公开(公告)号：CN106952910A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201611170509.6

申请日：2016-12-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲诚 ,  巫柏奇 ,  林志翰 ,  曾鸿辉

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明的实施例提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底、至少一个有源半导体鳍、至少一个绝缘结构、栅电极和栅极电介质。有源半导体鳍设置在衬底上。绝缘结构设置在衬底上并且邻近于有源半导体鳍。绝缘结构的顶面是非凹面的并且低于有源半导体鳍的顶面。栅电极设置在有源半导体鳍上方。栅极电介质设置在栅电极和有源半导体鳍之间。

公开(公告)号：CN106601735A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610680892.3

申请日：2016-08-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲诚 ,  林志翰

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 描述了一种鳍式场效应晶体管，包括衬底、多个绝缘物、至少一个栅极堆叠件和应变材料部分。衬底具有位于衬底上的多个鳍以及鳍包括嵌入在鳍中的停止层。多个绝缘物设置在衬底上和多个鳍之间。至少一个栅极堆叠件设置在多个鳍上方和设置在多个绝缘物上。应变材料部分设置在至少一个栅极堆叠件的相对两侧上。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN105990442A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510833381.6

申请日：2015-11-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲诚 ,  林志翰 ,  陈威廷

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括衬底、第一栅极、第二栅极和绝缘结构。衬底包括第一鳍和第二鳍。第一栅极设置在第一鳍上方。第二栅极设置在第二鳍上方。在第一栅极与第二栅极之间形成间隙，并且间隙朝向衬底变得更宽。绝缘结构设置在间隙中。绝缘结构具有彼此相对的顶面和底面。底面面向衬底。顶面的面向第一栅极的边缘弯向顶面。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN105789300A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201410812448.3

申请日：2014-12-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲诚 ,  程潼文 ,  陈建颖 ,  林木沧

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供了半导体结构和制造半导体结构的方法。半导体结构包括：衬底；位于衬底上的金属栅极结构；以及接近金属栅极结构的间隔件，间隔件具有延伸至金属栅极结构内并且与衬底接触的边缘部分。金属栅极结构包括高k介电层和位于高k介电层上的金属栅电极。

公开(公告)号：CN105789299A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201410811892.3

申请日：2014-12-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲诚 ,  施胜棨 ,  陈臆仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供了具有栅极堆叠件的半导体器件的结构和形成方法。本发明提供了半导体器件的结构和形成方法。半导体器件包括半导体衬底和位于该半导体衬底上方的第一栅电极。半导体器件还包括介于第一栅电极和半导体衬底之间的第一栅极介电层。半导体器件还包括位于半导体衬底上方的第二栅电极。第二栅电极具有上部和介于上部与半导体衬底之间的下部，并且上部宽于下部。此外，半导体器件包括介于第二栅电极和半导体衬底之间的第二栅极介电层。

公开(公告)号：CN105633083A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510437327.X

申请日：2015-07-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建颖 ,  程潼文 ,  张哲诚 ,  倪俊龙 ,  林志忠 ,  林志翰

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构以及用于形成FinFET器件结构的方法。FinFET器件结构包括衬底以及在衬底之上延伸的第一鳍结构和第二鳍结构。FinFET器件结构也包括形成在第一鳍结构上的第一晶体管和形成在第二鳍结构上的第二晶体管。FinFET器件结构还包括在第一晶体管和第二晶体管之间的端到端间隙中形成的层间介电(ILD)结构，并且端到端间隙具有在从约20nm至约40nm的范围内的宽度。本发明的实施例还涉及具有可控端到端临界尺寸的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN105336739A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201410804686.X

申请日：2014-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲豪 ,  程潼文 ,  陈建颖 ,  张国辉 ,  张哲诚 ,  林木沧

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构，包括：具有顶面的衬底；位于衬底上方的栅极，栅极包括邻近顶面的基脚区，基脚区包括在顶面之上的低于10nm的高度处横向测量的基脚长度；以及围绕栅极的侧壁的间隔件，间隔件包括在顶面之上的从约10nm至约200nm的高度处横向测量的间隔件宽度。基脚长度为沿着顶面，从基脚区的最宽部分的末端至从栅极主体和间隔件之间的界面延伸的垂直线测量所得，并且间隔件宽度基本上等于或大于基脚长度。本发明还涉及半导体结构的制造方法。

公开(公告)号：CN107026125B

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN201611021154.4

申请日：2016-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲诚 ,  林志翰 ,  曾鸿辉

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件，其包括衬底、多个绝缘体、介电层以及多个栅极。衬底包括多个沟槽及在多个沟槽之间的半导体鳍片。多个绝缘体配置在多个沟槽内。介电层覆盖半导体鳍片以及多个绝缘体。多个栅极的长度方向与半导体鳍片的长度方向不同。多个栅极包括至少一第一栅极以及至少一第二栅极，其中半导体鳍片穿过至少一第一栅极，半导体鳍片未穿透至少一第二栅极。第二栅极包括配置在介电层上的加宽部分，以及配置在加宽部分上的顶部分，其中加宽部分的底部宽度大于顶部分的宽度。

公开(公告)号：CN110648919B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN201910560029.8

申请日：2019-06-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建颖 ,  张哲诚 ,  林志翰

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 一种方法包括提供具有第一区域和第二区域的结构，第一区域包括第一沟道区域，第二区域包括第二沟道区域；在第一区域和第二区域上方形成栅极堆叠层；图案化栅极堆叠层，从而在第一沟道区域上方形成第一栅极堆叠件和在第二沟道区域上方形成第二栅极堆叠件；以及通过同时向第一区域和第二区域施加不同的蚀刻剂浓度来横向蚀刻第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件的底部，从而在第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件的底部处形成凹口。本发明实施例涉及带有凹口的栅极结构制造。

公开(公告)号：CN114242690A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111441369.2

申请日：2016-12-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲诚 ,  林志翰

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明的实施例提供了一种互连结构包括非绝缘体结构、衬垫层、介电结构、导电结构和防粘层。衬垫层位于非绝缘体结构上并且具有位于其中的开口。介电结构位于衬垫层上。介电结构包括位于其中的通孔开口。通孔开口具有侧壁。导电结构位于介电结构的通孔开口中并通过衬垫层的开口电连接至非绝缘体结构。防粘层位于介电结构的通孔开口的侧壁和导电结构之间。本发明的实施例还提供了另一种互连结构以及形成互连结构的方法。