关的断开与闭合;一号传输门开关的一端连接电源VD,另一端连接集成电路上待测逻辑门的测试输入端;三号传输门开关的一端接地,另一端连接待测逻辑门的测试输入端;二号传输门开关的一端连接待测逻辑门的测试输入端,另一端连接测试电容的一端,测试电容的另一端接地;四号传输门开关的一端连接测试电容的一端,四号传输门开关的另一端接地。本发明用于介质空洞故障测试。

    硅通孔故障检测电路、装置和检测方法

    公开(公告)号:CN116593868A

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202310581685.2

    申请日:2023-05-22

    Abstract: 硅通孔故障检测电路、装置和检测方法,涉及集成电路测试领域。针对现有技术中针对硅通孔的测试方法都存在着故障检测精度不高,测试时间长以及测试结构开销大的技术问题,本发明提供的技术方案为:硅通孔故障检测电路,应用于TSV阵列,所述电路包括:输入端、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、传输门、TSPC触发器和参考电路;所述输入端与第一反相器、第三反相器、传输门和TSPC触发器的D端依次串联;所述输入端又与第二反相器、第四反相器和TSPC触发器的时钟端依次串联;所述参考电路的输出端连接至所述第四反相器的输入端;所述第三反相器的输入端用于连接待测TSV阵列的输出端。适合应用于高密度的TSV阵列故障检测工作中。

    基于RS锁存器的单片层间通孔故障检测方法

    公开(公告)号:CN113361178A

    公开(公告)日:2021-09-07

    申请号:CN202110699603.5

    申请日:2021-06-23

    Abstract: 基于RS锁存器的单片层间通孔故障检测方法,属于高密度集成电路测试领域。本发明为解决现有MIV故障检测只能检测开路、短路等硬性故障,无法检测参数偏移量较小的MIV故障的问题。包括:通过有限元仿真软件建立通孔的无故障MIV标准电学模型,并对其电学参数进行调整获得参考电学模型,使其电学参数小于并无限接近无故障MIV标准电学模型的电学参数;使充满电的被测MIV与参考电学模型同时放电,采用RS锁存器与滤波器共同对被测MIV与参考电学模型的放电结束时刻进行监测,若被测MIV的放电时间小于参考电学模型的放电时间,则判定被测MIV存在故障;若被测MIV的放电时间大于或等于参考电学模型的放电时间,则判定被测MIV无故障。本发明对MIV故障可实现高精度测试。

    基于开关电容的层间介质空洞故障测试结构及测试方法

    公开(公告)号:CN113466668A

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN202110779635.6

    申请日:2021-07-09

    Abstract: 一种基于开关电容的层间介质空洞故障测试结构及测试方法,属于高密度集成电路测试领域。本发明针对层间介质空洞故障检测精度低并不适用于大规模芯片测试的问题。包括CP控制单元和测试单元;测试单元包括测试电容和四个传输门开关,CP控制单元控制测试单元中四个传输门开关的断开与闭合;一号传输门开关的一端连接电源VD,另一端连接集成电路上待测逻辑门的测试输入端;三号传输门开关的一端接地,另一端连接待测逻辑门的测试输入端;二号传输门开关的一端连接待测逻辑门的测试输入端,另一端连接测试电容的一端,测试电容的另一端接地;四号传输门开关的一端连接测试电容的一端,四号传输门开关的另一端接地。本发明用于介质空洞故障测试。

    基于信号传输性能分析的MIV故障诊断系统及其方法

    公开(公告)号:CN119178984A

    公开(公告)日:2024-12-24

    申请号:CN202410965100.1

    申请日:2024-07-18

    Abstract: 基于信号传输性能分析的MIV故障诊断系统及其方法,涉及三维集成电路测试技术领域。解决现有单片层间通孔MIV测试方法可诊断故障范围有限的问题。诊断系统包括一个测试控制器和多个测试单元;所述测试控制器用于向各测试单元发送测试指令。基于诊断系统实现的诊断方法为:通过分别检测整个MIV组中是否存在开路故障、漏电故障及前半组MIV中是否存在短路故障、后半组MIV中是否存在短路故障,若检测过程中存在故障则对整个MIV组进行进一步故障诊断,诊断包括执行延迟特性识别的故障诊断、电压特性识别的故障诊断,直至获得诊断结果。本发明适用于三维集成技术中MIV的测试及故障诊断。

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